采用CSMA/CA控制策略实现CATV多媒体交互通信

对采用ＣＳＭＡ／ＣＡ控制策略实现ＣＡＴＶ多媒体交互通信的介质存取方法进行详尽的分析与讨论,其最重要的特点就是发送站数据无碰撞危险,由于不存在的数据包碰撞检测,从而对数据包无最小长度要求,包可以非常短,数据吞吐量可以大大增加。     

基于RBF神经网络PI算法的T型三电平调光电源控制策略

为提高单相T型三电平助航调光电源的动态性能以及抑制输出电流谐波,提出基于RBF(RBF-RadialBasis Function)神经网络和梯度下降法相结合的新型控制策略。首先对T型三电平拓扑进行建模分析,利用根轨迹方法研究系统的动态特性,揭示了影响输出响应的关键因素。在此基础上,研究设计利用局部逼近的RBF神经网络来快速辨识输出相对于输入的变化率(Jacobian信息),并用梯度下降法动态在线调整T型三电平逆变器的PI控制参数,自适应调光电源工况变化。最后,针对系统调光、空载、短路等工况下的控制效果,采用MATLAB/Simulink软件与常规PI控制进行对比仿真,并搭建30 kW调光电源实验平台进行实验。结果表明所研究方法能有效改善分级调光动态性能和输出电流谐波。     

高速、大容量新一代SIM卡

SIM卡从一代到三代,计算能力和存储能力都发生了巨大的变化。在移动通信全面进入＂移动互联网时代＂的背景下,运用新一代SIM卡,获得增值服务,是通信业竞争中不可忽视的制胜手段。其实,不仅仅在移动增值业务的领域,新一代SIM卡获得成功的认可,所提供的技术应用想象空间,在＂三网合一＂的背景下,对有线电视用户卡（原理与SIM卡几同）的增值服务,甚至其他领域的多用户协同、识别、加密、储存等等技术,都有着现实的利用价值。     

涡旋光束经过环形孔径的衍射特性的研究

对涡旋光束经过环形孔径之后的衍射特性进行了研究。从理论和实验上研究了涡旋光束经过环形孔径的衍射情况,考虑了整数阶涡旋光束和分数阶涡旋光束的衍射光强图,并讨论了拓扑电荷数对衍射图样的影响。研究表明,拓扑电荷数与光强分布紧密相关,这一现象可以用于测定涡旋光束拓扑电荷数。     

激光清除输电线路异物时异物烧蚀特性分析

利用高能激光清除输电线路缠绕异物的方法取得了 较好的使用效果。以5种典型输电线路异物 材料为研究对象,建立有限元仿真模型,分析激光烧蚀异物的温度分布及其微观变化规律, 并进行了激光 烧蚀实验。结果表明,激光照射异物时,异物中心到边缘温度逐渐降低,高温的中心部分先 熔化,低温部 分热量积累使温升至熔点熔化,形成“V”形凹坑。在激光加热异物的过程是周向和纵深方 向同时发展的, 且纵深方向发展快于周向的发展速度。激光功率达到200 W时,可以 清除绝大部分有色异物,亮白色异物 也可被清除,激光清除异物的效率在1mm/s至2mm/s之间,激光清除异物的效率较高,此研 究成果为激光 应用于清除输电线路缠绕异物工作提供了重要依据。     

有机载体挥发特性对PTC陶瓷铝电极性能的影响

为了制备出满足铝电极性能要求的电极浆料,采用两种具有不同挥发特性的有机载体烧渗PTC铝电极,通过XRD和SEM研究了烧渗后铝电极的物相和微观形貌对电极性能的影响。结果表明:采用阶梯式挥发的有机载体制备的铝电极浆料,烧渗后的电极结构致密,假电阻小,|RAl-RIn-Ga|/RIn-Ga约为0.3%;抗老化性能优良,沸水中老化24h后,电阻变化率不超过2.3%,经400V交流电压冲击500h后,电阻变化率不超过1.0%。     

CdSe／HgSe／CdSe量子点量子阱（QDQW）的HREM研究

我们应用胶体化学合成方法制备出具有核壳结构的CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)纳米晶,由于QDQW中载流子的量子限制效应,其光致发光谱(PL)出现了明显的蓝移现象,谱峰也有明显增强。本文中,我们通过对CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱核壳结构进行HREM的研究,并对包裹层这种异质外延生长及PL谱进行分析,获得了有意义的结论。胶体CdSe纳米晶是在水溶液中加以生长[1]。其化学反应式为:Cd2++2OH-+SeSO32-→CdSe+SO32-+H2O(1)通过改变Cd2+、SeSO32-的浓度及溶液中pH值,对CdSe纳米晶的尺度加以控制,并加入化学稳定剂阻止CdSe纳…     

一种用于求压电材料复参数的快速迭代算法

要精确地描述压电材料的性能,必须把压电材料的参数作为复数考虑。文章提出一种新的自动迭代算法,通过测量压电陶瓷的４种标准型振子谐振峰附近的阻抗（或导纳）,即可由程序自动求出压电陶瓷的全部材料系数。与常用的迭代法相比,本文迭代法巧妙的初值选取方法及选代频率点的选择,使得算法精度高,迭代次数少。     

基于双耦合器的全光纤不等带宽波长交错滤波器的设计

为提高波长交错滤波器(interleaver)带宽的利用 率,提出了基于一字型3×3和2×2光纤耦合器组成 全光纤马赫-曾德尔干涉仪(MZI)型不等带宽波长交错滤波器(interleaver)的设计方案。运 用光纤传输理论 和矩阵理论,得到滤波器输出谱的表达式;依据傅里叶级数的理论,优化选择器件的结构参 数;数值 模拟分析了器件的输出特性。结果表明:两个耦合器的耦合系数和光纤干涉臂长差取一些定 值时,器 件主要的两路输出带宽不等,它们的3dB带宽分别为31.5和 65.6GHz,满足不同传输速率10和40Gbit/s对带宽的要求,较等带宽interle aver有更高的利用率;通过分析器件结构参数对输出谱的影 响,发现器件具有一定的抗偏差能力;与普通的级联MZI型interleaver相比,新型器件的优 点是耦合 器少,在实际制作时可准确控制和检测耦合器的分光比,从而降低了制作难度。实验结果与 理论分析相吻合。     

退火对Ni/3C-SiC欧姆接触的影响

采用溅射法在液相外延 3 C-Si C上制备 Ni电极 ,并利用圆形传输线法研究了退火温度对欧姆接触特性的影响 ,实验表明对于 Ni/n-Si C金半接触 ,经过 80 0～ 1 0 0 0°C高温退火 5分钟后 ,肖特基整流特性退化为欧姆接触 ,表现出良好的欧姆接触特性 ,且随退火温度的提高 ,接触电阻进一步下降 ,1 0 0 0°C退火后 ,可获得最低的接触电阻为 5 .0× 1 0 - 5Ω· cm2。