国内管线钢标准应用现状分析

简要介绍了国内管线钢的组织分类及其特性要求,并对国内管线钢目前应用标准情况进行了分析研究。     

激光诱导瞬态吸收光谱研究TMB光致电子转移

TMB(N，N．N’，N’-四甲基联苯胺)的气相电离能很低(6．1—6．8eV)，在有机溶剂中很容易被光电离而生成阳离子自由基。此外，激发态TMB还能被氧化性强的物质氧化而失去电子。本工作利用时间分辨激光诱导瞬态吸收光谱装置，以一台Nd：YAG激光器三倍频后的355nm激光作为激发光源，详细研究了TMB和五种缺电子烯反丁烯二腈(Fumaronitrile，FN)、反丁烯二酸二甲酯(Dimethyl fumarate，DMF)、     

纳米Bi2O3-Y2O3快离子导体的制备

以共沉淀法制备的纳米(75mol%Bi2O3+25mol%Y2O3)混合粉体作为原料,通过无压反应烧结工艺制备了纳米Bi2O3-Y2O3快离子导体.对烧结过程中高导电相(纳米δ-Bi2O3)的形成规律研究表明固溶反应发生在烧结过程的初期,在烧结过程中晶粒生长规律符合(D-Do)2=K·t抛物线方程.用模式识别技术对δ-Bi2O3相生成的工艺条件进行优化的工艺参数优化区为Y＞-1.846X+3.433(X=0.0059T+0.0101t,Y=-0.0059T+0.0101t,式中,T为烧结温度,t为烧结时间).在T=600℃,t=2h无压反应烧结条件下,纳米晶Bi2O3-Y2O3快离子导体材料的相对密度可达96%以上,并且微观结构致密均匀,很少有残留气孔和裂纹,平均晶粒尺寸在100nm以下.     

熔渗法制备SiC/ FexSiy 复合材料显微结构和性能

用Fe_xSi_y (Fe₃Si, Fe₅Si₃, FeSi ) 熔体自发浸渗SiC 粉体预制件制备出致密度高达9615 %的SiC/ Fe_xSi_y复合材料。利用XRD、OM 和SEM 等对复合材料的相组成、显微结构和力学性能进行了分析和表征。研究发现, 自发浸渗过程中SiC 在Fe_xSi_y 熔体中有溶解和析出, 导致复合材料的相组成和显微结构发生变化。Fe₃Si 渗入后, 复合材料中有碳析出, 并生成Fe₅Si₃ 和FeSi 两种新相;Fe₅Si₃ 和FeSi 的渗入无碳析出, 而是发生碳化硅烧结、粒子合并和晶粒长大;Fe₅Si₃ 熔体渗入超细碳化硅(0.5μm ) 粉体预制件后, 生成大的碳化硅晶粒和碳化硅单晶。借助CHEMSAGE 热力学数据库对1873 K 时Fe-Si-C 体系的平衡相图进行了定量分析, 研究了SiC 在Fe_xSi_y 熔体中的稳定性;解释了铁的三种硅化物浸渗后, SiC 颗粒形态的变化。通过对复合材料显微硬度、弯曲强度和可靠性(威布尔系数) 的测试, 分析了熔渗法SiC/ Fe_xSi_y 复合材料结构和性能的关系。     

PEO-LiClO4-Li1.3Al0.3Ti1.7 (PO4)3复合聚合物电解质电导率

将实验室烧制的无机快离子导体盐Li_1.3Al_0.3Ti_1.7 (PO₄)₃ 、PEO 与LiClO₄ 按照EO/ Li = 8, 两种锂盐含量为变量进行复合, 通过溶液浇注法制备得到PEO-LiClO₄-Li_1.3Al_0.3Ti_1.7 (PO₄)₃ 复合聚合物电解质膜, 以示差扫描热分析法(DSC) 与电化学阻抗( EIS) 测试其性能。DSC 测试结果表明: 按照EO/ Li = 8 将Li_1.3Al_0.3Ti_1.7 (PO₄)₃ 、LiClO₄ 与PEO 复合的聚合物电解质中PEO 的结晶度由50.34 %下降到4.36 %～28.53 %。室温下该聚合物电解质所有试样的阻抗谱图在高频区呈现为压缩的半圆, 在低频区为一条倾斜的直线, 而在较高温度时, 阻抗谱图主要为一条倾斜的直线。复合聚合物电解质PEO-LiClO₄-Li_1.3Al_0.3Ti_1.7 (PO₄)₃ 的离子电导率遵从Arrhe2nius 关系, 在Li_1.3Al_0.3Ti_1.7 (PO₄)₃ 质量分数达到15 %时, 活化能最低, 即4.494425 eV, 此时电导率值最佳, 373 K时为1.161 ×10 -3 S/ cm 和298 K时为7.985 ×10-6 S/ cm。     

燃料和基板对火焰法制备一维碳纳米材料的影响

以乙醇、甲醇及液化石油气为碳源，低碳钢及含Ni合金钢等为基板，采用火焰法成功地制备出了一维碳纳米材料，包括碳纳米管（CNTs）和一种新的“实心”碳纳米纤维（CNFs）。利用场发射枪高分辨扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）和激光Raman光谱对碳纳米材料的结构进行了表征。发现基板材料决定燃烧生成物的性质，含Fe元素及其化合物的基板材料倾向于合成“实心”碳纳米纤维，而含Nj元素及其化合物的基板材料倾向于合成“空心”的碳纳米管，认为这是由于碳与Fe的亲和力比Ni大而造成的。不同碳源对一维碳纳米材料的形态也有影响，这与它们的含碳量和燃烧热等不同有关。     

静电自组装制备低维纳米结构的最新进展

静电自组装技术是一种能够方便地实现低维纳米结构组装的新工艺.由于其具有工艺简单、所得体系热力学稳定性好等优点而受到众多研究小组的重视.详细介绍了静电自组装成膜驱动力的研究结果和近10年来取得的重要进展,并对静电自组装工艺的优缺点进行了评述.     

质子交换膜的交联改性研究进展

燃料电池的应用需要性能优越的质子交换膜,而目前广泛使用的全氟磺酸膜以及其他类型的质子交换膜普遍都存在着热稳定性较差、溶涨过大、阻醇性能不理想等问题,这些缺点可用交联的方法得到一定程度的改善.综述了近年来交联改性质子交换膜的研究进展,并对其交联方法、改性效果进行了详细的讨论.     

LSI中的CMOS运算放大器的设计

利用CSMC0.6μmCMOS工艺实现了一个用于LSI中的CMOS运算放大器,整个设计利用SPICE软件进行系统模拟,利用九天(Zeni)工具进行了版图设计和验证,最后已通过东南大学MPW(multi-project-wafer)进行了流片.此放大器增益为72.9dB,单位增益带宽为10.2MHz,±1.65V电源供电,功耗小于0.5mW,整个芯片面积为0.5mm×0.5mm.     

端部中空离子源的磁路研究

研究了端部中空离子源的磁路设计.在简要叙述端部中空离子源的基本原理及其对磁场要求的基础上,考虑了在设计离子源磁路时的关键问题和解决方法,并给出了实验结果和分析结论.