任意偏置点的电光调制器自动偏置控制方法

为了实现对双电极马赫-曾德尔电光调制器任意直流偏置点的自动偏置控制,采用在闭环控制基础上,引入一个可调移相器使不同直流偏置点处误差信号相同的方法,理论分析了可调移相器相移量与直流偏置相位的关系,仿真得到对于不同偏置点,当调制器直流偏置相位漂移达-0.15rad~0.08rad,移相器引入附加相位漂移-0.55rad~0.55rad时,经偏置控制后相位漂移被限制在-3.010-4rad~1.710-4rad范围内。结果表明,该方法有效实现了对电光调制器任意直流偏置点的自动偏置控制。     

3．0μm工艺模型建立方法研究

器件模型作为Foundry跟设计公司接口的最基本桥梁,需要熟悉器件、工艺、物理、EDA等多方面的专业要求[1],设计公司依据一个高精度的器件模型,针对确定的器件和工艺进行设计,可以保证设计电路产品的成品率和可靠性,提高工艺容宽,降低成本。随着加工工艺的不断进步,工艺建模更是必不可少。现在模型参数提取已经进入了45nm时代,工艺模型则需要专业的建模公司来完成,因为这不仅需要专业的模型提取软件,亦需要昂贵的品类繁多的测试设备,当然更需要专业的建模技术人员．建立完整可靠和统一高效的SPICE模型是将先进的工艺制程迅速推向客户的关键。     

Field plated 0.15μm GaN HEMTs for millimeter-wave application

SiN dielectrically-defined 0.15μm field plated GaN HEMTs for millimeter-wave application have been presented.The AlGaN/GaN hetero-structure epitaxial material for HEMTs fabrication was grown on a 3-inch SiC substrate with an Fe doped GaN buffer layer by metal-organic chemical deposition.Electron beam lithography was used to define both the gate footprint and the cap of the gate with an integrated field plate.Gate recessing was performed to control the threshold voltage of the devices.The fabricated GaN HEMTs exhibited a unit current gain cut-off frequency of 39 GHz and a maximum frequency of oscillation of 63 GHz.Load-pull measurements carried out at 35 GHz showed a power density of 4 W/mm with associated power gain and power added efficiency of 5.3 dB and 35%,respectively,for a 0.15 mm gate width device operated at a 24 V drain bias.The developed 0.15μm gate length GaN HEMT technology is suitable for Ka band applications and is ready for millimeter-wave power MMICs development.     

Bi2O3对Al2O3-ZnO-Bi2O3-B2O3低熔玻璃结构和性能的影响

采用传统的熔淬技术制得了低熔Al2O3-ZnO-Bi2O3-B2O3玻璃,研究了玻璃结构、玻璃特征温度、线膨胀系数(αl)以及密度随Bi2O3含量的变化关系。结果表明:随着Bi2O3含量的增加,玻璃网络中[BO4]取代了部分[BO3],玻璃网络中出现Bi—O结构,玻璃中非桥氧的数量也逐渐增多;软化温度(ts)、玻璃化温度(tg)都是先上升后下降,而线膨胀系数先减小后逐渐增大,玻璃密度先是线性增加,然后增加趋势变大。     

基于改进MobileFaceNet的人脸识别方法北大核心

针对目前大多数人脸识别算法参数多、计算量大,难以部署到移动端和嵌入式设备中的问题,提出了一种基于改进MobileFaceNet的人脸识别方法。通过对MobileFaceNet模型结构的调整,将bottleneck模块优化为sandglass模块,改良深度卷积和逐点卷积的相对位置,适当增大sandglass模块的输出通道数,从而减少特征压缩时的信息丢失,增强人脸空间特征的提取。实验结果表明:改进后的方法在LFW测试数据集上准确率达99.15%,模型大小和计算量分别仅为原算法的61%和45%,验证了所提方法的有效性。     

Chinese product of constacyclic and cyclic codes over finite rings

In this paper, we study the Gray images of the Chinese product of constacyclic and cyclic codes over a finite ring. We first introduce the Chinese product of constacyclic and cyclic codes over the finite ring. We then define a Gray map between codes over the finite ring and a finite field. We prove that the Gray image of the Chinese product of constacyclic codes over the finite ring is a distance-invariant quasi-cyclic code over the finite field. We also prove that each code over the finite field, which is the Gray image of the Chinese product of cyclic codes over the finite ring, is permutation equivalent to a quasi-cyclic code.     

一种并行的定时同步环路实现研究

定时恢复是全数字接收机中的核心部分之一,其处理速度制约了整个接收机的最高处理速度。在传统Gardner定时环路的实现基础上,提出了一种适用于高速数字接收机中定时同步环路的并行控制方式。它通过采用并行处理的方法,为符号同步环路中的内插滤波器提供插值相位来实现插值功能,并且降低了定时同步环路的工作时钟。 MATLAB仿真证明这种插值滤波控制器在降低定时同步环路工作时钟频率的同时,定时恢复性能并未受到影响。     

模拟信号光端机中几项重要指标及测试方法

介绍了在设计和制作模拟信号光端机中需要重点考虑的几项技术指标,分析探讨了模拟光端机几项重要指标产生的原因以及研制时需要注意的事项,阐述了这几项重要指标的常用测试方法及规范.     

开环载波抑制设计方法研究

分析了射频发射机中影响载波抑制(CSR)特性的因素,提出相应的解决方法.为验证该设计方法,设计了一款含锁相环频率合成器的射频发射机,并进行流片.实验结果表明,在不进行任何修调和校准的情况下,载波抑制比常温可达到42 dBc,在-40℃～85℃温度范围内达到40～50 dBc,验证了该方法理论分析的正确性以及实现方法的可行性和实用性.     

光子晶体光纤缺陷模的一种快速计算方法

我们在平面波扩展及超元胞方法的基础上,提出了光子晶体光纤缺陷模的一种详细的计算方法。在此方法中我们利用光子晶体光纤结构的对称性设计算法,有效的降低了计算量和计算耗时。在三角晶格的光子晶体光纤的特定例子中,我们用该方法在其中一个光子带隙中成功获得了缺陷模。