基于A*算法的条件道路选择探究

针对目前GPS系统只能设置起点和终点进行路径搜索的问题,文章对A*算法进行改进,为路径搜索功能添加用户期望途径点,令得到的最优路线途经用户的指定地点。改进算法对原本的启发式函数进行调整,加入期望值概念和当前点与途经点的欧氏距离,并将是否通过途径点作为判断条件。结果表明,改进算法可以成功执行,为GPS系统开拓新的功能。     

核电厂指套管磨损涡流检查深度定量的影响因素研究

The result of the eddy current inspection for the thimble tube of a nuclear reactor neutron flux measurement system is the reference for the nuclear power plant to take maintenance actions. Based on the currently-used eddy current inspection method, the effect of the parameter variation of the tube defect on the depth quantification is analyzed. The results show that when the angle of the defect circumferential is less than 210°, it has a greater effect on the eddy current measurement depth quantification and when the defect length is less than 20mm, the effect of the defect depth quantification is obviously. The measurement depth in the eddy current of the crescent-type defect is smaller than the design depth. When the circumferential position of two defects is constant, the overlapped defect has no effect on the measurement, but the overlapped defect will have serious influence for the measurement result if the circumferential position of the two defects changes.     

曲线型阶梯溢流坝坝面掺气发生点位置的确定

 曲线型阶梯溢流坝坝面形成掺气水流，是阶梯溢流坝具有较高消能率的重要原因之一，故掺气初生点位置的确定，对阶梯尺寸的选择有重要的影响。根据在大型钢架玻璃水槽中，对4种不同阶梯尺寸的曲线型阶梯溢流坝系统试验结果，分析了坝面掺气的机理，给出了确定坝面掺气初生点位置的计算公式及曲线。     

纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展

MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。     

不同界面层对HfTaON栅介质MOS特性的影响

采用磁控溅射方法,在Si衬底上制备HfTaON高k栅介质,研究了AlON、HfON、TaON不同界面层对MOS器件电特性的影响。结果表明,HfTaON/AlON叠层栅介质结构由于在AlON界面层附近形成一种Hf-Al-O"熵稳定"的亚稳态结构,且AlON具有较高的结晶温度、与Si接触有好的界面特性等,使制备的MOS器件表现出优良的电性能:低的界面态密度、低的栅极漏电、高的可靠性以及高的等效k值(21.2)。此外,N元素的加入可以抑制Hf和Ta的扩散,有效抑制界面态的产生,并使器件具有优良的抵抗高场应力的能力。     

基于移动代理的网格服务研究

首先通过对网格计算和Web服务的讨论,得出了网格和Web服务融合的结论;然后引入移动代理,进一步扩展网格服务。     

光折变多量子阱的电吸收栅和电折变栅

在光折变多量子阱中，通过Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ效应可写入电吸收栅和电折变栅。基于二波耦合理论，精确求解了由这两种光栅引起的光强耦合方程，近似计算了Ｒａｍａｎ－Ｎａｔｈ高阶衍射光强。     

PDP荧光粉的研究进展及存在问题

综述了目前研究和使用的PDP荧光粉的类型和制备过程,介绍了PDP荧光粉的表征方法、设备和荧光粉的性能,最后指出了PDP荧光粉中存在的问题.     

振动基座下的平台漂移运动建模与仿真研究

文中引进了一个描述基座受阵风影响而产生振动的数学模型,并详细推导了在这种振动干扰下的平台漂移运动方程及误差模型,将传感器输出值与振动干扰建立关系,为振动基座下平台精确标定提供了理论依据.同时还用VC＋＋建立了仿真系统,分析了振动对平台漂移、平台误差角及传感器输出值的影响.     

一种新的Halo掺杂圆柱围栅MOSFET阈值电压解析模型

通过在圆柱坐标系中精确求解泊松方程,建立了全新的Halo掺杂圆柱围栅MOSFET静电势,电场以及阈值电压的解析模型。与采用抛物线电势近似法得到的解析模型相比,当沟道半径远大于氧化层厚度时,新模型更为精确。模型还考虑了Halo区掺杂浓度、氧化层厚度以及沟道半径对器件阈值电压特性的影响。结果表明,采用中等程度的halo区掺杂浓度、较薄的栅氧化层以及较小的沟道半径可以有效改善器件的阈值电压特性。解析模型与三维数值模拟软件ISE所得结果高度吻合。