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11.
RELATIONSHIPOFTHEPROPERTIESOFHOT-PRESSINGC-BC_4-SiCCOMPOSITEWITHTHECONTENTOFADDITIVEAl¥Huang,Qizhong;Tan,Ping;Yang,Qiaoqin+;H?.. 相似文献
12.
本文研究了烧结助剂Ni对C-B_4C-SiC复合材料显微结构与性能的影响.X射线衍射表明Ni在烧结温度下与SiC,B_4C人发生反应在晶界生成Ni_(4.6)Si_2B,并产生液相,有效地促进了C-B_4C-SiC复合材料的烧结,抑制了晶粒的长大,使复合材料密度与强度大幅度地增加,电阻率下降;同时Ni_(4.6)Si_2B在氧化时生成致密的2NiO·B_2O_3,包裹了易氧化的B_4C和C,有效地防止了复合材料的氧化,从而大大提高了制品的抗氧化性能. 相似文献
13.
14.
金刚石涂层超精加工车刀的研制 总被引:8,自引:1,他引:8
使用热丝CVD法研究了金刚石涂层生长速度、晶粒大小和结合强度与生长工艺参数的关系,在此研究基础上,选择氮化硅材料作为刀具基底材料,并优化生长工艺参数,使热丝CVD法生长金刚石膜的速度提高到20μm/h,膜层平均晶粒度〈1μm,划痕临界载荷达到了50N,然后进行内应力消除及机械研磨、抛光,这样制成的超精加工刀具有来加工铝合金部件。被加工件的表面不平度〈0.1μm,光洁度达到了△↓12,加工光洁度与寿 相似文献
15.
16.
17.
18.
Secondary carbon nanotubes (CNTs) were grown on primary ones by simply changing the methane concentration. No additional catalyst was used throughout the whole deposition process. The CNT growth was carried out using hot filament chemical vapor deposition in a gas mixture of methane and hydrogen. The structure and surface morphology of the deposited CNTs were studied and the field emission properties of the CNTs were tested. It was found that synthesizing primary CNTs at extremely low methane concentration is the key for the secondary growth without additional catalyst. The CNT samples grown with secondary nanotubes exhibited improved field emission properties. 相似文献
19.
Bihong Shi Liqing Zeng Haolei Song Qiaoqin Shi Songgang Wu 《International journal of molecular sciences》2010,11(6):2373-2382
A lipase gene (atl) was cloned from Aspergillus tamarii FS132 for the first time. The gene was found to have an open reading frame of 1024 base pairs (bp), and the coding region of the gene contained two introns (51 bp and 52 bp). Multi-alignment analysis of the deduced amino acid sequence indicated high homology between the enzyme and mono-and diacylglycerol lipases from fungi Aspergillus. The recombinant lipase was expressed in Pichia pastoris GS115 cells. The recombinant lipase was found to have a molecular mass of 36.7 kDa, and it exhibited lipase activity of 20 U/mL in culture supernatant when tributyrin was used as the substrate. 相似文献
20.
SiC和SiC-WC复相陶瓷高温自润滑特性及其机理 总被引:1,自引:1,他引:1
研究了SiC和SiC-WC在真空中的自对偶高温摩擦性能。随着温度的升高,SiC/SiC的摩擦系数变化不大,比磨损率(自对偶体积磨损量与接触压力和摩擦路程之比)从20℃到800℃保持为4.0×10~(-8) mm~3/(N·mm)(模式Ⅰ),从800℃到1 200℃减少(模式Ⅱ),自对偶的高温磨损机理由轻微的粘着磨损控制,磨损由模式Ⅰ向模式Ⅱ转化,呈现出高温自润滑特性。SiC-WC/SiC-WC显示了较低的摩擦系数,直到1 200℃均不高于0.35,在1 000℃、0.4 MPa压力下自对偶的比磨损率仅为SiC/SiC的比磨损率的50%左右。在600℃SiC/SiC摩擦氧化明显,氧化物主要为无定形的SiO_2,在摩擦表面形成一层由微米或亚微米级无定形平滑薄膜层,这就是样品出现自润滑的机理。 相似文献