Fe_(85)Si_(9.6)Al_(5.4)合金的制备、表征及其低频吸波性能

采用机械合金化法制备了Fe85Si9.6Al5.4合金,借助XRD,SEM,VSM和VNA,研究了Fe85Si9.6Al5.4合金的相结构、微观形貌、软磁性能以及Fe85Si9.6Al5.4/石蜡吸波材料的电磁和吸波性能。结果表明:采用一步法和两步法制备的FeSiAl合金的晶相均为无序bcc-Fe(Si,Al)相。一步法制备的FeSiAl合金形貌为不规则块状,而两步法制备的合金为片状。一步法与两步法制备的FeSiAl合金具有相近的比饱和磁化强度与矫顽力;但是与块状FeSiAl/石蜡吸波材料相比,片状FeSiAl/石蜡吸波材料具有更高的复介电常数和复磁导率,在0.5~5GHz范围内具有更低的反射率。厚度为2~5mm的片状FeSiAl/石蜡吸波材料,随厚度的增加反射率降低,匹配频率向低频移动;2mm材料反射率≤-10dB的带宽达1.07GHz。     

用压痕法测定Y—TZP断裂韧性的研究

用压痕法研究了Y－TZP的断裂韧性，用不同的压痕方程计算了Y－TZP的K1c值，观察到其压痕裂纹均为巴氏裂纹，用现有文献报导的压痕方程计算出的K1c值均偏低，在实验的上提出了新的压痕方程。     

液相烧结SiC陶瓷性能的研究

以Al2O3、Y2O3(质量比为2:3)为烧结助剂,在氮气氛或氩气氛中、1900～1970℃、30 MPa下热压制备SiC陶瓷.根据Archimedes原理测量烧结体的体积密度和显气孔率;采用XRD、SEM(EDS)及瞬态热导率测试仪分别对材料的物相、显微结构和热导率进行表征.研究了烧结温度、烧结气氛和烧结助剂含量对材料烧结性能和热导率的影响.结果表明,当烧结助剂质量分数为10%,获得SiC致密体(气孔率＜0.30%),热导率高达182.50 W/(m·K);随着烧结助剂的质量分数降至6%,材料的致密度和热导率皆明显下降;在氩气氛中SiC与Al2O3、Y2O3具有更好的润湿性.     

La2O3对热压烧结Al2O3性能的影响

以高纯的α-Al2O3为原料,以MgO、La2O3为烧结助剂,采用热压烧结工艺制备Al2O3。用阿基米德法、SEM、XRD等研究了材料的烧结性能、显微结构和相组成;用三点弯曲法测试材料的力学性能,用阻抗仪和氦质谱检漏仪分别测试试样的介电性能和气密性。结果表明：在1500℃烧结制备的材料晶粒细小,平均晶粒尺寸小于1μm,...     

湿化学法合成先驱体制备氮化硼纤维的研究

以硼酸和三聚氰胺为原料,采用湿化学法合成先驱体,在氮气气氛中制备出氮化硼(BN)纤维。用中和滴定法、红外吸收光谱(IR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对合成的先驱体及制得的BN纤维的氮含量、形貌及结构进行分析。结果表明合成温度1,700℃,保温时间3 h,氮气流量2 L/min时制得的BN纤维的氮含量为53.46%,达到理论值的95%。先驱体分子中存在B—N、N—H、C—O—C、—(B—N)—结构单元。用扫描电镜观察制得的BN纤维直径为2~10 靘,长径比为40~50。     

AlN-SiC复相材料的制备及其微波衰减性能

以氮化铝、碳化硅为原料，采用热压烧结工艺，1900～2000℃、氮气氛下，制备了A1N-SiC复相材料。运用XRD、高分辨率透射电子显微镜、网络分析仪等测试手段，研究了微波衰减剂碳化硅含量及A1N-SiC部分固溶体的形成对材料微波衰减性能的影响，结果表明：A1N-SiC复相材料的频谱特性随衰减剂碳化硅含量的变化而呈现出选频衰减、宽频衰减等特性。当衰减剂SiC质量分数少于40％时，A1N-SiC复合材料具有选频衰减特性，SiC含量为40％～60％时，复合材料具有宽频衰减特性。A1N-SiC部分固溶体的形成有助于改善材料的宽频衰减特性。     

(AgCu28)80InxSn(20-x)钎料的熔化特性及其铺展性研究

采用差示扫描量热仪研究了合金的熔化特性。结果表明：该合金在489～496℃处具有554～604℃两个明显的吸热带，添加11wt％的In时，其只存在496℃与603．6℃两个吸热峰。润湿与铺展性能测试表明该合金能很好地润湿紫铜，在In添加量大于12wt％时，随着In含量的增加铺展率变大。     

氧化镁-碳化硅复相陶瓷在X波段的衰减性能

以MgO为基体,添加少量SiC,采用热压工艺制备复相微波衰减钮扣材料,通过矢量网络分析仪测试其X波段的微波衰减性能.研究SiC的添加量、烧结温度、保温时间以及介电性能等因素对复相材料衰减性能的影响.结果表明:当SiC质量分数(下同)从1%到10%逐渐增加时,复相材料的损耗谐振衰减频率(f0)随之降低,衰减量也逐渐减小,有效衰减带宽增大;这种现象在SiC含量小于2%时更显著.烧结温度的降低会提高复相材料的f0;保温时间对复相材料衰减性能稳定性的影响较小.从谐振腔及波导的性质入手分析了影响f0而的主要因素,导出了给定钮扣半径下复相材料f0与相对介电常数之间的关系及适用范围,并据此从材料设计的角度对耦合腔行波管"损耗钮扣"的制备进行了探讨.     

TiO_2对BLT微波介质陶瓷结构及介电性能的影响

采用传统固相烧结工艺制备了BaO-La2O3-nTiO2(n为3,4,5和6)微波介质陶瓷,研究了该系陶瓷的相组成、微观形貌和微波介电性能之间的关系。结果表明:该系陶瓷具有较优介电性能的主晶相为斜方晶系BaLa2Ti4O12,并且第二相的存在对其介电性能影响明显。烧结体致密性是Q·f及τf的重要影响因素。当n为4时,获得相对较优的介电性能:εr为139.7,Q·f为1239.0GHz和τf达180.0×10–6℃–1。