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81.
增材制造TC4钛合金在激光抛光前后的电化学腐蚀性能 总被引:4,自引:0,他引:4
对表面已进行喷砂处理的增材制造TC4钛合金在氩气环境下进行激光抛光实验,通过极化曲线测试研究了抛光前、后钛合金的耐蚀性,并结合表面粗糙度、晶粒尺寸、表面残余应力以及显微组织分析了激光抛光对TC4钛合金耐蚀性的影响。研究结果表明:抛光钛合金的自腐蚀电位与自腐蚀电流密度均大于未抛光钛合金,说明抛光钛合金相比于原始钛合金的被腐蚀倾向更小,但其一旦受到腐蚀,腐蚀速率会略大于原始钛合金。自腐蚀电位的升高源于钛合金表面粗糙度的降低,自腐蚀电流密度的增大则是因为表面晶粒的细化以及残余拉应力的存在。 相似文献
82.
大气波导干扰是特定气象条件下发生的时分双工(time-division duplex,TDD)系统内干扰,是TDD移动通信系统大规模组网面临的顽疾。在总结分析大气波导干扰成因和分类等的基础上,对大气波导干扰进行建模和表征,验证了海量干扰源在时域和频域的功率集总特征,并结合大量4G/5G现网实测数据给出了典型条件下内陆波导和海面波导的量化干扰信号传播模型,对于干扰的预测和预防具有重要意义。基于干扰特征,给出了TDD系统预防大气波导干扰的帧结构与组网的4项设计原则,5G现网数据表明干扰控制方案有效,上行干扰下降10 dB以上,相关原则对于6G系统的设计也具有指导意义。 相似文献
83.
基于IMS的多媒体彩铃业务的设计和实现 总被引:2,自引:0,他引:2
多媒体彩铃(MRBT)业务是一种采用多种媒体作为回铃音的增值业务.结合IMS网络体系结构和MRBT业务属性,提出一种利用多媒体彩铃业务平台来实现MRBT业务的方案,包括系统设计和基于SIP(会话发起协议)的信令流程.同时,给出相关的特点分析并进行总结. 相似文献
84.
本文讨论了东信北邮信息技术有限公司位置服务平台的系统总体结构设计、功能模块设计、进程拓扑图. 相似文献
85.
本文简要分析了下一代业务逻辑执行环境(SLEE,Service Logic Execution Environment)JAIN SLEE规范,在此基础上给出了基于规范的SLEE设计与实现. 相似文献
86.
87.
Handover in Digital Video Broadcasting for Handhelds (DVB-H) aims to provide continuous mobile broadcasting services when a user is traveling through cell boundaries. A good handover control can improve the power efficiency and gain much better reception quality. This letter provides a novel approach for DVB-H handover based on DVB-H/Universal Mobile Telecommunications System (UMTS) hybrid network, which moves the main handover function from the terminals to the networks, so that it reduces the operation complexity of the terminals and increases the power saving. When the terminal can not receive the DVB-H signal in the transmission shadow areas or because of some other reasons, the UMTS networks may offer the same service to users to make the service continuous. As the UMTS networks have the topology of the DVB-H networks, by communicating with the terminals, the UMTS networks can help the terminals to predict the handover, and avoid unnecessary handover. 相似文献
88.
89.
A p-type low-temperature poly-Si thin film transistors (LTPS TFTs) integrated gate driver using 2 non-overlapped clocks is proposed. This gate driver features charge-sharing structure to turn off buffer TFT and suppresses voltage feed-through effects. It is analyzed that the conventional gate driver suffers from waveform distortions due to voltage uncertainty of internal nodes for the initial period. The proposed charge-sharing structure also helps to suppress the unexpected pulses during the initialization phases. The proposed gate driver shows a simple circuit, as only 6 TFTs and 1 capacitor are used for single-stage, and the buffer TFT is used for both pulling-down and pulling-up of output electrode. Feasibility of the proposed gate driver is proven through detailed analyses. Investigations show that voltage bootrapping can be maintained once the bootrapping capacitance is larger than 0.8 pF, and pulse of gate driver outputs can be reduced to 5 μs. The proposed gate driver can still function properly with positive VTH shift within 0.4 V and negative VTH shift within-1.2 V and it is robust and promising for high-resolution display. 相似文献
90.
用现有的红外法测量的GaN基HEMT器件结温,比实际最高温度点的温度低.而用喇曼法测量结温对设备要求高且不易于操作.针对现有技术对GaN基HEMT器件结温的测量存在一定困难的问题,设计了一款HEMT器件匹配电路.利用红外热像仪测量HEMT器件的结温升高,并结合物理数值模拟仿真,提出一种小尺寸栅极结温升高测量方法.结果表明,建立正确的仿真模型,可以得到不同栅极长度范围内的温度.通过这种方法可以测量出更接近实际的结温,为之后研究加载功率与壳温对AlGaN/GaN HEMT器件热阻的影响奠定了理论基础,并且为实际工作中热特性研究提供了参考依据. 相似文献