大空域机动巡航导弹的模糊PID控制器设计

针对大空域机动巡航导弹下降转平飞过程中出现的强非线性特点．在俯仰通道设计了模糊PID双模控制方案。以高度误差和该误差变化量为输入．以高度误差为阀限．在高度误差较大时采用响应迅速的模糊控制器．较小时采用稳态精度较高的PID控制器。最后通过仿真表明通过该方案所控制的弹道符合方案弹道．满足设计指标要求。     

压阻式硅微加速度传感器的结构设计与仿真

一般的压阻式硅微加速度传感器结构多采用单梁加质量块的形式,这种形式的传感器灵敏度比较高,但它的横向效应较难克服,文中提出一种四梁结构的加速度传感器,通过仿真计算,说明该结构的加速度传感器具有良好的综合特性.     

非晶金刚石离子镀膜机自动化控制系统的设计

结合非晶金刚石离子镀膜机的工艺特点和要求,介绍了一种成功应用的分布式控制系统的设计,重点讨论了控制系统的硬件配置、软件设计、通信服务程序以及软件编程中的几个控制算法.     

盘山闸扩建工程水工模型试验研究

辽河干流堤防安全泄量为5000m3/s,盘锦城市防洪工程竣工后,其安全泄量为6800m3/s。而盘山闸的设计泄流能力仅为3000m3/s。通过本模型试验研究进一步确定扩建工程方案的合理性。     

Organizational Behavior Research in Transition Time of China

The article is to introduce author's research results in recent years in the field of leadership behavior. The main researches conducted in this field include competency model of senior executives in communication industry and family firms; transformational leadership and its relationship with leadership effectiveness, the impact of supervisor's feedback on employees' behavior and the cross-culture study of supervisor's feedback. Theoretical and practical contributions of these researches are explained. Directions for future research are discussed.     

三叶状钒催化剂的研制

介绍了三叶状钒催化剂的研制。工业宏观活性评价和通气测试表明，三叶状催化剂性能优良，其床层压力降介于圆柱状和环状催化剂之间，为圆柱状催化剂的70％左右。在相同的转化条件下，相对于环状催化剂，三叶状催化剂的装填量可减少16．7％。     

镁质瓷泥浆流变性能的改进

滑石质瓷是一种高性能瓷的材料，但由于其泥浆的稠化性及泥料塑性差，阻碍了滑石质瓷的大量生产。实验表明：引入长石作助熔剂并加入适量粘土，可以改进泥料塑性及泥浆流变性能，使烧成变形度小，机械强度提高，能较好地满足制品成型的工艺要求。实验中设计了多组配料，分析比较烧后试样的性能测试结果，确定最佳配方及烧结温度。     

V_2O_5催化剂上甲醇乙醇一步合成醛类化合物的研究

在固定床反应器上研究了V2O5催化剂上甲醇、乙醇一步催化合成异丁醛等醛类化合物的反应。当反应在常压、350℃、进料比n(甲醇)/n(乙醇)=2、空速2.0h-1条件下进行时,乙醇转化率为89.05%,总醛产率达87.3%,其中异丁醛、乙醛、丙醛产率分别为16.71%、52.03%、18.56%,其余为丙醇、甲醛等化合物。当空速降为为0.5h-1时,乙醇转化率达到97.04%,异丁醛产率达29.07%,但总醛收率降为69.6%。该反应系统的反应历程被探讨。     

钢板侵彻过载的三维数值模拟

利用LS—DYNA有限元程序，用弹塑性模型建立材料模型，对高速弹丸侵彻均质钢板问题进行了数值模拟，并与测试结果进行了比较，说明了有限元分析的有效性，为引信设计提供参考。     

P-channel Ge/Si Hetero-nanocrystal Based MOSFET Memory

The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI.