全文获取类型
收费全文 | 46644篇 |
免费 | 4529篇 |
国内免费 | 1412篇 |
专业分类
电工技术 | 3445篇 |
技术理论 | 3篇 |
综合类 | 3545篇 |
化学工业 | 6891篇 |
金属工艺 | 2601篇 |
机械仪表 | 2895篇 |
建筑科学 | 3529篇 |
矿业工程 | 1335篇 |
能源动力 | 1316篇 |
轻工业 | 4005篇 |
水利工程 | 896篇 |
石油天然气 | 2330篇 |
武器工业 | 475篇 |
无线电 | 5690篇 |
一般工业技术 | 4885篇 |
冶金工业 | 1806篇 |
原子能技术 | 860篇 |
自动化技术 | 6078篇 |
出版年
2025年 | 286篇 |
2024年 | 1291篇 |
2023年 | 1175篇 |
2022年 | 1854篇 |
2021年 | 2315篇 |
2020年 | 1919篇 |
2019年 | 1624篇 |
2018年 | 1559篇 |
2017年 | 1642篇 |
2016年 | 1522篇 |
2015年 | 1928篇 |
2014年 | 2354篇 |
2013年 | 2595篇 |
2012年 | 2916篇 |
2011年 | 3028篇 |
2010年 | 2738篇 |
2009年 | 2639篇 |
2008年 | 2634篇 |
2007年 | 2436篇 |
2006年 | 2375篇 |
2005年 | 2026篇 |
2004年 | 1349篇 |
2003年 | 1260篇 |
2002年 | 1344篇 |
2001年 | 1191篇 |
2000年 | 947篇 |
1999年 | 787篇 |
1998年 | 472篇 |
1997年 | 472篇 |
1996年 | 429篇 |
1995年 | 293篇 |
1994年 | 273篇 |
1993年 | 204篇 |
1992年 | 196篇 |
1991年 | 110篇 |
1990年 | 84篇 |
1989年 | 80篇 |
1988年 | 64篇 |
1987年 | 44篇 |
1986年 | 30篇 |
1985年 | 17篇 |
1984年 | 19篇 |
1983年 | 14篇 |
1982年 | 13篇 |
1981年 | 9篇 |
1980年 | 12篇 |
1979年 | 5篇 |
1959年 | 6篇 |
1953年 | 1篇 |
1951年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
161.
162.
163.
Fuzhi Wang Qi Xu Zhan’ao Tan Deping Qian Yuqin Ding Liangjie Li Shusheng Li Yongfang Li 《Organic Electronics》2012,13(11):2429-2435
We demonstrate efficient inverted polymer solar cells (PSCs) based on poly(3-hexylthiophene) (P3HT) and [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM) by using solution-processed titanium(IV) oxide bis(2,4-pentanedionate) (TOPD) as electron collection layer (ECL) between the indium tin oxide (ITO) electrode and photoactive layer. The TOPD buffer layer was prepared by spin-coating isopropanol solution of TOPD on ITO and then baked at 140 °C for 5 min. The power conversion efficiency (PCE) of the inverted PSC with TOPD buffer layer reaches 4% under the illumination of AM1.5G, 100 mW/cm2, which is increased by 76% in comparison with that (2.27%) of the inverted device without TOPD ECL. The results indicate that TOPD is a promising electron collection layer for inverted PSCs. 相似文献
164.
随着器件尺寸的不断缩小,电路复杂度日益增加,电源已成为微处理器等需要精确供能的系统能否较快发展的主要制约因素之一.由于功耗是诸多不确定变量的函数,因此,芯片功率及宏功率分析最为准确的方法是基于制造过程和工作负荷变化的统计分析方法.与静态时序模型可以表示为一个线性规范化的高斯分布不同,统计分析是一个依赖于过程变量、工作量波动的复杂指数函数,这对统计能量分析是一个独特的挑战.提出了一种研究方法,通过研究开关电源的静态漏电功耗和动态功率统计分布,揭示宏功率分析与芯片功率分析的特征和相关性.实验结果表明,该方法对开关电源的研究是可行的. 相似文献
165.
锌(Zn)扩散是制作InP基光电探测器(PD)的重要工艺过程.分析了锌扩散的机制,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备对InP基PD及雪崩光电探测器(APD)材料进行了锌扩散,由于MOCVD设备具有精确的温度控制系统,所以该扩散工艺具有简单、均匀性好、重复性好的优点.对于扩散后的样品,采用电化学C-V方法和扫描电子显微镜(SEM)等测试分析手段,研究了退火、扩散温度、扩散源体积流量和反应室压力等主要工艺参数对InP材料扩散速率和载流子浓度的影响,并将该锌扩散工艺应用于InP基光电探测器和雪崩光电探测器的器件制作中,得到了优异的器件性能结果. 相似文献
166.
国产4H-SiC SI衬底MESFET外延生长及器件研制 总被引:2,自引:0,他引:2
以国产衬底实现SiC加工工艺链为目标,采用国产4H-SiC半绝缘衬底材料外延得到4H-SiC MESFET结构材料.外延片XRD半宽43.2 arcs,方块电阻121点均匀性18.39%,随后制备出的具有直流特性的4H-SiC MESFET器件管芯,器件总栅宽250 μm,饱和电流密度680 mA/mm,跨导约为20 mS/mm,在20 V下的栅漏截止漏电为10 μA,2 mA下栅漏击穿电压为80 V.比例占总数的70%以上.初步实现从衬底到外延,进而实现器件的完整工艺链,为进一步的工艺循环打下良好基础. 相似文献
167.
Quality-of-service provisioning and efficient resource utilization in CDMA cellular communications 总被引:1,自引:0,他引:1
Hai Jiang Weihua Zhuang Xuemin Shen Qi Bi 《Selected Areas in Communications, IEEE Journal on》2006,24(1):4-15
One of the major challenges in supporting multimedia services over Internet protocol (IP)-based code-division multiple-access (CDMA) wireless networks is the quality-of-service (QoS) provisioning with efficient resource utilization. Compared with the circuit-switched voice service in the second-generation CDMA systems (i.e., IS-95), heterogeneous multimedia applications in future IP-based CDMA networks require more complex QoS provisioning and more sophisticated management of the scarce radio resources. This paper provides an overview of the CDMA-related QoS provisioning techniques in the avenues of packet scheduling, power allocation, and network coordination, summarizes state-of-the-art research results, and identifies further research issues. 相似文献
168.
169.
Xiaofeng Duan Yongqing Huang Hui Huang Xiaomin Ren Qi Wang Yufeng Shang Xian Ye Shiwei Cai 《Lightwave Technology, Journal of》2009,27(21):4697-4702
A monolithically integrated photodetector array used for multiwavelength receiving was realized by growth of an InP-In0.53Ga0.47As-InP p-i-n structure on a GaAs/AlGaAs Fabry-Perot filter. The filter with a multistep cavity was fabricated by wet etching and regrowth. Each photodetector in the array detects a different wavelength, so the array functions as a multiwavelength receiver. The high-quality GaAs/InP heteroepitaxy was realized by employing a thin low temperature buffer layer. The photodetector array detects four wavelength channels, whose interval is about 10 nm , around 1550 nm. A full-width half-maximum less than 0.5 nm , a peak quantum efficiency over 15%, and a 3-dB bandwidth of 9 GHz were simultaneously obtained in the photo-detector array. 相似文献
170.