基于支持向量机的多类分类研究

现今流行的分类方法的重要基础是传统的统计学，前提是要有足够的样本，当样本数目有限时容易出现过学习的问题，导致分类效果不理想。引入支持向量机方法，它基于统计学习理论，采用了结构风险最小化原则代替经验风险最小化原则，较好的解决了小样本学习的问题；又由于采用了核函数思想，把非线性空间的问题转换到线性空间，降低了算法的复杂度。对其相关内容包括优化算法及多类分类问题的解决进行了研究，最后用一个实例说明了该方法的可行性和有效性。     

固体相干激光雷达多普勒测速实验

采用单块非平面环形激光器作为种子,注入到单纵模运转的Q开关高重复频率Nd:YAG激光器为发射源,同时运用温度反馈控制,使种子光源和从动激光器自由振荡频率相匹配,实现稳定的单频输出.采用外差式相干探测的方法,测量运动目标的多普勒频移,从而达到测量运动物体速度信息的目的.根据实验现象,分析失谐频率△ω对外差探测的影响,提出了改进措施并应用于实验.比较已观测到的实验数据与理论计算值分析误差来源.     

移动信息接收机的研制

介绍了一种新型的通信传媒设备，详细介绍了该接收机的工作机理、结构、功能特点以及软硬件的设计思路。     

GY-340厌氧胶的技术发展回顾

本文是关于GY-340厌氧胶及其相关产品的一些研制情况回顾和评论，并介绍了用组合引发剂的厌氧胶可以获得较好的固化和贮存性能。     

Research and Development of a Network—Based Intelligent Maintenance Information System

A maintenance information system is an important part of equipment management.An intelli-gent maintenance information system(IMIS)is a synthesis of network technology,information technology and intelligent technology.The IMIS in used to finish flexible maintenance decision-making and fast main-tenance planning,which helps enterprises to effectively reduce maintenance cost and increase working effi-ciency.Because the IMIS integrates advanced technologies,its performance is better than a traditional one.The difference between an IMIS and a traditional maintenance information system,and the functions,struc-ture,important realizations,and application of an IMIS are discussed in this paper.     

微桥法镍膜的弹性模量和残余应力测量

利用MEMS技术制作了不同尺寸的镍(Ni)膜微桥结构样品。采用纳米压痕仪XP系统测量了微桥载荷与位移的关系,并结合微桥力学理论模型得到了两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量和残余应力。结果表明,两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量结果一致,为190 GPa左右,但是残余应力变化较大。与采用纳米压痕仪直接测得的带有硅(Si)基底的Ni膜弹性模量186.8 7.5 GPa相比较,两者符合较好。     

一种微透镜阵列的研制

介绍一种利用表面张力的作用、以光纤作材料、用分离的自聚焦透镜制作微透镜阵型的方法，这种方法具有制作工艺简单、无须昂贵设备等优点，用此方法实际制作了具有良好连续面型的微透镜阵列，并对制作的微透镜阵列进行了测试，效果较好。     

电力系统谐波检测的现状与发展

准确、实时地对电力系统谐波进行检测有着重要的意义。本文根据电力系统谐波测量的基本方法，对近年来电力系统谐波检测的新方法进行了分析和评述。最后对电力系统的谐波测量进行了总结并提出了看法。     

变换域数字水印处理技术

数字水印是信息安全领域的一项新技术,给出了相对明确的定义。着重分析了变换域数字水印系统的特征及常见攻击,给出了一些相应的对策。最后指出变换域水印的重要问题,即频率的选择问题。     

宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器

采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。