基于反射谱带宽展宽的FBG温度补偿压强传感

利用平面圆形膜片应变调谐的特点,采用膜盒式结构,将光纤Bragg光栅(FBG)沿径向贴于平面圆形膜片,利用反射波的带宽对压强敏感而对温度不敏感的特性解调压强,成功实现了温度补偿的压强传感测量.基于光谱分析仪(OSA)的0.05 nm分辨率,实验可得到测量系统的带宽随压强变化的灵敏度为0.28 nm/MPa,压强分辨率为±0.18 MPa,压强动态测量范围可达0.0～7.2 MPa.实验结果与理论分析相符.     

束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷

研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷，发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关。采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察，并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析。并设计了两个实验：其一，在CdTe／GaAs衬底上，低温下用Hg源照射20min，再在其上继续高温生长CdTe；其二，在CdTe／GaAs衬底上，一直用Hg源照射下高温生长CdTe。两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷，采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察，通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较，我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质。     

不同方法制备BiNbO4微波陶瓷的研究

研究了固相反应法和熔盐法两种制备方法对BiNbO4微波陶瓷的烧结温度、微观形貌、结构和介电性能的影响。实验表明:在添加CuO和V2O5分别为0.1%(质量分数)时,固相反应法在较低的烧结温度下可获得较致密的陶瓷样品,样品表面晶粒呈球状,品质因数与谐振频率的乘积即Q×f值较大,谐振频率温度系数为正值;熔盐法制得的陶瓷样品具有明显的各向异性,晶粒呈棒状,谐振频率温度系数随烧结温度的升高由正值向负值变化,在940℃烧结,介电常数为38,Q×f值为7781 GHz,谐振频率温度系数近零,为0.92×10-6/℃。两种方法制得的陶瓷样品在微波频段介电常数相近。     

印度卫星导航系统发展及现状研究

介绍了印度 GPS 辅助型静地轨道增强导航系统(GAGAN)和印度区域卫星导航系统(IRNSS)的最新研究进展,重点介绍了 IRNSS 系统的体系结构、信号样式和导航电文,分析了 IRNSS 系统的能力,最后介绍了印度导航系统的发展计划。     

新颖的双级双程输出C L波段高功率宽带光源

在分析了采用掺铒光纤(EDF)产生C波段和L波段光的基础上，进一步分析了双级双程结构实现C L波段宽带光源(BBS)的基本原理，优化设计后并通过实验用双级双程结构实现了高功率C L波段宽带放大的自发辐射(ASE)同时输出。其中，第1级采用双程前向可实现功率为19．2mW(12．93dBm)，平均波长为1552．823nm的C L(1520～1610nm之间)ASE输出；第1级采用双程后向可实现功率为21．13mW(13．25dBm)，平均波长为1552．925nm的C L(1524～1610nm之间)ASE输出，两级所用的光纤长度分别为7m(低浓度)和31m(高浓度)。对比分析两种结构输出光谱的抽运光利用效率、光滑平坦特性后，可得出第1级采用双程后向的双级双程是一种更为理想的实现C L波段高功率ASE输出的结构。     

DSP实现液晶显示图形的技术及应用

基于点阵液晶显示模块DMF50174在解调仪器系统中的应用．介绍了DSP芯片TMS320VC33与该模块的外置控制器SED1335之间的硬件组成和接口设计．采用移位置点法在液晶屏上任意位置显示点和直线，并介绍了DSP进行数据采集的硬件接口电路以及通过软件设计将输入的方波信号在液晶屏上显示．结果与示波器上显示的波形完全一致。     

单载荷航空吊舱目标定位方法研究

传统的无人机目标定位技术要求光电转台必须装配激光测距仪,因此光电转台至少是双装载.这使得转台体积和重量偏大,影响了飞机系统的续航时间、升限和时速,不适合挂装在小型无人机上.无人机航空吊舱采用惯导系统,GPS定位设备,舱体和光电转台固联的安装方式,消除了减振器带来的误差.对于平坦地势上的目标可以利用空间坐标系转换理论准确计算出目标在惯性空间中的三维坐标公式,同时结合飞机与地面的相对高度便可以算出飞机与目标点之间的斜距.再利用空间坐标变换的定位方法就能解算出目标GPS坐标.这种方法不依赖激光测距机和无线电测高仪,单载荷的航空吊舱也能实现对平坦地势地面目标的准确定位.减少了吊舱的体积和重量,为提高飞机系统整体性能奠定了良好的基础.     

Trimmer工艺参数对切割效果的影响

激光焊切机(Trimmer)是显示面板(TFT-LCD)工业中不可或缺的设备,其作用是利用激光束切除显示面板上的Shorting Bar结构。Trimmer切割效果对于后工段良率有很大影响,因此研究Trimmer的工艺参数对切割效果的影响对于提升产品良率具有重要意义。本工作首先通过实验探究激光单脉冲能量E、激光频率f、切割速度v、加工光斑沿切割方向的边长a等工艺参数对于某款165cm(65in)产品的切割效果的影响,然后深入分析了Trimmer的切割机理,提出了囊括所有工艺参数的变量"ε",然后通过实验给出了对于膜厚为0.45μm的Cu材质Shorting Bar,Trimmer激光单脉冲能量必须在7mJ以上,ε在400mJ/mm~2以上,Trimmer可以将Shorting Bar切除干净,并且得出ε与表征切割效果的参量ω之间的函数关系,证实了ε值对于切割效果的影响。     

HgCdTe分子束外延In掺杂研究

报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在～ 3× 10 1 5 cm- 3水平 .比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0℃温度下 In的扩散系数约为10 - 1 4 cm2 / s,并确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 n型掺杂剂的可用性和有效性 .     

分子束外延HgCdTe表面缺陷研究

采用GaAs作为衬底研究了HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷,借助SEM分析了不同缺陷的成核机制,确定了获得良好表面所需的最佳生长条件。发现HgCdTe外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关,获得的外延层表面缺陷（尺寸大于2μm）平均密度为300cm^-2,筛选合格率为65％。