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基于子波域空间相关的多分辨图像滤波方法 总被引:2,自引:1,他引:1
从静态子波变换入手,提出了一种有效的图像滤波算法。通过计算相邻尺度下细节信号的空间相关性来区分噪声和信号,如果子波系数的空间相关性大,则认为此位置的系数含有特征及边缘信息予以保留。实现这种理论的完整方法包括两部分:空间滤波和子波收缩。仿真结果表明这个算法有很好的降噪性能。 相似文献
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松辽盆地南部深层火山岩识别及成藏条件分析 总被引:14,自引:0,他引:14
松辽盆地北部徐深1井在营城组火山岩获得油气突破后,在松辽盆地南部长岭断陷针对火山岩部署了长深1井。在长深1井营城组火山岩地层测试获4.6×105m3/d的工业气流,推算无阻流量1.5×106m3/d以上,预示松辽盆地南部深层火山岩气藏是下步勘探开发的主要领域。通过大量的火山岩岩心资料,利用岩石学、矿物学、测井和地震地层学等多学科技术,首次在松辽盆地南部建立了火山岩识别标准,在东南隆起区部署探井1口,在火山岩中见到了较好的气显示,取得很好的效果。 相似文献
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金属泡沫材料研究进展 总被引:14,自引:2,他引:12
综述了金属泡沫材料的各种制备方法。液相法制备金属泡沫材料包括气体吹入法、固体发泡剂法和固体—气体共晶凝固法、熔模铸造法、渗流铸造法、喷射沉积法以及粉末加压熔化法等制备方法。采用金属粉末烧结法、浆料发泡法等制备工艺可以从固相制备金属泡沫材料。电沉积法以及气相沉积法可用于制备高孔隙率的金属泡沫材料。最后简要总结了金属泡沫材料的应用。 相似文献
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Dong-Soo Yoon Jae Sung Roh Sung-Man Lee Hong Koo Baik 《Journal of Electronic Materials》2003,32(8):890-898
The effect of a thin RuOx layer formed on the Ru/TiN/doped poly-Si/Si stack structure was compared with that on the RuOx/TiN/doped poly-Si/Si stack structure over the post-deposition annealing temperature ranges of 450–600°C. The Ru/TiN/poly-Si/Si
contact system exhibited linear behavior at forward bias with a small increase in the total resistance up to 600°C. The RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited nonlinear characteristics under forward bias at 450°C, which is attributed to no
formation of a thin RuOx layer at the RuOx surface and porous-amorphous microstructure. In the former case, the addition of oxygen at the surface layer of the Ru film
by pre-annealing leads to the formation of a thin RuOx layer and chemically strong Ru-O bonds. This results from the retardation of oxygen diffusion caused by the discontinuity
of diffusion paths. In particular, the RuOx layer in a nonstoichiometric state is changed to the RuO2-crystalline phase in a stoichiometric state after post-deposition annealing; this phase can act as an oxygen-capture layer.
Therefore, it appears that the electrical properties of the Ru/TiN/poly-Si/Si contact system are better than those of the
RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system. 相似文献
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Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
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The purpose of this paper is to evaluate two methods of assessing the productivity and quality impact of Computer Aided Software Engineering (CASE) and Fourth Generation Language (4GL) technologies: (1) by the retrospective method; and (2) the cross-sectional method. Both methods involve the use of questionnaire surveys. Developers' perceptions depend on the context in which they are expressed and this includes expectations about the effectiveness of a given software product. Consequently, it is generally not reliable to base inferences about the relative merits of CASE and 4GLs on a cross-sectional comparison of two separate samples of users. The retrospective method that requires each respondent to directly compare different products is shown to be more reliable. However, there may be scope to employ cross-sectional comparisons of the findings from different samples where both sets of respondents use the same reference point for their judgements, and where numerical rather than verbal rating scales are used to measure perceptions. 相似文献