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71.
提出了一种基于边缘的快速模板匹配方法,算法首先把模板二值化,根据传统标记目标区域的方法对二值化后的模板图进行标记,利用八临域判别准则提取各个区域的边界,在匹配时只匹配区域边界上的点,同时设定阈值,若前面n个点与模板图的前n个点的绝对差和超过阈值,则跳过该搜索区域。实验结果表明,不仅减少了匹配计算量,而且能够保证匹配的精确性。 相似文献
72.
分别研究MoS2、PTFE和石墨对UHMWPE耐摩擦性能的影响。结果表明:在载荷200 N,转速400 r/min的试验条件下,UHMWPE/石墨、UHMWPE、UHMWPE/MoS2和UHMWPE/PTFE的平均摩擦系数分别为0.27,0.30,0.35和0.39。掺杂石墨(质量分数9%)降低了UHMWPE的摩擦系数,在试验过程中减少了由于摩擦而产生的热量,从而提高了UHMWPE/石墨复合材料的耐磨性能。 相似文献
73.
通过单缩反应将对苯二甲醛与氨丙基硅胶缩合固载到硅胶上,然后与2-氨基-1-环戊烯-1-二硫代羧酸(ACDA)缩合并进一步与金属钯络合形成硅胶固载的钯催化剂.氯化钯与硅胶固载的对苯二甲醛缩ACDA质量比为1∶8.5,反应温度为室温,时间为48 h以上.将该催化剂应用于Heck反应,研究了该催化剂对溴代苯与丙烯酸反应制备肉桂酸的催化性能及循环使用性能.结果表明:当反应物与催化剂投料比为0.05 mol(溴苯)∶0.05 mol(丙烯酸)∶0.5 g(钯催化剂)∶0.5 g(四丁基溴化铵)时,肉桂酸产率为81%.该催化剂重复使用2次,产物收率仍能保持在80%以上. 相似文献
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75.
76.
SiC MOSFET可以大幅提升变流器的效率和功率密度,在高频、高温、高压等领域有较好的应用前景。但是,由于其短路耐受时间短、特性退化现象严重以及失效机理模糊等因素,致使SiC MOSFET的普及应用受到了限制。因此,探究SiC MOSFET短路失效与特性退化的机理,可以为SiC MOSFET器件的应用及其保护电路的设计提供指导,具有重要的研究价值。该文首先归纳SiC MOSFET的短路故障类型,并针对其中一种典型的短路故障进行详细的特性分析。在此基础上,论述SiC MOSFET单次短路故障后存在的两种典型失效模式,综述其在两种失效模式下的失效机理以及影响因素。其次,对SiC MOSFET经历重复短路应力后器件特性退化机理的研究现状进行系统的总结。最后指出当前SiC MOSFET短路失效与特性退化的研究难点,展望SiC MOSFET短路特性研究的发展趋势。 相似文献
77.
以热膨胀仪判定建窑黑瓷烧成温度的研究为例,综合运用多种测试方法对建窑黑瓷标本进行了系统研究,探讨如何从建窑黑瓷胎体重烧热膨胀曲线中筛选有效转折点的问题及其转折点的形成原因。研究表明:(1)建窑黑瓷胎体重烧热膨胀曲线上有三个转折点,分别为收缩转折点、膨胀转折点和急剧收缩点。其中第一个收缩转折点是判定其古代烧成温度的关键点。(2)建窑黑瓷胎体重烧热膨胀曲线上膨胀转折点和急剧收缩点的形成皆与其胎体中大量Fe_2O_3在高温下发生分解反应有关。该研究不仅为热膨胀仪测定建窑黑瓷烧成温度的应用研究提供判定依据,也将为科学认识古陶瓷胎体重烧热膨胀曲线上多个转折点的形成机理提供数据支持。 相似文献
78.
采用高能球磨制备出亚稳态的Cu-1%Al(质量分数)合金粉,再将Cu2O粉与其一起进行高能球磨,然后将复合粉末压坯在N2保护炉中同时进行氧化和烧结,制备出Al2O3/Cu复合材料。分析了分别采用湿法球磨和干法球磨时的合金化效果,讨论了模压压力对材料性能的影响。结果表明,对于Cu-Al混合粉来说,采用湿法球磨容易产生分层,采用干法球磨具有良好的合金化效果;在本试验条件下,750MPa为最佳的模压压力,但烧结后材料的电导率还是偏低,因此有必要进行后续的处理来进一步提高材料的性能。 相似文献
79.
详细介绍了Busch铸造公司、Tweer铸造厂、Baumgarte铸造厂、宝马汽车铸造厂及GF—Singen铸造厂的除尘系统配置情况和实际效果,分析指出德国工厂环境保护意识强、除尘技术先进可靠、工艺设备密闭性好.并且强调供排风的平衡和重视旧砂再生技术。 相似文献
80.