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32.
Liang Y.C. Wenjiang Zeng Pick Hong Ong Zhaoxia Gao Jun Cai Balasubramanian N. 《Electron Device Letters, IEEE》2002,23(12):700-703
In this letter, a concise process technology is proposed for the first time to enable the fabrication of good quality three-dimensional (3-D) suspended radio frequency (RF) micro-inductors on bulk silicon, without utilizing the lithography process on sidewall and trench-bottom patterning. Samples were fabricated to demonstrate the applicability of the proposed process technology. 相似文献
33.
34.
石油测井仪器可靠性指标探讨 总被引:5,自引:1,他引:4
在分析常用可靠性指标及其应用现状的基础上,根据可靠性理论及石油测井仪器的特点。提出了石油测井仪器的可靠性模型。在探讨常用可靠性指标对石油测井仪器适用性的同时,提出将平衡稳定工作时间NWTURE和免维修测井井次NOLWNM作为石油测井仪器可靠性指标的思想;探讨了获取可靠性指标的途径。给出了推荐使用的石油测井仪器可靠性指标。 相似文献
35.
In this paper, a localized MEI method (L-MEI) is developed and combined with the domain decomposition method (DDM) for the simulation of scattering by a concave cylinder. In the L-MEI, the whole domain is decomposed into many subdomains. Different from the conventional MEI method, the MEI coefficients of the L-MEI method in each subdomain are only dependent on the localized metrons that are defined in the subdomain. The localization of metrons has the following advantages: (1) speeding up the calculation of MEI coefficients and saving memory, (2) making the MEI method available for concave structures, and (3) obtaining a band sparse matrix directly without any modification 相似文献
36.
基于数字信号处理器的直流电机控制系统 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了定点数字信号处理器(DSP)TMS320F240的一般性能及其在永磁无刷直流电机控制上的应用,给出了硬件设计方案、软件策略及输出结果。 相似文献
37.
条件概率关系数据库模型 总被引:1,自引:0,他引:1
现实世界中大量存在着的不确定性信息,关系数据库模型仅视它们为空值,有必要增强其处理这类信息的能力,文章在总结前人工作的基础上推广关系数据库模型,创建有效处理随机型不确定性信息的条件概念关系数据库模型,该模型通过在关系模式中增加一个条件概率测度属性,为每条记录指定适当的条件概率的途径,来表示不确定性信息。文中以对象码为基本工具,创建了条件概率关系结构;以特征函数为基本工具,定义了一套基于该结构的代数运算规则。条件概率的语意比概率的语意广泛,灵活,因而该模型能有效克服概率关系模型的许多不足。 相似文献
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39.
40.
Zhang Li Chun Jin Hai Yan Ye Hong Fei Gao Yu Zhi Ning Bao Jun Mo Bang Xian 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2002,49(6):1075-1076
A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm2. The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively 相似文献