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51.
SiC MOSFET可以大幅提升变流器的效率和功率密度,在高频、高温、高压等领域有较好的应用前景。但是,由于其短路耐受时间短、特性退化现象严重以及失效机理模糊等因素,致使SiC MOSFET的普及应用受到了限制。因此,探究SiC MOSFET短路失效与特性退化的机理,可以为SiC MOSFET器件的应用及其保护电路的设计提供指导,具有重要的研究价值。该文首先归纳SiC MOSFET的短路故障类型,并针对其中一种典型的短路故障进行详细的特性分析。在此基础上,论述SiC MOSFET单次短路故障后存在的两种典型失效模式,综述其在两种失效模式下的失效机理以及影响因素。其次,对SiC MOSFET经历重复短路应力后器件特性退化机理的研究现状进行系统的总结。最后指出当前SiC MOSFET短路失效与特性退化的研究难点,展望SiC MOSFET短路特性研究的发展趋势。 相似文献
52.
铝箔表面的反光率是轧辊表面状态的反映,铝箔表面反光率差和铝箔表面反光率比与轧制的润滑条件密切相关。重点讨论了它们之间的关系。 相似文献
53.
Five new heat treatment processes were designed, which were divided into three groups by their characteristics. The microstructures and mechanical properties of the alloy after the five heat treatments and thermal exposure at 500, 550℃ for 100 h were tested. The results indicate that a little differences exist in the performance of mechanical properties at room-temperature after the five heat treatments, and the thermal stability is the key factor for determining heat treatment process. Among the three groups of heat treatment processes, the best thermal stability is achieved after the first group of heat treatment. After annealing treatment at intermediate temperature, some defects and uneven grain boundaries are remained, which leads to the reduction fractions of precipitations on unit grain boundary and the harmful effect of precipitations on grain boundary is weakened. The process of annealing at 650 ℃for 4 h is recommended the best heat treatment process for Ti40 alloy. 相似文献
54.
盒形塑件的几何构型与计算机充模流动模拟 总被引:3,自引:0,他引:3
基于Hele_Shaw流动数学模型 ,给出了构造3D塑件CAD模型并向CAE模型转换的方法和技术 ,通过对塑件进行有限元网格的剖分以及注射成型过程的数值模拟 ,得到了减少塑件充模流动成型缺陷 ,改进熔体充模效果及产品设计的技术方法 相似文献
55.
56.
应用离心铸造方法:以Cr,Mo,V,Nb为主要合金元素,研制成功了CrMoWVNb白口铸铁轧辊,分析了合金元素在轧辊中的作用,指出在轧辊中加入适量稀土和钛可细化轧辊组织,改善轧辊性能,同时还分析了轧辊生产中裂纹产生的原因,提出了消除裂纹的措施,并应用于高速线材轧机预精轧机架,使用寿命达到高镍铬无限冷硬铁轧辊的4-5倍。 相似文献
57.
58.
用数控铣床加工机械零件时,由于铣削方法或铣削刀具等工艺条件的限制,对于由直线、圆弧、非圆曲线、空间曲线和曲面等组成的轮廓曲线必须进行相应的数学处理,合理安排工艺路线,才能进行数控编程,加工出与设计要求相符的图形形状. 相似文献
59.
60.