基于单片机的现场数据记载器

介绍一种以单片机为核心的现场数据记载器，它可以广泛应用于科研、生产等的现场取数，能够同时记录十张以上表格的数据，整个表格数据最后通过ＲＳ－２３２接口以标准ＤＢＡＳＥⅢ的格式送微机处理。本文主要介绍记载器的硬件组成、专用操作系统和配套的服务程序。     

深次临界装置α本征值l算方法比较研究

编制了用3种方法独立计算a本征值的计算程序,并分析了深次临界情况下a本征值计算遇到困难的原因。计算结果表明:改进的直接法计算范围宽、精度高,是解决深次临界情况下a本征值计算困难的有效途径。     

用于放射性砹(碘)标记蛋白质的偶联剂SPC的合成及表征

以5-溴烟酸为起始物，通过3步主要反应合成了一种适用于蛋白质放射性砹(碘)标记的偶联剂——5-(三正丁基锡)-3-吡啶甲酸N-琥珀酰亚胺酯(SPC)，并用核磁共振(NMR)、质谱(MS)、高效液相色谱(HPLC)等进行了表征。以该试剂为双功能偶联剂，实现了IgG的^125I标记，标记率达30％以上。标记产物在体外具有较高的稳定性。     

基于MSP430F149的串口通讯设计

文章介绍了美国TI公司新一代16位Flash犁MSP430F149系列单片机的结构、特性和功能，并给出了该单片机与上位机(PC)利用串行口进行通讯的实例，详细介绍了如何利用VC 6．0进行串口通讯程序的编制，重点介绍了Windows API实现异步通讯的方法。     

多晶La_(0.49)Sr_(0.51)(Mn_(1-x)Nb_x)O_3的电输运特性研究

测量了B位掺杂的钙钛矿结构锰氧化物La0 49Sr0 51(Mn1-xNbx)O3(x=0,0 05,0 15和0 25)的电阻率和磁化强度的温度特性.实验结果表明,当Nb5 部分替代B位的Mn4 离子时,电阻率-温度特性由原来单一的半导体型转变成了高温时的半导体(绝缘体)型和低温时的类金属型.随Nb掺杂量增大,电阻率迅速升高3～5个数量级,半导体(绝缘体)-类金属转变温度降低.在掺杂Nb的样品中,只观察到顺磁-铁磁转变,而未观察到铁磁-反铁磁转变.上述实验结果的一种可能解释是掺杂改变了磁有序时电子自旋的排列和空间取向,从而改变载流子被自旋热涨落的散射作用和载流子转移的随机性.     

光子晶体缺陷态构造多通道波分复用器

提出了一种新的二维光子晶体的缺陷结构。该结构在光子晶体中构成光波导,能使光子禁带中不同的被选择的缺陷态频率的光子以极低的损耗通过。采用带有吸收边界条件的时域有限差分方法模拟了光波在该种结构中的传播。以该结构为基础,可以在微米尺度的光子晶体中制作波分复用器等光学元件,而且其各信道具有相近的高传输系数。     

Synthesis of a Kind of Temperature-responsive Cell Culture Surface for Corneal Sheet

In this study,acrylic acid(AA) and 4-azidoaniline were used to modify poly(N-isopropylacrylamide)(NIPAAm) in order to fabricate temperature-responsive surface for corneal epithelia cell adhesion and detachment.First,NIPAAm was copolymerized with acrylic acid.Then,the copolymer was coupled with azidoaniline to synthesize AzPhPIA,derivative of p(NIPAAm-co-AA),which possesses both thermo-and photo-sensitivities.Second,the synthesized copolymer was characterized by high performance liquid chromatography(HPLC),F...     

一种复合火灾探测器

介绍了一种由电离室和温度传感器组合成的复合型火灾探测器,这种探测器内置单片微机,在相应的软件中含有火灾特征参数。最后,给出了复合型火灾探测器的试验结果。     

可编程延时芯片及其在系统时序控制中的应用

介绍了美国模拟器件公司（ＡＤＩ）的高精度数字可编程延时芯片ＡＤ９５００的结构和功能,讨论了它在合肥国家同步辐射实验室高频剔除系统中的应用和所遇到的问题及解决的方法。     

TiAl合金基体表面Ti薄膜在升温过程中结构变化的分子动力学模拟

应用分子动力学方法计算了TiAl合金基体表面的Ti薄膜在温度升高过程中的结构变化,计算中所用的势由嵌入原子模型得到,TiAl合金基体表面的结构分为Ti和Al原子层2种情况.通过对键类型、原子均方位移、原子密度分布和分层局域结构内的原子排布等随温度的变化进行分析,发现在升温过程中由于原子之间位置的交换,薄膜结构分阶段发生变化;基体表层分别为Ti或Al原子层时,Ti薄膜内的原子排列结构呈现出不同的变化形式.