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21.
索风营水电站大坝为碾压混凝土重力坝,最大坝高115.8 m,因受F1和F13等区域性断层影响,坝基岩体弱风化较深,相应坝基挖深较大。为此,施工期通过地质分析与物探测试工作,对坝基进行了优化,使坝基总体少挖了6~8 m深,取得了较为成功的效果。本文在介绍了索风营水电站坝基优化中的地质认识之外,并对坝基存在的主要工程地质问题及工程处理进行了分析、总结。 相似文献
22.
基于子波变换的涡街流量传感器信号分析 总被引:6,自引:0,他引:6
长期以来 ,如何提取潜在噪声下的涡街流量信号一直是个问题。流体流速脉动 ,局部阻力 ,随机振动———所有这些因素都给解决这一问题带来难度。文章应用子波变换消噪理论 ,从软件滤波的角度分析了强噪声干扰下的涡街流量信号 ,并提出了单支重构计数方法。分析结果表明 ,这种方法对低流速流量计量效果很好 ,能够有效地扩展量程下限 相似文献
23.
设计了一种基于竞争终端个数和跳数的公平性优化机制通过调整MeshAP的协议参数来改善不同跳数间竞争终端的公平性,同时,根据同一MeshAP下竞争终端的个数,按照预先设定的区间,动态调整其下各终端的协议参数,从而在改善系统传输性能的同时,进一步优化不同跳数间竞争终端的公平性.给出了这一机制的详细实现步骤,并利用ns2,对这一新的机制在各种场景下进行了大量的仿真实验.相关实验结果验证了这一优化机制不仅算法简单,系统开销小,适合于复杂多变的无线环境,而且能够根据竞争终端个数动态对无线系统中不同跳数下的竞争终端的公平性进行整体的优化. 相似文献
24.
数字下变频器GC1012B原理及配置方法 总被引:1,自引:0,他引:1
数字下变频技术是软件无线电的一项核心技术,其性能的好坏直接影响数字接收机的精度。GC1012B是美国TI公司推出的新型数字下变频器。文中从GC1012B的结构特点和内部功能框图出发,分析其工作原理,并介绍GC1012B几个主要寄存器的配置方法,从而实现对频率、滤波模式、增益大小等参数的设置。最后给出了一个具体配置实例作为参考。 相似文献
25.
26.
27.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
28.
29.
Bimolecular hydrogen transfer and skeletal isomerization the important secondary reac-tions among catalytic cracking reactions,which affect product yield distribution and product quality,Catalyst properties and operating parameters have great impact on bimolecular hydrogen transfer and skeletal isomerization reactions .Bimolecular hydrogen transfer activity and skeletal isomrization activity of USY-containing catalysts are higher thn that of ZSM-5-containing catalyst.Coke deposition on the active sites of catalyst may suppress bimolecular hydrogen transfer activity and skeletal isomer-ization activity of catlys in different degrees.Short raction time causes a decrease of hydrogen trans-fer reaction,but and increase of skeletal isomerization reaction compared to cracking reaction in catalytic cracking process. 相似文献
30.
Liang Y.C. Wenjiang Zeng Pick Hong Ong Zhaoxia Gao Jun Cai Balasubramanian N. 《Electron Device Letters, IEEE》2002,23(12):700-703
In this letter, a concise process technology is proposed for the first time to enable the fabrication of good quality three-dimensional (3-D) suspended radio frequency (RF) micro-inductors on bulk silicon, without utilizing the lithography process on sidewall and trench-bottom patterning. Samples were fabricated to demonstrate the applicability of the proposed process technology. 相似文献