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991.
992.
热处理温度对磁控溅射法制备YSZ电解质薄膜性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射方法在NiO-YSZ阳极基底上制备了致密的YSZ电解质薄膜,主要研究了热处理温度对电解质薄膜性能的影响.试验发现随着热处理温度的提高,所制备的YSZ薄膜中晶粒结合更加致密,气孔率显著降低,薄膜与基底间的结合更加紧密.通过组装单体电池实际考察了薄膜的性能,发现随着热处理温度的提高,电池的开路电压及放电性能均有大幅度的提高.在800℃下,开路电压由0.82V提高到1.023V,已接近SOFC的理论电压;最大功率密度由480mW/cm2提高到760 mW/cm2. 相似文献
993.
994.
采用直流磁控溅射方法在柔性Kapton基片上沉积了FeCoSiB薄膜,研究了偏置磁场、溅射气压以及测试频率对薄膜应力阻抗效应的影响规律.结果表明,本文中优化的溅射气压为1.5 Pa,强的偏置磁场可形成强的横向各向异性,从而显著提高材料的应力阻抗效应.随着测试频率从0.1MHz升高到30 MHz,薄膜的应力阻抗效应显著增强. 相似文献
995.
996.
某工业园区自备电厂锅炉水冷壁管在运行期间多次发生穿孔事故,通过内壁垢样分析和金相检验等方法,结合现场工况,对水冷壁管的穿孔原因进行了分析.结果表明:锅炉内水的电导率和SiO 2含量偏高,且现场缺少在线仪表监测,造成内壁结垢,继而引发了垢下局部碱腐蚀,造成管壁减薄至无法承受工作应力而穿孔爆裂. 相似文献
997.
998.
999.
对于存在突变的不连续物体的测量,使用低频光栅时物体面形能够恢复,但测量精度不高;使用高频光栅时不连续部分的轮廓细节能够清晰的恢复,但存在相位包裹现象而出现截断相位.据此,提出将2种光栅的优点融和在一起的方法:首先设计适合的低频光栅在物体的突变部分产生一根条纹,使低频光栅产生的相位不需进行相位展开;然后由2种光栅的频率比值及高频的截断相位来确定高频光栅所产生的条纹的整数级数n2(x,y);最后求出高频的展开相位,从而高精度地恢复不连续物体的高度信息.计算机仿真结果表明了理论分析的正确性. 相似文献
1000.