改善机载预警非正侧面阵雷达主杂波区性能的研究

本文研究了机载预警雷达采用非正侧面阵时主杂波区性能改善的问题，首先对机载雷达非正侧阵上染波谱带进行了分析，其次研究了文献（１）的先滤波再自适应处理的方法，并从实用化角度提出了改进的方法，最后对改进方法进行了详细的理论分析与计算机模拟研究。     

噪声温度法测量微波波导器件小衰减的进一步研究

本文在噪声温度法测量小衰减的基础上，提出了Ｙ因子法和噪声温度比较法测量微波波导器件小衰减的两种新设想。     

综合治理提高长途来话接通率

一、小组概况 武汉市电信局是我国大型国有企业之一,为用户提供现代化的通信服务.本地网交换机容量继1995年超100万门之后,1996年底,本地网实装用户突破100万户,全市电话普及率达每百人27.74部,住宅电话普及率达每百户55.06部.     

PrBa2Cu3O6.3和YBa2Cu3O6.3材料的红外声子谱的比较

报道了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３多晶陶瓷ｃ抽取向薄膜中的红外光谱，在ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３中以９个声子模，对应于５Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动。在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３材料中观察到１０个声子模，对应于６Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动，其中Ｐｒ的Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别为位于１７０ｃｍ＾－１和１９８ｃｍ＾－１，Ｙ和Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别位于１９１ｃｍ＾－１和２１７ｃｍ＾－１ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＹＢａ２     

一种铁氧体移相驱动器专用集成电路

介绍了ＳＡ０１８铁氧体移相驱动器专用集成电路的工作原理，电路设计和实验结果。该电路的内部电路设计有双路激励驱动器，放大器，积分器和双路高速比较器等功能单元。将铁氧体移相器的激励驱动器和相位控制器融于一体，大大减少了铁氧体移相器的外围设计。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

一种NMOS型折叠和内插电路及其SPICE分析

将折叠和内插技术应用于高速Ａ／Ｄ转换器中，以３μｍ器件参数，５Ｖ工作电压，分析了一种ＮＭＯＳ型折叠和内插电路在全温区范围的功能，以及ＮＭＯＳ管衬度偏置效应和误差的影响，结果表明，在通常的工艺条件下，折叠电路可处理２．４Ｖ１ＭＨｚ的满幅输入信号，数字采样速度大于１ＭＳ／ｓ包含第一级内插电阻的折叠电路功耗为１４ｍＷ。     

横向脉冲放电硫双原子分子气体激光介质小信号增益的测量

对加反射镜测量放大自发辐射方法测量小信号增益系数的物理模型作了修正。给出了修正后小信号增益系数的计算公式。测量了横向脉冲放电Ｓ２气体激光介质的小信号增益系数，最大值为０．０８２ｃｍ－１。并对计算结果作了分析和讨论。     

化学镀镍合金在电子工业中的应用

对化学镀镍合金铁工艺和性能特性及其在电子工业中的应有委展现状作了评述。化学镀镍合金具有镀层均匀，适用基材广，结合力高，硬度高，优良的耐磨、耐蚀性，可焊性好和特殊的电磁性能等特性，在电子工业中获得了广泛的应用。文中着重介绍了化学镀镍合金在磁盘、电磁屏蔽、微电路、半导体、连接器及薄膜电阻上的应用情况。这些案例说明，合理应用化学镀镍合金技术，有利于提高电子元器件的质量，降低成本，促进技术进步。     

基于选择性多分辨率Kohonen网络的自适应灰度图像分割方法

针对多阈值分割中存在的问题,提出一种新的基于测量空间的空间聚类方法,即基于选择性多分辨率Kohonen网络的自适应灰度图像分割方法.算法的优点在于不需预知图像分割级数,而能够动态地根据图像局部特性决定.实验证明该方法具有良好的适应性.