含碳耐火材料抗氧化涂料的现状与发展趋势

介绍了含碳耐火材料实际应用中氧化造成的危害,根据国内外对防止氧化表面涂层技术的研究状况,对涂料的防止氧化作用机理、性能要求与组成成分进行了分析。目前开发的抗氧化涂料品种较少,有必要在涂料品种与涂层的综合性能提高方面进一步开展工作。     

一种不平衡数据流集成分类模型

 针对不平衡数据流的分类问题,结合基于权重的集成分类器与抽样技术,本文提出了一种处理不平衡数据流集成分类器模型.理论分析与实验验证表明,该集成分类器具有更低的计算复杂度,更能适应存在概念漂移的不平衡数据流挖掘分类,其整体分类性能优于基于权重的集成分类器模型,能明显提升少数类的分类精度.     

半导体激光二极管的光纤耦合技术

将半导体激光二级管（LD）发出的光更高效地注入到光纤中是光纤激光器与光纤放大器研究的先决条件.半导体激光二级管包括二极管单管、条形巴、二维堆栈和二极管阵列等,其各自的耦合技术之间有联系也有区别.分析介绍了有代表性的柱状楔形法、V型槽法、微透镜法等二极管单管与光纤的耦合技术;光纤束耦合法、光束整形法等二极管条形巴与光纤的耦合技术;以及二极管二维堆栈和二极管阵列与光纤的耦合技术等各种光纤耦合技术,比较了这些方法之间的共通点,供今后的研究人员选择和参考.     

溅射工艺条件对氧化钒欧姆接触特性的影响

采用反应磁控溅射并在氧氛围下进行后退火处理的方式,制备了氧化钒薄膜.尝试了在氧化钒上以不同衬底温度和溅射功率等工艺条件溅射金属薄膜电极.通过对氧化钒-金属接触的电流-电压(I-V)测试的数据进行分析拟合,研究了氧化钒薄膜表面性质和测试偏压的变化对I-V特性曲线欧姆系数的影响.结果表明在化学计量比约为VO2.15的非晶氧化钒薄膜上,溅射的金属电极随着溅射功率和测试偏压的提高,I-V特性曲线的线性度得到了逐步的改善.通过比较Ni/Cr,Ti及Al不同金属电极的接触性能,提出了合理的欧姆接触工艺条件以及电极工作电压范围.     

一种基于图形处理器的压缩单纯形方法

 针对GPU通用计算环境CTM纹理资源的限制,研究了一种适于CTM的单纯形方法.依据单纯形方法每次变换最多只增加一列非单位元向量和矩阵求逆运算的特征,给出GPU上系数矩阵、基逆矩阵等的压缩存储策略及在该策略下求解基逆矩阵、单纯形乘子和检验数等步骤新的计算规则.CPU主要进行迭代控制;而计算密集类任务皆由GPU完成.理论分析证明该方法比标准方法在时空复杂度上提高了一个数量级.数值实验表明该方法不仅扩大了可求解问题的规模,且在获得正确优化结果的前提下,效率比CPU版本有数百倍的提高,甚至数倍领先于MATLAB R2007a.     

基于Tracepro的太赫兹探测阵列光学镜头设计

太赫兹探测成像技术是一种新兴的、极具发展前景的探测技术。为了满足太赫兹探测阵列的成像要求,设计了一种结构紧凑的折射型光学镜头,并采用Tracepro软件对该光学镜头轴上及离轴无穷远点在焦平面的成像情况进行了模拟仿真,优化了光学镜头结构参数。设计的光学镜头采用HRFZ-Si作透镜材料,并在透镜表面涂覆parylene抗反薄膜,其焦距为26.2 mm,视场角为16.3°,相对孔径为1.9∶1,分辨率为20 lp/mm。     

高频有机聚合物SAW湿度传感器的研究

以双端口433.92 MHz的SAW谐振器(SAWR)为敏感元件,分别以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、磺基水杨酸(SSA)掺入PVP为敏感材料。对PVP掺杂前后湿度传感器的性能测试表明,沉积有PVP的SAWR感湿元件回复缓慢,可逆性差,而沉积SSA-PVP的感湿元件则表现出明显的可逆性,其响应速率和回复性明显均优于单一的PVP传感器,且响应频率与湿度表现出明显地线性相关性,其相关系数R可达0.996 21。     

复周期结构光子晶体的光子能带特性研究

本文构思了一种每个周期内部有几个不同的小单元的复周期结构光子晶体，并利用光学传输矩阵法对这种光子晶体进行了数值模拟计算。计算结果表明，这种复周期结构光子晶体比普通结构的光子晶体多出1个大的光子禁带区。适当调整参数还可以分别获得多通道窄带滤波特性、带通滤液特性和窄带透过特性。     

基于NPBX掺杂CzHQZn的黄色有机电致发光器件

利用一种既具有空穴传输特性又具有发光特性的新型荧光染料N-乙基咔唑-2-乙烯基-8-羟基喹啉锌[(E)-2-(2-(9-ethyl-9H-carbazol-3-yl)vinyl)quinolato-zinc,CzHQZn]掺杂在NPBX中作为空穴传输层,CzHQZn同时还作为发光的主体,制备了结构为ITO/2T-NATA(30nm)/NPBX:25%CzHQZn(xnm)/BCP(10nm)/Alq3(60-x)nm/LiF(0.5nm)/Al的有机发光器件(x为掺杂发光层的厚度),掺杂发光层的厚度按照15,20,25,30nm进行变化,相应改变Alq3的厚度,使得这两者的总厚度为60nm保持不变。当掺杂发光层的厚度是20nm,Alq3的厚度是40nm,其他层厚度保持不变时,器件在4V电压下实现了黄光发射,色坐标为(0.514 6,0.470 5),亮度是1.078cd/m2。在14V的电压下,器件最大发光亮度为449 0cd/m2,最大发光效率为0.98cd/A。     

聚合物MEH-PPV橙红光OLED的研究

以聚合物聚[2-甲氧基-5-(2'-乙烯基-己氧基)聚对苯乙烯撑](MEH-PPV)为发光层,采用旋涂方法制备了两种不同结构的有机电致发光器件(OLED),分别为:ITO/MEH-PPV/Alq3/Mg:Ag和ITO/MEH-PPV/bathocuproine(BCP)/Alq3/Mg:Ag.对两种器件的电致发光谱、J-V曲线和L-V曲线等发光特性进行了分析研究.对比发现,采用BCP为空穴阻挡层的结构具有较大的发光亮度和较高的发光效率.根据能级理论对上述实验结果进行了初步的理论分析,并对器件性能差异的原因进行了解释.