基于曲率驱动机制的晶粒生长元胞自动机模型

结合晶粒生长的统计分忻理论和概率性转变觇则，建立了基于曲率驱动机制的晶粒正常生长的二维元胞自动模型，该模型的一个显著特点是晶粒生长速率和晶界曲率(1／RC-1／R)之间满足线性关系，而传统的元胞自动机模型则难以满足这种线性关系模拟结果比较全面地反映了等温条件下晶粒正常生长的各种现象：平均晶粒面积与时间的关系，晶粒尺寸、晶粒边数的分布规律及其时间不变性，晶粒边数与尺寸的关系，以及晶粒生长速率与晶粒尺寸和曲率的关系等．模拟结果与晶粒生长的动力学理论预测相符合。     

渗碳后直接淬火工艺在机车牵引齿轮上的应用

本文着重探讨渗碳后直接淬火工艺在机车牵引齿轮上的应用问题.选用不同的齿轮材料进行了渗碳后直接淬火工艺试验,探讨了直接淬火的工艺控制问题以及该工艺对齿轮材料的要求.     

冷辗扩机圆度辊随动约束力与随动位置分析

为保证环件圆度、提高环件精度,必须对冷辗扩机圆度辊进行力和位置的实时控制与调节,这是冷辗扩工艺控制中的一个难点。根据冷辗扩原理,分析了冷辗扩过程中圆度辊的随动约束力和随动位置与轧制力及环件瞬时外圆半径的关系,得到了一个数学模型,为圆度辊机构的设计和控制提供了理论依据。     

服装制造企业计算机排料系统满意度评价研究

在分析现有服装裁片排料系统常见问题及其对产品满意度影响的基础上，根据服装裁片排料系统及其使用对象的特点，研究了此类系统的满意度评价指标和评价方法。通过建立服装裁片排料系统的满意度模型，对不同排料方法和系统的满意度进行了评价，为相关系统的开发提供了依据。     

低能离子束辅照对溅射镀TiN膜生长的影响

用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si（100）表面低温沉积TiN膜，研究了高密度低能量（≈20eV）离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响．结果表明，高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化。即使沉积温度低于150℃，当入射基板离子数和Ti原子数的比值Ji／JTi≥4.7时，沉积的TiN膜仍可具有完全的（200）面择优生长，薄膜微观结构致密，硬度达到25GPa，残余压应力小．     

基于I2C总线技术的等离子喷焊系统的研究

阐述了基于I^2C总线技术的等离子喷焊过程控制系统的设计原理，介绍了软硬件及接口设计技术。实践表明，采用I^2C总线技术，不仅使系统的芯片大大减少，系统的灵活性增强，而且提高了系统的抗干扰能力。     

钢结构桥梁焊缝缺陷超声相控阵监测系统的研究

研制了针对钢结构桥梁焊缝缺陷扩展的超声相控阵监测系统。系统选用线阵密排式相控阵探头，通过计算优化了探头参数。设计了发射和接收电路，通过计算机控制实现探头各晶片阵元的延迟发射与接收。采用RS485和RS232总线实现检测数据的长距离传送。实验模拟和现场测试证明，该系统稳定可靠，有很高的实用价值。但该系统无法对长缺陷进行全面监测，可在此基础上进行二次开发。     

基于多CPU数字埋弧自动焊系统数据通信的实现

针对自行开发的基于多CPU数字化埋弧自动焊系统进行了多机通信系统的设计，具体讨论了多机通信的实现。结果表明所设计的通信系统硬件简单，程序易于实现，数据传输距离远，有良好的抗干扰性，并且很好地解决了多机通信的数据冲突问题。     

粉末粒度对AB5型合金电化学性能的影响

研究了粉末粒度对AB5型储氢合金电化学性能的影响.结果表明当合金粉末粒度为22.49～163.8 μm时,随粉末粒度的减小,储氢合金电极的电化学容量降低;由于粉末粒度大的电极负极充放电循环寿命的衰减率小于粉末粒度小的衰减率,所以随粉末粒度的减小,储氢合金电极材料充放电循环寿命缩短.     

高透明低发射率ITO薄膜的制备及其光电性能研究

目的研究磁控溅射工艺对ITO薄膜光电性能的影响,为制备高性能ITO薄膜提供数据和理论支撑。方法采用磁控溅射在PET基材上制备ITO薄膜,利用扫描电镜、X射线衍射仪、分光光度计、四探针、红外发射率测仪、Hall效应测试系统等,分析工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。结果随着氧气流量的增加,ITO薄膜在可见光区的透过率先增加,然后变缓,薄膜方块电阻先降低后升高;随着工作气压的增加,ITO薄膜的可见光透过率增加,薄膜方块电阻先下降后上升,电阻率先变小再增大,载流子浓度先增大后减小,红外发射率先减小后增大,晶体结构逐渐由晶态转变为非晶态;随着氩氧比的降低,薄膜红外发射率先降低,然后缓慢升高;随溅射时间的增加,薄膜的厚度逐渐增大,方块电阻、红外发射率和可见光透过率迅速下降,晶体结构逐渐由非晶结构转变为晶体结构。综合对比研究发现,当氧气流量为0.6 mL/min、工作气压为0.4 Pa、氩氧比为19.8∶0.2、溅射时间为80 min时,可获得综合性能优异的ITO薄膜,其可见光透过率大于80%,在8～14μm红外波段的辐射率小于0.2。结论磁控溅射工艺参数是决定薄膜综合质量的重要因素,通过严格控制工艺参数,可获得透明性高、发射率低的ITO薄膜。