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991.
Robin C.J. Wang C.C. Lee L.D. Chen Kenneth Wu K.S. Chang-Liao 《Microelectronics Reliability》2006,46(9-11):1673-1678
Microstructure effect of Cu/low-k interconnect, which is substantially affected by process condition or manufacturing deviation, is a dominated factors for copper stress and critical to the formation of stress-induced voiding (SIV). In this work, SIV at via bottom is studied in the aspects of thickness variation of copper interconnect and low-k dielectric. Besides, via-related factors consist of via profile and dimension are also involved in SIV sensitivity studies. With the assistance of finite element analysis (FEA), Cu stress in terms of different Cu/low-k microstructure scenarios are modelled to understand the voiding evolution and explore the their dependence with SIV susceptibility. Meanwhile, microstructure effects with and without redundant via are also simulated to evaluate their impacts on SIV immunity. 相似文献
992.
带形状参数的插值曲线 总被引:1,自引:0,他引:1
针对α-B样条插值曲线仅能整体调控其形状的局限性,通过适当地提高曲线次数并引入若干新的形状参数,构造出2种C^2连续的插值曲线,这些曲线的形状既能整体又可局部调控;还给出一种能作整体调控的C^3连续的插值曲线. 相似文献
993.
提出了在手持设备上使用3C技术与其他网络设备实现智能互联并组建成网络的技术方案,描述了方案的实现程序,最后,给出了结论. 相似文献
994.
论述了具有分子识别功能的生物材料的开发应用现状,生物材料的元件化,生物元件的改良,生物传感器的原理及电极式、热敏式、光敏式、声波检测器式生物传感器的研究开发动向,最新成果及未来展望. 相似文献
995.
提出了一种基于改进的Montgomery算法和中国剩余定理(CRT)的RSA签名芯片的VLSI实现.由于采用了新颖的调度算法,实现了用576b的模乘单元来完成1152b的RSA模幂运算,从而大大降低了芯片面积;此外,CRT的引入使得整个系统的数据吞吐率与传统的1024bRSA系统相当.实验结果显示:芯片完成一次1024b的模幂运算需要约1.2M个时钟周期,而芯片规模在54K个等效门以下;如果系统时钟频率选取40MHz,系统签名速率可以达到30Kbps. 相似文献
996.
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1000.