复杂形貌试样的扫描电镜成像衬度模拟

Monte Carlo方法可用于模拟计算扫描电子显微学中材料的表面形貌像衬度，通过模拟电子在试样内部和表面附近的散射和输运过程，从而得到二次电子和背散射电子的信号，它们既反映了试样的表面形貌特征，在一定程度上还表征了试样的内部成分和结构差异。     

基于光电子显微镜的X射线近吸收边结构研究

利用基于第三代同步辐射光源的光电子显微镜图像[1,2 ] (图 1) ,我们测量了银的L3 全电子产生几率模式的X射线近吸收边结构谱 ,同Burattini等的透射实验结果比较[3 ,4] ,二者十分吻合 ,说明反射、透射模式的X射线近吸收边结构谱均能很好地描述材料的非占有电子态结构。进一步利用描述电子在固体内的散射过程及级联产生的二次电子过程的蒙特卡罗模型[5] 计算了银的L3 吸收边上、下的X光子激发的光电子、俄歇电子及其级联产生的二次电子对全部出射电子的贡献。全电子产生几率同实验结果接近 ,同时在吸收边两侧全电子产生几率的比值也同实验…     

MonteCarlo方法在微束分析中的应用

我们发展了一种新的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模型用于模拟电子在固体中的散射过程和级联二次电子的产生及发射过程。这个模型不含参数，而且模拟计算出的背散射电子的能量分布与实验结果符合极好，证实了ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模型对于理解电子能谱分析技术和扫描电子显微术中的物理过程是极为有效的。     

低能电子显微方法的新进展

本文综述入射电子在样品中的散射、二次电子的产生机制和低能电子逸出的能量阈值效应。在大能隙半导体或绝缘体中,低能电子的非弹性散射自由程显著大于金属,从而为纳米材料的表征提供了条件。综述了低能电子显微术（LEEM）、低能电子投影显微术、弹道电子发射显微术（BEEM）、光发射电子显微技术（PEEM）等低能电子显微方法,介绍了这些方法得到的许多结果。     

硅表面直接生长十八烷基硅烷小分子自组装单层抗蚀剂的亚稳态氦原子光刻技术

选取不同尺寸和形状的物理掩模,以硅表面直接生长的十八烷基硅烷小分子自组装单分子层作为抗蚀剂,硅（100）为衬底,亚稳态氦原子作为曝光源,利用湿法化学刻蚀方法在衬底上制备具有纳米尺寸分辨率的硅结构图形。基于扫描电子显微镜、原子力显微镜的表征结果表明：原子光刻技术可以把具有纳米尺度分辨率的正负图形通过化学湿法刻蚀技术很好地传递到硅片衬底上,特征边缘分辨率达到20nm左右,具有较高的可信度和可重复性。正负图形相互转化的临界曝光原子剂量约为5×1014atomscm-2,曝光时间约为20min。     

Pressure effect on optical properties and structure stability of LaPO₄:Eu³⁺ hollow spheres

Uniform monoclinic monazite structure LaPO4:Eu3+ hollow spheres were s ynthesized via an attractive hydrothermal method owing to the higher yield and s implicity.Photoluminescence and Raman spectra of the sample were investigated u nder high pressure up to 26 GPa using diamond anvil cells.At ambient pressure,the sample exhibited same luminescent properties with that of bulk monazite LaPO 4:Eu3+.With the increase of pressure,the emission intensity of Eu3+ decreased and the half-widths of transition lines increased,while emission peaks showed a red shift toward longer wavelengths due to increase in crystal-field strength.No phase transformation appeared before amorphization for monoclinic LaPO4:Eu3+ hollow spheres,which was confirmed based on the analysis of high pressure Raman spectra.The large surface energy of hollow spheres was proposed to prevent the occurrence of phase transformation.     

Pressure and temperature dependent up-conversion properties of Yb3＋-Er3＋ co-doped BaBi4Ti4015 ferroelectric ceramics

Yb^3＋ and Er^3＋ co-doped BaBi4Ti4015 （BBT） ceramic samples showed brighter up-conversion photoluminescence （UC-PL） under excitation of 980 nm. The monotonous increase of fluorescence intensity ratio （FIR） from 525 to 550 nm with temperature showed that this material could be used for temperature sensing with the maximum sensitivity to be 0.0046 KI and the energy dif- ference was 700 cm-1. Moreover, the sudden change of red and green emissions around 400 ℃might imply a phase transition. With increasing pressure up to 4 GPa, the PL intensity decreased but was still strong enough. These results illustrated the wide applications of BBT in high temperature and high pressure conditions.