全文获取类型
收费全文 | 15749篇 |
免费 | 1628篇 |
国内免费 | 1190篇 |
专业分类
电工技术 | 1048篇 |
综合类 | 1428篇 |
化学工业 | 2276篇 |
金属工艺 | 1211篇 |
机械仪表 | 1111篇 |
建筑科学 | 1285篇 |
矿业工程 | 640篇 |
能源动力 | 460篇 |
轻工业 | 1386篇 |
水利工程 | 481篇 |
石油天然气 | 684篇 |
武器工业 | 226篇 |
无线电 | 1616篇 |
一般工业技术 | 1603篇 |
冶金工业 | 731篇 |
原子能技术 | 212篇 |
自动化技术 | 2169篇 |
出版年
2024年 | 79篇 |
2023年 | 272篇 |
2022年 | 580篇 |
2021年 | 774篇 |
2020年 | 528篇 |
2019年 | 383篇 |
2018年 | 398篇 |
2017年 | 474篇 |
2016年 | 410篇 |
2015年 | 631篇 |
2014年 | 851篇 |
2013年 | 1008篇 |
2012年 | 1216篇 |
2011年 | 1208篇 |
2010年 | 1169篇 |
2009年 | 1061篇 |
2008年 | 1039篇 |
2007年 | 1083篇 |
2006年 | 963篇 |
2005年 | 802篇 |
2004年 | 618篇 |
2003年 | 524篇 |
2002年 | 580篇 |
2001年 | 546篇 |
2000年 | 380篇 |
1999年 | 274篇 |
1998年 | 129篇 |
1997年 | 117篇 |
1996年 | 89篇 |
1995年 | 87篇 |
1994年 | 49篇 |
1993年 | 52篇 |
1992年 | 35篇 |
1991年 | 26篇 |
1990年 | 17篇 |
1989年 | 31篇 |
1988年 | 16篇 |
1987年 | 12篇 |
1986年 | 11篇 |
1985年 | 6篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 6篇 |
1981年 | 6篇 |
1980年 | 5篇 |
1979年 | 7篇 |
1976年 | 2篇 |
1973年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
1951年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
71.
72.
73.
74.
采用七组元化学反应模型,数值模拟高超声速飞行器流场.基于流场结果,用分段线性电流密度递归卷积时域有限差分方法计算了P、L波段飞行器流场的后向雷达散射截面积(Radar Cross-Section,RCS)频率特性及双站散射特性,并分析了入射波频率和双站角对RCS的影响.结果表明:在计算频率范围内,等离子鞘套流场后向RCS基本上比飞行器本体后向RCS小,攻角对流场RCS有所影响,当入射波频率和等离子体特征频率相近时,等离子鞘套改善飞行器的隐身性能;入射波频率为1 GHz时,飞行器等离子鞘套流场和飞行器本体的双站RCS随双站角的变化交替变化,无明显规律. 相似文献
75.
Hongning Yang Macary V. Huber J.L. Won-Gi Min Baird B. Jiangkai Zuo 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2003,50(11):2248-2254
A microscopic multitransistor model is developed to analyze the impact of local dopant fluctuation on the intrinsic mismatch of long-channel MOSFET. A closed analytical formula for current mismatch is derived to show a nonscaled and self-consistent form /spl sim/[4+Log(L/L/sub min/)]/WL. This is in contrast to the global fluctuation model, in which the current mismatch has a universal scaling form /spl sim/1/WL but is not self-consistent if a MOSFET is modeled as an equivalent two-transistor system. The weak violation of scaling law results from the local fluctuation that has more impact on longer channel devices than on shorter ones. Our new model is consistent with recent experimental observation and can explain the discrepancies between the experimental data and the existing models. The analysis indicates that the local dopant fluctuation is the major cause and accounts for about 60% to 80% of total current mismatch when operated at lower gate voltage, a usual regime for higher output impedance. 相似文献
76.
77.
78.
79.
80.
TD-LTE网络优化的信令分析算法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
TD-LTE网络建设目前还是处在发展的阶段,在TD-LTE网络优化方面还要经过一段时间的摸索,根据应用方向的不同,在一定程度上针对TD-LTE网络优化的信令分析算法也存在着差异,文章主要针对TD-LTE网络优化的信令分析算法进行较为系统的研究及探讨,展现出TD-LTE网络优化的信令分析算法的必要性,以及在实际应用中的效果,主要是为了完善网络优化的水平,借以提高TD-LTE网络优化的信令的可靠性,保证实际运用中不出现信令偏差,达到良好的使用效果,不断加大对TD-LTE网络优化的信令分析算法的实际效果监测,使其在网络优化领域能够得到肯定。 相似文献