金属掺杂PVC靶材在两种激光辐照下的激光推进实验研究

为了研究各类工质在不同激光器作用下的性质,采用TEA-CO2以及YAG激光器,对纯PVC靶材以及纳米/微米金属颗粒掺杂的PVC复合靶材进行了烧蚀测试,发现各种靶材在两种激光照射下的性能相差各异。在YAG激光照射下,各种靶材测试的冲量耦合系数均大于在TEA-CO2激光照射下的测量值,而比冲则正好相反;使用TEA-CO2激光器下的推进效率略高于YAG激光器。通过对烧蚀率的测试,确认了各种材料在不同激光下的烧蚀深度不同,而掺入金属后的靶材可以有效地减小烧蚀深度。     

粗糙薄膜表面的原子力显微镜研究和多重分形分析

用一系列生成元模拟了具有不同特征的、与原子力显微镜图像相似的规则粗糙表面。详细讨论了规则粗糙表面多重分形谱参数的意义。并通过与方均根粗糙度（rms）和简单分形维数D0的比较，描述了多重分形分析的优点。最后用多重分形的方法分析了由AFM测量的ZnO薄膜和高聚物PtBuA薄膜的表面形貌。     

基于反射电子能量损失谱的Zn光学性质研究

本文首先通过分析低能电子的反射电子能量损失谱(REELS)获取了Zn的有效能量损失函数Imi-1/ωeff(ω)},进而借助Kramers-Krongig分析得到了Zn的介电函数和光学常数.该光学常数不是通常的体光学常数,包含了表面和体的两部分贡献.根据反射电子在材料内的穿透深度可知,用本方法计算出的Zn的光学常数适用于膜厚在10nm内的材料.     

Charging Effect in Plasma Etching Mask of Hole Array

It has already been found that the round shape of holes can be changed into hexagonal shape during plasma etching processes.This work aims to understand the mechanism behind such a shape change using particle simulation method.The distribution of electric field produced by electrons was calculated for different heights from the mask surface.It is found that the field strength reaches its maximum around a hole edge and becomes the weakest between two holes. The field strength is weakened as moving away from the surface.The spatial distribution of this electric field shows obvious hexagonal shape around a hole edge at some distances from the surface. This charging distribution then affects the trajectories of ions that fall on a mask surface so that the round hole edge is etched to become a hexagonal hole edge.The changing of this hole shape will again alter the spatial distribution of electric field to enhance the charging effect dynamically.     

White light emission of Eu^3＋/Ag co-doped Y2Si2O7

The Eu3+/Ag co-doped rare earth disilicate Y2Si2O7 microcrystal was synthesized by sol-gel method. Through controlling the thermal treatment process of Y2Si2O7:Eu3+/Ag precursor, various phases(amorphous, α, β, γ, δ) were prepared. White light emission was observed under UV light excitation in the samples heavily doped with Ag. The white light was realized by combining the intense red emission of Eu3+, the green emission attributed to the very small molecule-like, non-plasmonic Ag particles(ML-Ag-particles), and the blue emission due to Ag ions. Results demonstrated that Eu3+/Ag co-doped Y2Si2O7 microcrystal could be potentially applied as white light emission phosphors for UV LED chips.     

玻姆量子轨迹方法研究电子衍射

电子衍射作为电子波动性的一个主要特征广泛用于物质结构特征的研究。本文采用玻姆量子轨迹方法直观而精确地描述电子衍射的动力学过程。电子散射的晶体势场通过解析赝势构建,采用劈裂算符方法求解薛定谔方程得到了电子波函数随时间的演化,计算的量子轨迹直观地显示了电子通过晶体衍射动力学过程。     

弹性散射截面对计算电子束投影成像衬度的影响

我们采用蒙特卡洛方法模拟了100keV电子通过W／Cr／Si3N4掩膜的透射率。发现在此高能量下,电子弹性散射的Mott截面与经典的Rutherford截面仍有较大差异。由于这两种总截面和小角散射的微分截面不同,因此采用何种截面将直接影响限角散射电子束投影成像的模拟结果。本文通过比较电子透射的实验测量和模拟计算结果,确认了使用Mott截面的必要性。     

Mo和Ta的有效电子能量损失函数

在用Monte Carlo方法模拟电子与物质相互作用过程时，常用Mott截面描述电子与原子的弹性碰撞，而用介电函数理论描述电子的非弹性散射。Penn利用光学能量损失函数Im{-1／ε（q=0，ω）}外推法获得了描述动量转移不为零的能量损失函数Im{-1／ε（q，ω）}。该介电函数主要描述由于体激发而引起的能量损失，但当入射电子能量降低，或电子掠入、出射时，电子在表面区域会引起较强的表面电子激发模式，在电子能量损失谱中对应特征的能量损失，如表面等离子体激元峰，故常用的光学能量损失函数不适于描述电子的表面激发行为。     

扫描电子显微学中二次电子发射过程的蒙特卡洛模拟

利用蒙特卡洛模拟固体中电子散射轨迹的计算方法，系统地研究了扫描电镜中二次电子信号的发射过程。该模拟电子与固体相互作用的蒙特卡洛模型包含了级联二次电子产生的过程，并且采用光学介电函数方法描述电子的能量损失和相伴的二次电子激发。由于模拟计算可以给出背散射电子和二次电子的绝对产额，以及它们随加速电压和样品的原子序数的变化关系，因此可以用于模拟元素衬度和形貌衬度像。还计算得到了关于二次电子产生和发射的其它分布，并与实验结果作了比较。     

双人博弈问题中的蒙特卡洛树搜索算法的改进

蒙特卡洛树搜索(MCTS)是一种针对决策类博弈游戏,运用蒙特卡洛模拟方法进行评估博弈策略的启发式搜索算法。但是,在面对计算机围棋这种复杂的决策过程时,简单的蒙特卡洛树搜索过程往往由于计算量大,收敛速度非常慢。 由于双人博弈游戏中的蒙特卡洛树搜索不能收敛于双人博弈的最佳决策策略,因此提出蒙特卡洛树搜索结合极大极小值算法的改进算法,使得搜索结果不会因为蒙特卡洛方法的随机性而失真。为了进一步提高复杂双人博弈游戏中搜索算法的计算效率,还结合了几种常见的剪枝策略。实验结果说明,所提算法显著改进了蒙特卡洛树搜索的准确性和效率。