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131.
全耗尽CMOS/SOI技术的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
张兴  李映雪 《微电子学》1996,26(3):160-163
SOI材料技术的成熟,为功耗低,抗干扰能力强,集成度高,速度快的CMOS/SOI器件的研制提供了条件,分析比较了CMOS/SOI器件与体硅器件的差异,介绍了国外薄膜全耗尽SOI技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。  相似文献   
132.
本文利用广义富里叶级数法对非对称复合材料层板在面内载荷作用下的非线性横向变形或屈曲问题进行了分析。文中主要研究了四边简支边界条件下,非对称层板的铺层方式和面内载荷形式对横向变形的影响。通过求解非线性控制方程得到了层板的载荷—挠度曲线或特殊情况下的后屈曲平衡曲线。计算结果表明,对于大多数非对称复合材料层板在面内载荷作用下所产生的是横向变形问题,而不是分叉屈曲问题。  相似文献   
133.
连续时间广义边值系统被描述为Ex(t)=Ax(t)+Bu(t),V0x(0)+Vrx(T)=v,其中E是奇异方阵,u(t)满足任意次可微,本文讨论了一类连续时间广义边值系统的有关向内和向外边值过程的两个重要概念,并在此基础上给出了能控性和能观性定义和判别准则.  相似文献   
134.
135.
本文对通常的Calderón-Zygmund型算子稍加改造,仍得到满意结果.  相似文献   
136.
The interfacial stress intensity factors for three types of sandwich specimens: the single edge crack tensile specimen, the three point bend specimen and the four point shear specimen were obtained by the finite element analysis and compared with the asymptotic solutions. The results show that the geometric effect for mode II specimen is larger than mode I specimen. The limit curves for geometry factor equal to 1.05 were obtained to indicate the usable range of validity of the asymptotic solution.  相似文献   
137.
以炭黑生产中的余热利用系统为背景建立了余热利用系统多目标优化规划数学模型;阐述了模型的求解方法;给出了实例分析。  相似文献   
138.
We show theoretically that the ion-pair induced self-pulsing in Er-doped fiber lasers depends largely on the ratio of emission to absorption cross sections, and can be significantly suppressed as this ratio is increased. Our experimental results agree qualitatively with this prediction. This result is important for stabilizing Er-doped fiber lasers where short-cavities and high-gain fibers are required.  相似文献   
139.
对In(0.2)Ga(0.8)As/GaAs应变多量子阱在77K下的光调制反射谱(PR)和热调制反射谱(TR)进行了实验研究.对PR结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁,并与理论计算结果作了比较.实验对比确认PR中11H、13H等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质.而11L、31H、22H等跃迁结构为阶间耦合态,对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性.  相似文献   
140.
冲击过载批示器用于现代高技术兵器包装,可提高兵器使用可靠性,便于失效模式分析,提高兵器战是保障能力,具有重要的军事意义。根据六种不同结构原理的冲击过载指示器的振动、跌落试验,评价精度、可靠性、使用寿命、有效使用频率范围以及对振动的响应,得出冲击过载指示器的冲击响应加速度一时间特性曲线,为筛选可靠的指示器,自行研制性能稳定,精度可靠的军用冲击过载指示器提供试验评价依据。  相似文献   
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