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991.
采用离子交换色谱分离技术将辽河油田杜 -84稠油按化学官能团分为酸性分、碱性分、两性分和中性分 ,同时按极性分离得到胶质和沥青质组分。用元素分析、红外光谱、相对分子质量及酸碱值测定等手段对各组分进行了分析鉴定。又测定了各组分模拟油溶液的油水界面粘度 (IFV) ,考察了油相芳香度、水相 p H值等因素对油水界面粘度的影响。结果表明 ,酸性分和碱性分具有较高的油水界面粘度 ,尤其在水相碱性条件下 ,酸性分的油水界面粘度最高 (p H=1 2时达 0 .1 2 m N· s/m) ,两性分和中性分的油水界面粘度较低 ;沥青质的油水界面粘度明显高于胶质。酸性分的油水界面粘度一般随油相芳香度增大而增大 ,而碱性分油水界面粘度随油相芳香度增大而明显减小 ,两性分和中性分的油水界面粘度随油相芳香度的变化不大。酸性条件下 ,碱性分具有较高的油水界面粘度 ;碱性条件 (p H=1 1以上 )下 ,酸性分具有很高的油水界面粘度。水相碱性条件下稠油中的活性组分主要是官能团组分的酸性分或极性组分的沥青质。油相高芳香度和水相碱性条件有利于 O/W型超稠油乳状液的稳定。官能团组分更能揭示稠油中界面活性组分的内在本质 相似文献
992.
博兴洼陷沙四上亚段高精度层序格架研究 总被引:3,自引:0,他引:3
博兴洼陷下第三系沙四上亚段滩坝砂体十分发育,主要是一套砂泥岩的薄互层,横向变化快,在地震剖面上难以识别和描述,用常规的地质研究方法难以预测砂体的分布趋势。本文应用高精度层序地层学的原理和方法,通过测井、岩心资料的综合分析,重点对沙四上亚段进行了高精度层序地层划分,共识别出了5个具有等时意义的水进面(四级层序界面),建立了洼陷内沙四上亚段的四级层序格架,在四级层序格架基础上进行了沉积体系分析,并对层序发育的控制因素进行了探讨。本研究对洼陷内隐蔽油气藏的进一步勘探具有重要的指导意义。 相似文献
993.
994.
995.
996.
电力系统在经受小扰动后能稳定运行的前提是其全部特征值实部小于给定值且每个特征值对应的阻尼因子大于给定常数,满足上述条件时系统所能承受的最大时滞为其实用时滞稳定裕度(PDM)。文中给出一种追踪PDM曲线的有效方法,它将PDM满足条件转换为一组优化问题的约束,从PDM曲线上任何一点出发,通过预测和校正过程,实现对整个PDM曲线的准确追踪。利用3机9节点系统验证了该方法的有效性。 相似文献
997.
低渗透储层应力敏感性定量解释研究 总被引:15,自引:1,他引:15
对致密及发育微裂缝、裂缝的低渗透岩心应力敏感性进行了实验;采用不等径迂曲毛管束模型,通过弹性力学原理对粗、细毛细管变形量的计算,研究了单毛细管和多孔介质应力敏感性定量表征关系,并通过有效毛细管半径分数探讨了低渗透储层应力敏感性的作用机制。研究表明,低渗透储层的应力敏感性主要表现为渗透率的应力敏感性,低、中高渗透率储层在应力敏感性上的差异与微观孔隙结构、固液界面作用力和启动压力梯度效应等密切相关,且这种差异性集中体现为有效毛细管半径分数的不同。考虑有效毛细管半径分数的多孔介质应力敏感性量化模型可以从应力敏感性微观作用机制角度解释低渗透储层与中高渗透率储层在应力敏感性上的差异。 相似文献
998.
海上油田注海水开发,注入水与地层水的不配伍常导致油井硫酸盐结垢现象严重。为有效延长防垢剂挤
注寿命,在前置液中添加吸附增强剂,以提高防垢剂在地层中的吸附量和降低防垢剂解吸速度。选择季铵盐表
面活性剂十二烷基三甲基氯化铵(DTAC)和阳离子Gemini 表面活性剂酰胺基双子季铵盐(GS-A6)为吸附增强
剂、聚丙烯酸钠(PAAS)为防垢剂,开展了吸附增强剂与防垢剂的配伍性实验、静态吸附实验和动态吸附-解吸实
验。结果表明,在120 ℃下,两种吸附增强剂与防垢剂的配伍性良好,可提高防垢剂在地层中的吸附量至3 倍以
上。当含油饱和度从0 增至80%时,DTAC 预处理岩心后,PAAS 的返排寿命从1500 PV 降至约1300 PV;而
GS-A6 在不同浓度、不同含油饱和度情况下,返排寿命均超过1500 PV,适用于不同开发阶段的油井防垢。与
DTAC相比,GS-A6具有临界胶束浓度低、表面活性高的优点,延长防垢剂挤注寿命和驱油效果更好。 相似文献
999.
MOCVD法外延生长GaN基材料作为新世纪的核心技术之一受到全世界的高度重视。MOCVD技术涉及面广,控制对象复杂,且对控制对象的精度、重复性、可靠性要求较高。主要介绍了用于GaN基材料生长的生产型MOCVD(2″×6)设备控制系统的组成与特点。设备运行一年来的结果表明,该系统可靠性高、抗干扰性好、运行效果良好。 相似文献
1000.
InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展 总被引:3,自引:2,他引:3
研制出光谱响应为0.9~1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件.焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装.光敏芯片在Inp/InGaAs/InP(p-i-n)双异质结外延材料上采用台面结构实现,并与128×1或512×1元CTIA结构的读出电路耦合.焦平面器件置于双列直插金属管壳中,采用平行缝焊的方式进行封装.介绍了高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果,为更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础. 相似文献