亚硝酸钠刻蚀液对多晶硅表面陷阱坑形貌的影响

酸刻蚀多晶硅表面技术是当前太阳能研究的热点之一。利用亚硝酸钠比硝酸钠氧化能力弱的特点,在普通酸刻蚀液中用亚硝酸钠取代硝酸配制多晶硅表面刻蚀液,然后在相同的工艺条件下刻蚀多晶硅表面。实验样品的SEM显示:含有NaNO2酸刻蚀液使多晶硅表面能布满蚯蚓状的腐蚀坑,腐蚀坑的深度比传统的酸刻蚀的陷阱坑深,而且密度分布比较均匀,样品平均反射率下降到23.5%,与传统配方酸刻蚀液刻蚀的多晶硅表面相比,平均反射率下降了8%左右。     

人工智能技术研发实践与产品规划战略思考

人工智能技术在各个行业的应用均体现出爆发趋势,但是AI技术的性能局限同时约束着相关产品的应用场景。在感知方面,识别算法的准确率无法达到100%,召回率更低;在认知方面,知识难以100%覆盖业务场景,因此如何开展商业化应用就需要精心规划。本文首先介绍几项AI产品研发应用,并总结相关的经验和问题。在此基础上,按照面向任务关键应用(MCA)和非任务关键应用(NMCA)2个维度,针对4个应用类型(决策支持与增强、智能代理、决策自动化、智慧产品),围绕3类商业价值和2类应用假设,分析AI类应用产品的战略规划决策要素,为AI应用领域决策者提供帮助。     

基于整体变分模型的图像修复算法仿真实现

为了提高受损数字图像修复质量,将整体变分模型用于图像修复。采用Matlab编程工具对修复过程进行了仿真实现,克服了直接求解偏微分方程的困难。发现随着迭代次数的增加,被修复区域接近原图质量,当受损区域较小且受损区域灰度梯度不大时,看不出明显的修复痕迹。仿真实验结果表明,该算法复原图像的视觉质量好,算法收敛快,特别适合于线状裂痕的图像修补。     

基于FPGA的高速AD转换

在雷达设计中,需要对接收到的信号首先进行模数转换,其转换速度和准确性直接决定了之后FFT等运算的准确性,最终影响雷达测量精度。介绍了一种基于FPGA,利用芯片ADS7890实现一种快速14位串行AD转换,对系统的软件和硬件做了说明。硬件部分主要为ADS7890的基本外围电路以及芯片EP2C35F672C与其的控制连接,软件部分利用Quartus Ⅱ 8.0编程。     

Double RESURF nLDMOS功率器件的优化设计

基于漂移区表面具有单个P-top层Double RESURF nLDMOS的结构和耐压机理,提出了具有P-top层终端结构的Double RESURF nLDMOS结构,并通过利用SENTAURUS TSUPREM4和DEVICES软件进行优化设计。P-top层终端结构不仅降低了击穿电压对P-top层参数的敏感度,而且在漂移区引入一个附加的电场峰值,使漂移区电场分布进一步趋于平坦化。与传统Single RESURF和普通Double RESURF器件相对比,击穿电压可以分别提高约13.5%和4%,导通电阻却提高了11.8%和6%,但在满足击穿电压相等的条件下,该结构通过控制P-top层的位置和漂移区剂量可以使导通电阻降低约37%。     

高速超长距离光纤通信系统中的新型技术

给出了超长距离高速光纤通信系统的定义;介绍了高速超长距离光纤通信系统的特征;综述了高速光纤通信系统在光放大器、色散补偿、前向纠错等方面的最新技术.最后,论述了制订或修订相关国际标准的必要性.     

脉冲涡流热成像图像的BEMD提升小波阈值去噪

在脉冲涡流热成像检测中,有效抑制红外热图的噪声是最终提取特征量识别缺陷的关键环节之一.将提升小波阈值去噪的思想运用到二维经验模态分解(BEMD)中,提出了一种基于BEMD的提升小波阈值去噪方法.针对传统软、硬阈值法的局限性,引入包括带有可变因子的隶属函数的模糊阈值处理方法.将该方法运用于脉冲涡流热成像信号的实际消噪处理,实验结果表明,该方法与小波阈值去噪相比,去噪效果更明显,图像的细节特征更清晰.     

大功率白光LED封装技术的研究

详细分析了照明用大功率LED的封装技术,在大量实验的基础上,提出了一些具体的解决方案,设计了独特的封装结构.介绍了在色度稳定性与均匀性、改善散热条件等方面所作的探索,并对LED驱动电流和发光色温的关系进行了讨论.     

半导体晶圆制造中操作工数量的配置

对半导体制造中员工人数的配置问题进行了研究,提出了操作工人数的长期决策和短期决策两种情况,并用仿真模拟的方法对操作工数量需求进行动态研究,而非传统的静态模型.本文还对目前评价操作工绩效的指标进行了阐述,提出了在制品利用率作为评价指标.     

集成电容设计的逆向神经网络建模

结合人工神经网络和电磁仿真,给出了一种用于综合交指电容及Metal-Insulator-Metal(MIM)电容结构参数的方法。基于逆向神经网络,可有效地根据给定频点上的电容值快速准确地综合出其对应的结构参数,从而避免了反复优化的过程。同时,可以由训练好的神经网络参数得到结构参数相对于等效电容的闭式计算公式。数值结果验证了方法的正确性和有效性。