移动运营商手机游戏业务的战略定位和发展策略探讨

分析了韩国、日本及国内运营商手机游戏业务的发展状况．探讨了手机游戏业务的模式．论述了该业务的战略定位和市场前景。从地区提供给移动通信市场对外部环境、产业链的准备是否充分以及运营商内部的资源和运营状况等三个方面阐明了手机游戏业务发展的关键因素。     

SCB火工品的研究与发展

文章评述了半导体桥火工品问世以来的研究成果与发展趋势。主要内容有半导体桥作用机理、半导体桥的结构与封装、半导体桥火工品的特点、半导体桥火工品的应用、半导体桥火工品的研究和发展趋势。     

低密度微泡沫压井液的研究与应用

吐哈油田部分区块地层压力系数小于0.9,常规水基压井液对储层伤害大,若使用油基压井液成本高,环境污染严重。通过实验优选出了一种低密度水基微泡沫压井液。该压井液具有密度低、泡沫强度高、稳定性好、携砂能力强等优点。现场应用表明,低密度微泡沫压井液稳定时间大于48 h,密度在0.70~0.99 g/cm3之间可调,抗油污染能力强,抗油大于8%,抗温在100℃以上,岩心污染后渗透率恢复值大于80%;并且施工方便,成本低,具有储层保护能力,使用微泡沫压井液的井表皮系数在0.20~2.34之间。     

煤矿生产、安全调度LED电子大屏幕显示系统的设计

通过比较煤矿生产、安全调度显示方式的优缺点，提出和分析了适合于煤矿生产安全调度的ＬＥＤ电子大屏幕显示系统配置、功能及特点。     

LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究

研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度及引入的串联电阻进行了优化设计。     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

UHF频段卫星移动通信系统若干问题的探讨

本文根据我国陆海空移动用户的需求与特点，借鉴国外经验，提出了建设ＵＨＦ频段卫星移动通信系统的建议；对照已建成的Ｃ波段卫星固定通信系统，分析了其优缺点；最后深入探讨了应用中的若干技术问题。     

Grain Boundary Sliding in Fatigue of Pure Aluminum

The distributions of plastic strain near grain boundaries induced by fatigue loading were investigatedby the fiducial grid method in pure aluminum specimens, and the resulted grain boundary sliding(GBS) was systematically analysed. The results show that the strain field near a grain boundary isnonuniform. GBS is restricted by the junction of grain boundaries and causes discontinuities of bothdisplacement and strain. A peak value of shear strain was created in short-range area across the grainboundary. GBS plays an important role in cyclic softening and secondary hardening. The control fac-tor of GBS is the relative orientation between two grains and the macro orientation of the grainboundary rather than the ∑ value of the boundary.     

混合Hermite-Lagrange插值之同时逼近

对于(-1,1)中的结点组{X_k}_(k=1)~n,记l_k(x)为相应的Lagrange插值基本多项式,又记A_n=‖∑(2-x~2-x_k~2)(1-x_k~2)~-1丨l_k(x)‖。对于f∈C_([-1,1)~q与r=[q+2/2],本文证明满足条件H_n(f,x_k)=f(x_k)(k=1,2,…,n),H_n~(s)(f,±1)=f~(s)(±1)(s=0,1,…,n-1)的n+2r-1次代数多项式H_n(f,x)有逼近性质H_n~(s)(f,x)-f~(s)(x)=(?)其中δ_n(x)=n~(-1)(1-x~2)~(1/2),△_n(x)=δ_n(x)+n~(-2).作为证明的重要工具,本文还对n次代数多项式P_n(x),建立了另一形式的Bernstein不等武:若 P_n(x)=O(1)δ_n~q(x)ω(δ_n(x)),则p_n~(S)(X)=O(1)δ_n~(q-2S)(X)ω(δ_n(X))△_n~s(X)。