基于搜索算法的多点温度测量系统

可以使用多片1-wire总线器件DS18B20构成多点测温系统,因此,如何准确、有效地对每一温度传感器进行寻址成为该系统设计的一个核心问题。文中提出如下方案：首先分别读出探测单元有单个DS18B20的ROM序列号;然后将其存放在I^2C总线的EEPROM存储器AT24C16中,并将其编号贴在温度传感器表面,对于一个探测单元有多个不可分离的DS18B20的ROM序列号的读取,只有利用DS18B20特有的单线网络自动搜索功能得到;最后,将所有温度传感器接入温度测量网络,与AT24C16中已经存储的ROM号匹配,实现每片DS18B20的寻址和温度测量功能,将测量的温度值送LED（发光二极管）显示或者通过RS-485总线送计算机处理。     

微波辐射计对月面特征参数的遥感理论模拟

根据现有的多通道被动辐射计技术，讨论微波辐射遥感月壤月岩特征参数的几个问题。由半空间非均匀温度、介电廓线分布的耗散介质的月壤模型与WKB方法，计算了月壤的多通道微波辐射传输的权重函数与相应的穿透深度。提出模拟多层月壤月岩的多层密集粒子介质辐射传输的一种建模，在各有关参数条件下计算了各通道的多层月壤月岩辐射亮度温度。并以此结果为理论观测，讨论了月壤厚度等参数反演可予以实施的方法。     

利用MOVPE选区外延生长InGaAsP

研究了利用低压 MOVPE宽条 (15μm )选区外延生长 In Ga As P的性质 .研究了生长速率、厚度增强因子、带隙调制、组分调制随着生长条件如掩模宽度、生长压力、 族源流量的变化规律 ,给出了合理的解释 .同时研究了不同 / 比下选择性生长 In Ga As P表面尖角的性质.     

Dreamweaver UltraDev环境下实现数据库的动态链接

简要论述了如何在Dreamweaver UltraDev环境下实现对已有的Access或Excel数据库的动态链接的操作。在Dreamweaver UltraDev环境下，实现对企业、事业单位原有Access或Excel数据库的动态链接，可以在很短的时间内开发出符合单位实际情况的信息管理系统，并且可以使这类已经创建好的数据信息，不加任何修改地与外部进行交流，实现资源共享。将此系统以主页的形式链入Internet，可以实现开放式管理体系。     

结合小波变换与相位相关的图像匹配方法

图像匹配技术是图像测量系统中的关键技术,是目标定位中最基本的方法。相位相关作为一种图像匹配技术对噪声有较高的容忍程度,检测结果与照度无关,受几何失真影响小。但该方法对旋转变化非常敏感。为解决此问题,本文提出结合小波变换和相位相关的匹配算法,该算法首先对图像进行小波分解,并对结果中的近似信号进行空域旋转校正;然后利用相位相关方法进行图像匹配,从而达到快速精确的定位。该方法在掌纹图像匹配定位中的应用证明了它的有效性。     

VOD在有线电视网的实现

从视频点播系统的结构及组成和在有线电视网络中VOD系统的结构模式与应用两个方面，详细地阐述了如何利用有线电视网络实现视频点播，主要从以下3个方面介绍关于视频点播系统VOD技术：①视频点播VOD的技术原理；②视频点播系统的结构及组成；③有线电视视频点播系统的结构模式与应用。     

实用型多路输出直流稳压电源的设计与制作

本文介绍了一款可以输出±12V、±5V、3.3V多路电压的直流稳压电源,说明了该电源的设计方法、仿真效果和制作要点,并介绍了测试方法。为制作小型的多路输出直流稳压电源提供参考,也可用本文的方法制作可调输出电压的稳压电源。     

85℃3000小时系列焊片式铝电解电容器的开发研究

该次试验的目的是为了开发出85℃3000小时这种新的系列的焊片式铝电解电容器。为此,对该系列选取了最小电压200V的小容量和大容量,及最大电压450V的小容量和大容量的产品分别进行了设计和开发。开发过程中对阳极箔,阴极箔,电解纸,电解液等原材料进行了分析比较,并将四种设计分别做成产品并测试最薄弱的环节85℃3000小时的纹波电流试验,结果表明该系列的设计能很好地满足电性能要求。     

一种汉字报文的数值加密方法

针对汉字信息在公共信道传递的保密要求，研究了汉字在计算机内部的区位码表示形式，提出在信息加密中汉字对用区位码数值进行处理，研究设计了汉字区位码数值加密方式的一种方法，对加密的强度进行了简单分析，并给出了汉字的加密解密流程图和C语言的加密解密程序。     

宽带隙ZnMgO的电学特性及其透明薄膜场效应晶体管

首次提出了用六方相晶体结构的宽带隙ZnMgO作为薄膜场效应晶体管（TFT）的沟道层，用立方相ZnMgO纳米晶体薄膜作为栅绝缘层，在实验中用透明的ITO导电玻璃作为衬底，通过连续沉积六方和立方相结构的纳米ZnMgO晶体薄膜，并通过光刻、电极工艺等，研制了透明的ZnO基TFT, TFT的电流开关比达到1E4，场效应迁移率为0.6cm2/(V·s).在偏压2.5MV/cm下漏电流为1E-8A.