化肥厂合成气及重整氢真空变压吸附制取高纯度氢气

从设计、生产操作和经济效益3个方面阐述了以化肥厂合成气及重氢为原料，通过真空变压吸附（VPSA）装置制取高纯度氢的过程。工业应用结果表明，该制氢工艺是一项操作简便灵活，制氢费用较低的工艺路线。VPSA装置技术和设计上的特点能够保证大的操作弹性、高的产品氢纯度和较高的氢气回收率。在36％－51％的低限负荷下，通过适当调整吸附时间，可获得纯度99％的氢气产品，89％－92％的氢气回收率。     

Resonant neutron filters in elemental analysis and radiography

Translated from Atomnaya Énergiya, Vol. 67, No. 4, pp. 271–274, October, 1989.     

Measurement of the delayed-neutron yields in the fission of233U,236U,237Np,240Pu,and241Pu by neutrons from the spectrum of a fast reactor

Translated from Atomnaya Énergiya, Vol. 66, No. 2, pp. 100–103, February, 1989.     

Dosimetric characteristic of VVR-M reactor with respect to tritium

Translated from Atomnaya Énergiya, Vol. 67, No. 2, pp. 111–113, August, 1989.     

Excitation and Detection of Nonlinear Waves on a Charged Surface of Liquid Hydrogen

A new technique for exciting nonlinear waves on a charged surface of liquid hydrogen is described. Methods of optical detection of surface oscillations in experiments on capillary turbulence at frequencies of up to 10 kHz are discussed. The results of a study of capillary waves on the surface of liquid hydrogen are presented.     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

多进制数字调相系统分析与设计方法的探讨

对数字通信中MPSK系统的调制与解调问题进行了较为的分析，并以8PSK和循环码16PSK系统为例，阐述其调制器电路的逻辑设计方法。在此基础上给出了8PSK系统调制与解调的一种方案，讨论了循环码和自然二进制码16PSK系统的调制器的具体设计过程，该设计方法可应用于一般MPSK系统的逻辑设计。