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102.
103.
LF2铝合金搅拌摩擦焊接接头的组织与性能 总被引:6,自引:0,他引:6
对10 mm厚LF2铝合金搅拌摩擦焊接进行了研究.结果表明:焊接厚板时,为防止出现隧道型缺陷,须在较低的焊速和转速下进行.当焊速为9 mm/min,转速为950 r/mln,焊接输入能量为6 230 W时,接头强度值最高,其值与母材强度值相等.接头处由平均尺寸约为15 μm的均匀细小的晶粒组成;热影响区平均晶粒尺寸较大,其最大值约为28 μm;热机械影响区内组织细长,局部区域最大长度可达到85 μm.焊核区平均硬度与母材相当,中心最高硬度可达HV95,近缝区硬度低于母材硬度. 相似文献
104.
Fe3Al合金中D03有序化过程的场离子显微镜研究 总被引:1,自引:0,他引:1
经500℃保温5天有序化处理得到的D03结构Fe3Al,其场离子显微镜(FIM)像具有十分发达的环结构,但〈111〉极环结构的清晰程度明显低于〈100〉极.连续观察可以发现,〈100〉极的场蒸发过程简洁,而〈111〉极较复杂.分析表明,经这种有序化处理后,D03结构下的SI型有序已趋于完成,而SII型有序尚未完成.在同一温度下,即使延长保温时间,〈111〉极衬度也未有明显好转,表明在500℃下处理得到的D03有序结构并不完整. 相似文献
105.
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用动电位扫描极化曲线、原子力显微镜和电子探针等方法研究了SRB生物膜在培养基介质中对于含咪唑杂环的双季铵盐化合物MDOPD的敏感性.结果表明:含菌介质中,MDOPD吸附在电极表面,形成完整致密的有机保护膜,对电极的腐蚀反应具有良好的抑制作用,SRB的代谢及腐蚀产物也难以在电极表面直接吸附和沉积,从而降低了SRB生长代谢的次生过程(包括酸浸蚀等)对腐蚀的促进作用;同时也降低了介质中的SRB参与碳钢腐蚀的机会. 相似文献
108.
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目的研究磁控溅射工艺对ITO薄膜光电性能的影响,为制备高性能ITO薄膜提供数据和理论支撑。方法采用磁控溅射在PET基材上制备ITO薄膜,利用扫描电镜、X射线衍射仪、分光光度计、四探针、红外发射率测仪、Hall效应测试系统等,分析工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。结果随着氧气流量的增加,ITO薄膜在可见光区的透过率先增加,然后变缓,薄膜方块电阻先降低后升高;随着工作气压的增加,ITO薄膜的可见光透过率增加,薄膜方块电阻先下降后上升,电阻率先变小再增大,载流子浓度先增大后减小,红外发射率先减小后增大,晶体结构逐渐由晶态转变为非晶态;随着氩氧比的降低,薄膜红外发射率先降低,然后缓慢升高;随溅射时间的增加,薄膜的厚度逐渐增大,方块电阻、红外发射率和可见光透过率迅速下降,晶体结构逐渐由非晶结构转变为晶体结构。综合对比研究发现,当氧气流量为0.6 mL/min、工作气压为0.4 Pa、氩氧比为19.8∶0.2、溅射时间为80 min时,可获得综合性能优异的ITO薄膜,其可见光透过率大于80%,在8~14μm红外波段的辐射率小于0.2。结论磁控溅射工艺参数是决定薄膜综合质量的重要因素,通过严格控制工艺参数,可获得透明性高、发射率低的ITO薄膜。 相似文献
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