VRML在X射线衍射教学上的应用

简要介绍了VRML的三种交互方式，VRML浏览器插件的动作按钮、插入VRML节点和Script节点．用插入PlaneSensor、Viewpoint、OrientationInterpolator、TouchSensor、Anchor和TimeSensor等VRML节点实现了《X射线衍射分析》部分内容的三维交互，比如德拜相机的内部结构浏览和工作状态控制。     

Ge对Sn-Bi-Ag焊料合金性能的影响

采用熔炼和浇铸法制备试样,利用XRD衍射仪、金相显微镜、差热分析仪、可焊性测试仪、静态抗氧化法和排水法测试了Ge对Sn-38Bi-0.7Ag物相、组织、熔点、可焊性、抗氧化性和密度的影响.结果表明:Ge的加入使Bi相体积分数增加,晶粒变细;随着Ge的加入,合金熔点不变,密度、可焊性稍有降低,随着Ge含量的增多,这种影响变得不明显;Ge的加入使合金抗氧化性先增大后减少,确定Ge的适宜添加量为0.007%.     

P元素对Sn-0.7Cu焊料合金性能的影响

为了研究P元素含量对合金微观组织、熔程、润湿性和抗氧化性能的影响,将纯锡和中间合金Sn-10Cu及Sn-3.5P按质量比在270 ℃熔化,保温20 min后搅拌均匀,浇铸冷却后制备成Sn-0.7Cu-xP(x=0~0.1)焊料合金.通过光学显微镜观察焊料合金的显微组织,分别利用X射线衍射仪(XRD)和差示扫描量热分析仪(DSC)对焊料合金进行了物相分析和熔点测定,采用润湿平衡法测定焊料的润湿性,用静态刮渣法测定焊料的抗氧化性.研究表明：焊料合金晶粒随着P元素含量的升高而增加;焊料合金的熔程随着P元素含量的升高先增加后降低;焊料的润湿时间随着P元素含量的增加先减小后增大,润湿力随着P元素含量的增加而减小,在P含量为0.001%时润湿性较好;P元素含量为0.01%时,Sn-0.7Cu的抗氧化性能较好.     

石英砂对TiO2压敏陶瓷性能的影响

本文主要研究SiO2对TiO2压敏陶瓷电性能的影响，并对其原因进行了分析.结果表明：通过掺入SiO2可以有效调控TiO2陶瓷的压敏特性，使TiO2压敏陶瓷具有良好的电性能。     

磷酸盐浓度对微弧氧化陶瓷膜耐腐蚀性能的影响

为探讨Ti6Al4V合金在不同浓度磷酸盐体系中进行微弧氧化(MAO)后的性能,本实验利用X射线衍射仪、扫描电镜、涡流测厚仪以及电化学工作站等对生成膜层的物相组成、显微形貌、厚度以及耐腐蚀性能等进行研究.结果表明:所制备的微弧氧化膜结构呈表面粗糙,内部致密,含锐钛矿、金红石以及少量羟基磷灰石.随磷酸二氢钾浓度升高,金红石及羟基磷灰石相增多;微弧氧化膜厚度增大到一定值后不再发生变化;微弧氧化致密层与疏松层比例发生变化,增厚的疏松层表面孔增多且孔径增大,降低了膜层的耐腐蚀性能.     

掺BCB低温共烧ZnNb2O6微波介质陶瓷的研究

研究了BaCu(B2O5)(BCB)对ZnNb2O6 微波介质陶瓷烧结特性和介电性能的影响.结果表明,BCB 玻璃料形成的液相加速了颗粒间的传质,促进了烧结,能有效的使ZnNb2O6 陶瓷的烧结温度降低至875℃,随着BCB含量的增多,样品中出现了第二相.w(BCB)=3%的ZnNb2O6 陶瓷在875℃保温4 h,获得优异的综合介电性能,即介电常数εr=23.4,品质因数与频率的乘积Q×f=13 230 GHz,谐振频率温度系数τr,=-78.41×10-6/℃,与Ag共烧研究表明,ZnNb2O6 陶瓷与Ag电极化学兼容性较好,未发生明显的扩散反应现象,可作为一种新型的低温烧结微波介质陶瓷用于多层微波器件的制作.     

铝钪合金的现状与展望

概述了钪对铝合金性能的影响,并对铝钪合金发展的历史和现状进行了概括。论述了铝钪合金的制备方法及铝钪合金的性质,如高强度、热稳定性高,焊接性、耐腐蚀性优良等。介绍了几种常用的铝钪合金,评述了铝钪合金的发展前景并指出了我国铝钪合金的研究方向。     

(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷第二相形成机理

研究了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷第二相的形成机理.以锐钛矿TiO2、Nb2Os和La2 O3氧化物粉体为原料,采用传统固相烧结工艺制备了( La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷,采用SEM、EDS、XRD、AFM和TEM检测了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷样品的显微结构、化学组成、物相组成、热蚀沟和显微形貌;通过点缺陷热力学分析、晶界能和材料结构检测分析讨论了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷第二相的形成机理.研究结果表明,第二相的形成起源于掺杂La3+和Nb5+在晶界的偏析,偏析驱动力为弹性应变能.偏析离子在高能量晶粒表面或晶界面成核,并逐渐长大形成第二相.第二相主要在能量较高的晶面上生长,这有利于使整个材料体系的能量最低.     

不掺杂TiO2陶瓷的缺陷化学与气孔形成机理

通过应用缺陷化学和材料检测手段对不掺杂TiO2陶瓷气孔形成的机理进行研究.以锐钛矿TiO2粉体为原料,采用传统电子陶瓷工艺制备了不掺杂TiO2陶瓷,应用SEM、EDS和XPS测试在1300、1350和1400℃烧结的不掺杂TiO2陶瓷样品的显微结构、化学组成和离子价态;根据不掺杂TiO2陶瓷晶粒的缺陷化学方程式和电中性条件,计算TiO2晶粒的缺陷浓度;基于点缺陷热力学方法,计算不掺杂TiO2陶瓷晶界的氧空位分布.结果表明随烧结温度的升高,颗粒间的气孔逐渐减小,而晶粒中的气孔则逐渐长大,这是由于氧空位浓度随温度的增加而增加引起的.不掺杂TiO2陶瓷的氧空位在晶界出现偏析行为,并随烧结温度的增加,晶粒中的氧空位浓度和晶界氧空位浓度均随之增加.不掺杂TiO2陶瓷中存在三价钛离子和晶界吸附氧,三价钛离子浓度和晶界吸附氧含量随烧结温度的增加而增加.不掺杂TiO2陶瓷晶粒和晶界中存在较多气孔,主要起源于高温烧结过程中晶格氧的挥发和氧空位在晶界的偏析.     

锡箔粗轧1道次轧件疲劳损伤的数值模拟

基于塑性成形CAE技术,模拟研究了锡热轧过程中的疲劳损伤变化,分析了其粗轧第1道次轧制中疲劳损伤因子的分布。采用有限元分析软件DEFORM-3D对锡箔轧制进行了模拟,通过正交试验得到了最优方案。结果表明,锡粗轧第1道次轧制的疲劳损伤主要累积在轧件边部;压下量和轧制速度是影响疲劳损伤的主要因素;疲劳损伤因子随着压下量和轧制速度的增加而增大。锡箔粗轧第1道次的优化工艺参数:压下量为3.5mm,轧辊温度为60℃,轧件温度为100℃,轧制速度为60m/min。疲劳损伤随着轧制的进行逐渐增大,在进入轧机后0.06s达到最大值,此后不再发生变化。