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601.
针对单晶SiC化学机械抛光使用的抛光液,研究了产生芬顿反应Fe、FeO、Fe2O3、Fe3O4等4种铁系固相催化剂的效果。结果发现当Fe3O4作为催化剂时,SiC表面能够产生明显的化学反应,生成较软易去除的SiO2氧化层,化学机械抛光时材料去除率最高达到17.2 mg/h、表面粗糙度最低达到Ra2.5 nm。相比Fe、FeO、Fe2O3等固相催化剂,Fe3O4更适宜用作SiC的化学机械抛光。抛光液中Fe2+离子浓度和稳定性是决定芬顿反应速率和稳定性的重要因素,固相催化剂电离自由Fe2+能力的差异直接影响了化学抛光液中的Fe2+浓度,固相催化剂电离Fe2+的能力越强,抛光液中Fe2+浓度就越高,芬顿反应速率越快,与SiC进行化学反应速度越快,材料去除率越高,抛光质量越好。 相似文献
602.
603.
为实现磷化铟高质量表面的绿色加工,使用动态磁场集群磁流变抛光对单晶磷化铟进行正交抛光实验,研究各工艺参数(抛光盘转速、工件转速、磁极转速和偏摆速度)对抛光速率及抛光表面粗糙度的影响。利用回归分析法建立反映材料去除率及表面粗糙度与抛光工艺参数关系的回归方程。结果显示:在抛光工艺参数中,工件转速对材料去除率影响最大,偏摆速度影响最小;对表面粗糙度影响最大的是抛光盘转速,磁极转速影响最小;在优化工艺参数(抛光盘转速40 r/min、工件转速500 r/min、磁极转速30 r/min、偏摆速度200 mm/min)下对单晶磷化铟抛光3 h后,表面粗糙度由Ra33 nm降至Ra 0.35 nm,材料去除率为2.5 μm/h,表明采用动态集群磁流变抛光的方法加工单晶磷化铟,可以得到高质量加工表面;建立的材料去除率及表面粗糙度回归模型,拟合优度判定系数分别为0.984 2和0.937,表明利用回归分析法建立的磷化铟磁流变抛光的材料去除率及表面粗糙度回归模型,能够有效地预测磷化铟集群磁流变抛光效果。 相似文献
604.
605.
搭建杂散电流腐蚀实验台,制作锚杆试件,模拟地铁杂散电流对锚杆试件进行腐蚀。采集极化电位数据,对腐蚀后的试件进行长度,质量,直径测量以及拉伸破断实验。结果表明,所模拟的杂散电流对锚杆造成了电化学腐蚀;极化电位与电压输出呈现较好的一致性;锚杆中螺纹钢的抗腐蚀性弱于钢绞线且其力学性能出现明显的下降。 相似文献
606.