全文获取类型
收费全文 | 453302篇 |
免费 | 53992篇 |
国内免费 | 38147篇 |
专业分类
电工技术 | 41876篇 |
综合类 | 51079篇 |
化学工业 | 55018篇 |
金属工艺 | 31911篇 |
机械仪表 | 32608篇 |
建筑科学 | 35007篇 |
矿业工程 | 19983篇 |
能源动力 | 11899篇 |
轻工业 | 50522篇 |
水利工程 | 16068篇 |
石油天然气 | 15304篇 |
武器工业 | 7475篇 |
无线电 | 47820篇 |
一般工业技术 | 36963篇 |
冶金工业 | 17245篇 |
原子能技术 | 7805篇 |
自动化技术 | 66858篇 |
出版年
2024年 | 2568篇 |
2023年 | 7136篇 |
2022年 | 17952篇 |
2021年 | 23079篇 |
2020年 | 16458篇 |
2019年 | 11148篇 |
2018年 | 11587篇 |
2017年 | 13373篇 |
2016年 | 12050篇 |
2015年 | 20236篇 |
2014年 | 25245篇 |
2013年 | 30112篇 |
2012年 | 38703篇 |
2011年 | 40075篇 |
2010年 | 38557篇 |
2009年 | 37126篇 |
2008年 | 38009篇 |
2007年 | 37075篇 |
2006年 | 31860篇 |
2005年 | 25611篇 |
2004年 | 18667篇 |
2003年 | 12129篇 |
2002年 | 11161篇 |
2001年 | 10317篇 |
2000年 | 8095篇 |
1999年 | 2827篇 |
1998年 | 699篇 |
1997年 | 484篇 |
1996年 | 379篇 |
1995年 | 302篇 |
1994年 | 256篇 |
1993年 | 297篇 |
1992年 | 253篇 |
1991年 | 190篇 |
1990年 | 184篇 |
1989年 | 195篇 |
1988年 | 123篇 |
1987年 | 105篇 |
1986年 | 90篇 |
1985年 | 72篇 |
1984年 | 59篇 |
1983年 | 56篇 |
1982年 | 43篇 |
1981年 | 86篇 |
1980年 | 145篇 |
1979年 | 78篇 |
1966年 | 1篇 |
1964年 | 1篇 |
1959年 | 90篇 |
1951年 | 97篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 93 毫秒
171.
讨论了一种用于∑-△A/D转换器的固定系数半带(half-band)FIR数字滤波器,分析了其线性相位特性和低通滤波特性,给出了频率仿真结果,以及在Cadence设计系统中的电路和版图实现。 相似文献
172.
蜡晶形态结构对原油降凝的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用偏光显微镜观察了不同条件下蜡晶的形态变化,对蜡结晶过程中的结构、分布状态和生长规律进行了深入的研究,采用气相色谱分析了用52#、62#、80#蜡配制的模拟油中蜡的碳数分布,考察了凝点与蜡含量之间的变化规律,以及沥青质、胶质和大分子降凝剂(PPD)对模拟油降凝、降粘的影响,为改善原油流动性提供理论依据。实验结果表明,蜡晶的微观形态结构、蜡在油中的溶解性能以及降凝剂的降凝作用与模拟油中蜡的碳数分布密切相关,只有当降凝剂分子结构与油中蜡的结构匹配时,才能达到理想的降凝效果。通过实验确定了模拟油降凝时的临界蜡含量为40%(质量分数),大于该临界值后,凝点随着蜡含量的变化幅度将大大降低。 相似文献
173.
174.
175.
嵌入式RTOS中任务优先级反转问题研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对嵌入式实时系统任务调度策略的特点,任务在运行的时候可能被更高优先级的任务中断。分析了嵌入式RTOS中的最高就绪任务的查找算法,指出该调度算法存在的不同优先级的反转问题,并且针对这一问题进行研究,给出了相应的优先级继承方案。较好地解决了RTOS中任务调度中的优先级的反转问题。 相似文献
176.
177.
研究了由J.Bourgoin和M.Lannoo提出的半导体内Jahn-Teller畸变效应的计算理论。应用Bourgoin和Lannoo的方法研究了含中心氮杂质金刚石结构的Jahn-Teller畸变问题,计算了34C+N簇团的T2模耦合沿%111&晶向的Jahn-Teller畸变效应,结果与实验相符。 相似文献
178.
179.
2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计 总被引:5,自引:2,他引:3
用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/ f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片L C滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了2 3%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处- 118d Bc/ Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4 m A. 相似文献
180.