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191.
潘功配 《含能材料》2011,19(5):483-490
烟火药的发展由来已久,20世纪中后期的突破性发展为高技术战争光电对抗无源干扰,进入21世纪发展步入了理论研究与技术创新的新阶段.新型烟火药红外照明剂、脉冲信号剂、声纳诱饵剂、弹丸增程底部排气剂、强光辐射迷盲干扰剂、熄燃或爆燃的软杀伤烟火剂、“冷光”烟火剂、微烟/无烟烟火剂等,创新发展特色鲜明.烟火药理论研究的突破、技术...  相似文献   
192.
烟火药的配方设计至今还停留在大量实验与经验的阶段,为了提高烟火药配方设计的效率,从而节省成本,将神经网络与遗传算法相结合,初步开发了烟火药的配方优化系统,并从设计思想、总体结构及系统功能等方面进行了阐述.  相似文献   
193.
超声波的空化效应有助于降低胶液的表面张力。研究证明,通过超声的作用能迅速降低胶液的粘度,极大地提高胶液对玻璃纤维布等增强基材的浸润效果,大量降低粘结片生产过程中对溶剂的消耗,提高生产效率,减少环境污染。  相似文献   
194.
针对现有船载雷达动态标校方法的不足,提出了一种基于星敏感器的船载雷达轴系误差标校方法。该方法以精确的星敏感器地平指向为比对基准,解算船载雷达的轴系误差。设计了基于星敏感器的船载雷达动态标校方案,分析了船摇测量误差对雷达测角精度的影响,推导了天线座垂向变形引起的雷达测角误差修正模型。根据测量目标的不同,分别建立了联合测星与跟踪目标时的船载雷达轴系误差分离模型。最后通过联合测星试验对轴系误差分离模型进行了验证。试验结果表明,利用动态标校成果修正后的船载雷达方位、俯仰系统残差分别为3”和9”,随机残差分别为40”和45”,满足雷达轴系误差标定要求,具有较高的实用价值。  相似文献   
195.
采用端部霍尔离子源在硅基底上制备了含氢非晶碳膜(a-C:H),并测量了4 000~1 500 cm-1的红外透射光谱。基于单层薄膜的透射关系,获得了仅有六个拟合参数的光学常数计算模型。利用该模型,可以同时获得薄膜在宽波段范围内的光学常数和厚度:折射率的最大值为1.94,消光系数的最大值为0.014 9,拟合薄膜厚度为617 nm 。  相似文献   
196.
一种高速并行采样实时校正方法研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
并行交替采样带来的非均匀误差严重影响采集性能.本文建立了并行交替采集系统的数学模型,实现了一种幅度非均匀误差校正的归一化算法,在误差校正系统中引入可程控参考校正源,再利用查表法同时校正系统的偏置和增益失配误差,然后对时间非均匀性参数进行估计,并通过高精度可编程时钟延时网络对其修正.实验结果表明,该校正方法实时性好,降低了硬件设计难度和成本,提高了系统性能.  相似文献   
197.
基于双阈值分割的车道线检测方法   总被引:2,自引:0,他引:2  
车道线识别技术是车道偏离预警系统(LDWS)的核心,为能有效识别出车道标线,首先采用双阈值分割提取图像中符合车道线特征的白色和黄色信息,然后在感兴趣区域(ROI)中建立动态搜索带以检测车道线像素信息,最后通过Hough变换完成对车道线的识别。实验结果表明该方法能较好地消除干扰,保留需要的像素信息,有效识别出车道线。  相似文献   
198.
智能材料结构自修复的策略研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
并非结构的任何微小损伤都会加以维修,即结构损伤修复的实时性要求要弱于诊断的实时性。对智能材料与结构在实时获得结构诊断信息条件下的自修复策略问题进行了研究,应用马尔可夫过程描述智能材料结构的劣化过程,以单位时间费用最低为目标的自修复策略,给出了计算修复阀值的具体算法并用具体的实例说明了计算过程。  相似文献   
199.
以CYPRESS公司的EZ-USB FX2芯片为基础,对工业CT数据采集系统的USB接口设计所涉及的几个方面进行了详细的介绍。该设计中为了能提高数据传输的速度,EZ-USB芯片采用Slave FIFO接口方式,在此方式下,USB内核不参与数据的传输。CY7C68013A芯片内部包含有4 KB的可配置端点缓冲区,这是大容量数据传输端点,可配置成不需要8051固件参与就同外围电路完成高速数据传输端。CYPRESS公司提供的EZ-USB固件程序开发包中包含有固件程序的基本框架。在此介绍CY7C68013A芯片的结构和特点,分析EZ-USB FX2固件程序框架,并给出固件程序实例代码,描述固件代码装载方式,应用程序调用驱动程序的接口函数。采用EZ-USB芯片开发USB接口,大大降低开发难度,提高开发效率。  相似文献   
200.
为了量化分析连续波信号经过脉冲调制后相位噪声的恶化程度,利用SystemVue 软件搭建了脉冲调制对连续波相位噪声恶化的仿真模型。仿真结果表明:脉冲调制后的相位噪声在连续波基础上恶化,近端频偏处的相位噪声由于基底较高,对脉冲调制混叠效应引入的相噪恶化不敏感,远端频偏恶化程度较大。相位噪声的具体恶化程度与频偏位置、脉冲周期、脉冲宽度及基底热噪声等因素有关。  相似文献   
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