合成己二腈反应技术研究——(Ⅴ)己二腈工业反应过程模拟与反应器改造

对己二腈工业反应器提出了两釜串联带回流的模型,通过模拟计算得出模型的级间返混系数 f=6的结论。该模型能较好地预测工业反应器中物料组分浓度变化和气、液两相的流动特性;指出了现工业反应器的鼓泡中和段体积偏小是造成己二酸浓度偏高的关键;提出了可以通过增加串连一个鼓泡预反应段的改造方案,能有效地降低己二酸的浓度,从7%降至4%左右,从而能较好地减缓腐蚀和结焦。     

普陀区静态交通规划构想

面对日益突出的城市静态交通问题,针对普陀区所处的地理位置和发展形势,提出了在普陀区实施静态交通规划(包括技术路线、政策研究及相关的经济分析方法)的初步构想。     

同轴双分流齿箱振动原因分析及维修

本文以我公司氧化铝厂 5 #原料磨齿箱的维修实践为例 ,介绍了大型同轴双分流齿箱易发生故障及维修方案     

一种多晶硅高温压力传感器

制作压力传感器时，在二氧化硅层上淀积多晶硅膜，既可利用优良的机械特性，又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性，由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明，这类传感器具有灵敏度好，精度高等特点，电路工作范围为０－２５０℃，且具有良好的温度稳定性。     

A Topological Implementation for Motion Planning of a Robotic Arm

An efficient path planning algorithm based on topologic method is presented in this paper.The collision free path planning for three-joint robotic arm consists of three parts:partition of C-space,construction of CN and search for a path in CN.We mainly solved the problems of partitioning the C-space and undging the connectivity between connected blocks,etc.For the motion planning of a robotic arm with a gripper,we developed the concepts of global planning and local planning,and discussed the basic factors for constructing the planning system.In the paper,some evaluation and analysis of the complexity and reliability of the algorithm are given,together with some ideas to improve the efficiency and increase the reliability.At last,some experimental results are pesented to show the efficency and accuracy of the algorithm.     

冷媒充填机的PLC控制

介绍了冷媒充填机控制系统的组成和工作原理，着重叙述了西门子S7－200可编程控制器与触摸屏结合的控制方式，使系统的性能得到较大的提高。     

柳沟庄—窟窿山油藏储集层裂缝类型及特征

根据岩心描述、薄片观察、X－CT扫描以及钻井、测井等资料，研究了酒西盆地青西坳陷柳沟庄－窟窿山油藏裂缝性储集层的类型及特征，分析了控制裂缝发育的地质因素及裂缝对油气的控制作用，认为储集层裂缝有3种基本类型，即构造裂缝、构造熔蚀缝和饼状破裂，主要受构造应力场及构造位置等因素的控制。根据裂缝形态、充填特征及其相互关系，裂缝的形成主要有3个期次，其中喜马拉雅运动晚期形成的第三期理解缝对油气运移和聚集最有效。研究结果表明，裂缝是柳沟庄－窟窿山油藏主要的储集空间和控制油气富集的因素。     

化肥厂合成气及重整氢真空变压吸附制取高纯度氢气

从设计、生产操作和经济效益3个方面阐述了以化肥厂合成气及重氢为原料，通过真空变压吸附（VPSA）装置制取高纯度氢的过程。工业应用结果表明，该制氢工艺是一项操作简便灵活，制氢费用较低的工艺路线。VPSA装置技术和设计上的特点能够保证大的操作弹性、高的产品氢纯度和较高的氢气回收率。在36％－51％的低限负荷下，通过适当调整吸附时间，可获得纯度99％的氢气产品，89％－92％的氢气回收率。     

高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。