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Rong Zhang Xiujun Wang Zhen Zhang Wendi Zhang Junqi Lai Siqi Zhu Yunfei Li Yong Zhang Kecheng Cao Song Qiu Qi Chen Lixing Kang Qingwen Li 《Advanced functional materials》2023,33(41):2301864
High current carrying capacity and high conductivity are two important indicators for materials used in microscale electronics and inverters. However, it is challenging to obtain high conductivity and high current carrying capacity at the same time since high conductivity requires a weakly bonded system to provide free electrons, while high current carrying capacity requires a strongly bonded system. In this paper, CuI@SWCNT networks by filling the single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) with CuI is ingeniously prepared. CuI@SWCNT shows good stability due to the confinement protection of SWCNTs. Through the host-guest hybridization, CuI@SWCNT networks exhibit a current carrying capacity of 2.04 × 107 A cm−2 and a conductivity of 31.67 kS m−1. Their current carrying capacity and conductivity are significantly improved compared with SWCNT. The Kelvin probe force microscopy measurements show a drop of surface potential energy after SWCNT filled with CuI, indicating that the CuI guest molecules regulate the position of the Fermi level of SWCNTs, increasing carrier concentration, achieving high conductivity and high current carrying capacity. This study offers ideas and solutions for the regulation of high-performance carbon tube networks, which hold great promise for future applications in carbon-based electronic devices. 相似文献
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The design, fabrication, and electrical characteristics of the 4H-SiC JBS diode with a breakdown voltage higher than 10 kV are presented. 60 floating guard rings have been used in the fabrication. Numerical simulations have been performed to select the doping level and thickness of the drift layer and the effectiveness of the edge termination technique. The n-type epilayer is 100 μm in thickness with a doping of 6 × 10^14 cm^-3. The on-state voltage was 2.7 V at JF = 13 A/cm^2. 相似文献
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Jinjun Ren Huafang Dong Heping Zeng Xiao Hu Congshan Zhu Jianrong Qiu 《Photonics Technology Letters, IEEE》2007,19(18):1395-1397
This letter reports the ultrabroadband infrared luminescence from 1000- to 1700-nm wavelength range and demonstrate optical amplification at the second optical communication window in a novel bismuth-doped germanosilicate glass. The full-width at half-maximum of the luminescence is about 300 nm and the optical gain is larger than 1.37 within the wavelength region from 1272 to 1348 nm with pump power 0.97 W. This material could be useful to fabricate ultrabroadband optical fiber amplifiers. 相似文献
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本文在输入、输出空间折射率不相等情况下,分析了对应于不同变换要求的几种高斯光束光学系统的分解方法,阐明各种分解形式的意义。同时,讨论了当给定系统输入、输出空间高斯光束参数时,系统如何实现的问题。 相似文献
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研制了稀土六硼化物单晶LaB_6、CeB_6、PrB_6和NdB_6电子探针分析标样。根据X-射线峰位表和实测的特征X-射线谱,考察分析了La、Ce、Pr和Nd元素谱线之间的干扰情况,发现分析谱线PrLα_1受到L_αLβ_1线严重的干扰。以混合稀土金属为试样,采用扣除谱线重叠强度的背底非对称测量等方法对L_n、Ce、Pr和Nd进行了电子探针定量分析,其结果与荧光X-射线光谱分析结果符合较好。 相似文献