混合流水车间调度的变邻域禁忌搜索算法

针对混合流水车间系统的最小化Makespan调度问题,提出一种基于关键路径理论的变邻域禁忌搜索算法,讨论其关键技术。在该算法中,提出基于关键路径的毗邻域概念,防止搜索算法陷入局部最优解,采用变邻域搜索策略,在无法改进解时,实现对移动毗邻域的搜索。仿真结果表明,该算法获得的调度结果优于简化禁忌搜索和启发式算法。     

基于最小生成树聚类的中文版面分割法

针对中文版面多横竖混排的特点,提出一种基于最小生成树聚类的版面分割方法。对原图像进行水平和垂直游程平滑,并对平滑后所得的连通域进行预分类处理,将文本进行横排、竖排分类。对预分类后的各类文本采用最小生成树聚类算法进行聚类处理。经实验,准确率达97%。实验表明,该方法对中文文档有良好的分割效果。     

网络随机延时的双端协同拥塞控制策略

针对ABR业务流在传输过程中存在随机延时导致网络节点不能得到平稳控制的问题,提出一种网络源端和节点端同时参与控制的双端协同拥塞控制策略。OPNET网络仿真环境下的试验结果表明,该控制策略能够有效地克服随机延时对信息传输的影响,实现节点队列长度的有效平稳控制,降低节点端信元的丢弃概率,改善网络服务质量和传输效率。     

非结构化P2P网络搜索算法的研究与改进

针对P2P软件搜索效率不高、网络带宽消耗大的问题,结合子网掩码技术,提出基于物理位置的网络拓扑结构,并介绍一种基于学习的定向查询资源搜索算法(D-Searching)。该算法通过在终端节点上引入路由索引表来存储最新的资源信息与热点信息。仿真结果表明,D-Searching搜索算法在消息数、平均跳数、查询效率等方面都有较大提高。     

基于顶层本体的电子对抗领域本体构建方法

针对大型领域本体的可扩展问题,提出一种基于顶层本体的领域本体构建方法MBECO。通过最大范围地继承顶层本体框架,构建规范化的传感器领域、信息对抗领域、指挥控制领域等子领域本体模型,并将其嫁接入顶层本体,在顶层本体框架下进行子领域本体的集成,构建语义本体ECSON。实例表明,该方法将为系统级的分布式电子对抗仿真提供完善的战场空间本体。     

面向航空电子的分区操作系统

伴随新一代航空电子的综合化趋势,机载软件对机载操作系统提出新的要求.通过管理系统的软硬件资源,包括内存、CPU、通信等,机载操作系统将各类机载软件融合在同一个CPU上,实现综合化.该文给出一种面向航空电子的分区操作系统的实现框架,支持二级调度,对于各类机载软件实施分区调度,并且分区的运行互不干扰,保证了分区的安全性.     

基于Protopas的自动柜台机仿真

_{通过对国内外已有的仿真软件的调查研究,发现用于模拟和仿真金融自助设备硬件的软件并不常见。该文提出用软件模拟仿真硬件的解决方案,设计和实现一个基于金融自助设备应用开发平台Protopas的自动柜台机仿真系统。该系统使上层应用软件开发人员避免了复杂的硬件操作,有效地加快ATMC项目开发的速度,降低软件开发的成本。}     

模块液体冷却技术及其应用与分析

随着电子技术的迅速发展,电子元器件的总功率密度大幅度增长而物理尺寸却越来越小,而且高温的温度环境会影响电子元器件的性能.有效解决电子元器件的散热问题已成为当前电子元器件和电子设备制造的关键技术,液体冷却技术可在一定程度上适应高热流密度的散热要求.针对模块上电子元器件的液冷问题,该文综述液体冷却的特点,设计不同通道形式的冷板,并进行适当的应用分析.     

宽带无线移动接入网络中的切换方法

IEEE 802.16e是一种提供用户宽带无线移动接入的新技术。该文针对宽带无线移动通信的特点,在分析IEEE802.16e切换过程的基础上提出一种满足网络服务质量要求并可以在实际系统中工作的切换算法。解决切换中的两个主要问题：切换触发和目标选择。理论分析表明,该算法能够在保证MS良好移动性的同时满足网络中各业务对服务质量的要求。     

Challenges of 22 nm and beyond CMOS technology

It is predicted that CMOS technology will probably enter into 22 nm node around 2012. Scaling of CMOS logic technology from 32 to 22 nm node meets more critical issues and needs some significant changes of the technology, as well as integration of the advanced processes. This paper will review the key processing technologies which can be potentially integrated into 22 nm and beyond technology nodes, including double patterning technology with high NA water immersion lithography and EUV lithography, new devi...