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81.
The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI. 相似文献
82.
测试了氧化锌颗粒膜电阻响应-恢复特性,讨论了颗粒形态,加热电压、环境气氛、气氛浓度和注入方式等因素对电阻响应-恢复特性的影响。结果表明,随着加热电压的升高,电阻响应-恢复的速度和程度明显加大;断续注入时颗粒膜电阻值的响应随着浓度的增加逐步减弱. 相似文献
83.
84.
本文介绍了可靠性预计的目的,并对当前较为常见的可靠性预计模型或方法做了比较和说明,也对造成可靠性预计局限性的原因做了分析,最后对在可靠性工程工作中对待可靠性预计的态度做了探讨. 相似文献
85.
基于VHDL实现单精度浮点数的加/减法运算 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了单精度浮点数加/减法的结构及其设计方法,并在Aldec公司的Active—HDL软件环境下,采用VHDL语言进行设计,并进行了仿真验证,计算精度可以达到10^-7。 相似文献
86.
采用聚合物包覆热分解法化学工艺制备了纳米氧化锌,对其工艺进行系统的比较研究,对所得粉体进行XRD与SEM表征。发现利用该工艺所得粉体为六方晶系纤锌矿结构(空间群为P63mc)的纳米氧化锌。该方法制备的氧化锌衍射峰尖锐,表明此种方法合成的氧化锌结晶程度高。所得的氧化锌粉体XRD图谱中没有杂质衍射峰,说明产物纯度都很高。产品SEM表征结果显示了此工艺产物在形貌方面的高度一致性——为菊花状氧化锌纳米杆团簇,对产物形貌形成的原因做了探讨。 相似文献
87.
88.
尼龙6/改性双马来酰亚胺共混物的制备 总被引:1,自引:0,他引:1
将尼龙6与改性双马来酰亚胺熔融共混形成合金以提高其热稳定性能.用转矩流变仪考察了尼龙6/改性双马来酰亚胺共混体系熔融反应过程中的流变行为,用TG-DSC测试了共混物的热性能.结果表明:熔融共混时,2组分间的化学反应进行很快,改性双马来酰亚胺用量增加,共混物的熔融粘度增大,温度或转速升高,平衡转矩降低;改性双马来酰亚胺可明显改善尼龙6的高温热稳定性能,当尼龙6与改性双马来酰亚胺的质量比为20/1时,共混物在236-340℃温度范围内有很好的热稳定性. 相似文献
89.
90.
通过大量的试验和实践研究,提出了一种碱减量废水预处理的工艺,并用于化纤行业碱减量废水处理,结果表明该工艺有效、可靠、稳定、经济。 相似文献