新一代银行大型机网络接入技术研究

银行大型机网络接入技术的转型是当前一个非常重要的研究与应用课题。文章在成功实现银行大型机网络接入技术转型的基础上,分析了相关新技术,解决了转型中的关键问题,提出并实现了一种稳定高效的银行大型机网络接入技术方案,对银行大型机网络接入技术的转型具有指导意义,对银行信息化技术研究具有重要参考价值。     

某炮弹复合参数测试装置的研究

本文概述了某炮弹的复合参数测试装置的特点和研究结果,对炮弹的复合参数的测试方法、实用性及可行性进行了探讨.炮弹参数主要关心的是其过载、冲击及转速.该装置集多种技术于一体,它具有体积小、高可靠性、使用方便等特点.它为炮弹的研制及改进提供了重要的参数.     

Design of a 3780-point IFFT processor for TDS-OFDM

This correspondence presents a design of 3780-point IFFT processor for TDS-OFDM terrestrial DTV transmitter using FPGA. It demonstrates the algorithm design and error analysis of the processor, which can achieve a throughput of 7.56M complex IFFT operations per second. This design meets the signal-to-quantization noise ratio requirement of the TDS-OFDM system. It consists of two FPGA and one dual-port RAM. The data stream pipeline algorithm is implemented     

浅谈中承式钢管拱肋单拱桥的施工方法

右江平圩大桥钢管拱肋的制作、拼装、吊装、混凝土灌注的施工方法及注意事项 ,事故原因分析及处理。     

用变角XPS定量分析研究GaAs光电阴极激活工艺

用变角X射线光电子能谱 (XPS)技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺 ,定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成。界面氧化物是由于O原子穿过激活层 ,扩散到GaAs与 (Cs,O)激活层的界面上而形成的。导入过量O会增加O GaAs界面层的厚度 ,而对 (Cs,O)激活层厚度影响较小。在激活过程中 ,严格控制和减少每次导入的O量是减少界面氧化层厚度 ,提高灵敏度的重要途径。在第一步激活后的阴极样品 ,通过较低温度的加热和再激活 ,能获得比第一步高出 30 %的光电灵敏度的原因是较低温度加热减少了界面氧化层的厚度和界面势垒     

关于空调水系统节能的探讨

以空调冷冻水系统的节能为例 ,探讨空调系统节能的途径、存在的问题及解决办法     

新型哈氏合金G—30的耐蚀性能与工业应用

文章叙述了新型镍基耐蚀哈氏合金G-30在不同介质中的耐蚀性能以及工业应用,综合分析了该合金应用的经济性及前景。     

W片二向色性角β测定中的两个问题

本文讨论在测定W片二向色性角β的实验装置中的两个问题:W片的e轴与起偏器P_1透振方向间夹角θ偏离45°时引起的误差;起偏器P_1、检偏器P_2的消光比ρ对测量精度的影响。     

Pd-Ge contact to n-GaAs with the TiW diffusion barrier

Pd-Ge based ohmic contact to n-GaAs with a TiW diffusion barrier was investigated. Electrical analysis as well as Auger electron spectroscopy and the scanning electron microscopy were used to study the contact after it was subjected to different furnace and rapid thermal annealing and different aging steps. All analyses show that TiW can act as a good barrier metal for the Au/Ge/Pd/n-GaAs contact system. A value of 1.45 × 10⁻⁶ Ω-cm² for the specific contact resistance was obtained for the Au/TiW/Ge/Pd/n-GaAs contact after it was rapid thermally annealed at 425°C for 90 s. It can withstand a thermal aging at 350°C for 40 h with its ρ_c increasing to 2.94 × 10⁻⁶Ω-cm² and for an aging at 410°C for 40 h with its ρ_c increasing to 1.38 × 10⁻⁵ Ω-cm².