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41.
CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究 总被引:5,自引:0,他引:5
闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(多子环/少子环)作用的分析,以及各种保护结构的模拟基础之上,通过对比触发电压和电流,得到一种最优的抗Latch up版图设计方法,通过进一步的流片、测试,解决了芯片中的闩锁失效问题,验证了这种结构的有效性。 相似文献
42.
43.
建立企业内部网站是现代信息化技术提高企业管理水平的有效途径.从企业的需求与目的出发,设计开发了高效、实用、庄重大方的企业网站. 相似文献
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47.
48.
基于Pro/Engineer二次开发的应用系统一旦完成,如果要扩展其功能,一般需要修改该系统代码,并重新进行编译。本文利用Windows初始化文件(INI)设置相关参数,在二次开发的系统中添加新的用户自定义特征(UDF),实现了一种方便而有效地扩展该系统功能的方法。 相似文献
49.
研究了(Ba1-xSrx)(Zn1/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷温度系数的非线性变化以及异常的原因。根据CM公式,随着系统中Sr(Zn1/3Nb2/3)O3的增多,τc的异常是由于氧八面体的畸变导致的相转变(对称性降低)所造成的(晶体结构由无序立方相向有序赝立方相的连续变化)。相转变的发生相应影响了极化以及极化模式,这是造成τc异常的根本原因。 相似文献
50.
坨五站中间乳化层快速增长原因及治理方案 总被引:1,自引:0,他引:1
胜利采油厂坨五站高含水(95%)原油化学预脱水中,二级沉降罐内油水相之间的中间乳化层增长迅速,引起了一系列问题。现场调查和大量室内测试结果表明,产生这一现象的原因有:油溶性破乳剂WD-1加入点不合理。有2/3的含水原油在通过油水分离器之后才与破乳剂混合;二级沉降罐进油口伸入油相内,油流的冲击达不到中间层;WD-1对坨五站混合原油中的稠油破乳脱水性能欠佳,不能适应坨五站混合原油组成和含水的变化。针对上述各种原因筛选出了性能更好的一种破乳剂1916。根据确定的几种原因采取了相应的措施:将破乳剂加入点改在3个并联油水分离器之前;将二级沉降罐的进油口移到水相内;改用筛选出的破乳剂1916,结果使中间乳化层的增长受到了抑制。图2表4参2。 相似文献