基于Deform的热轧3003铝板带温度场的三维有限元模拟

采用三维有限元模拟方法研究了轧制速度、轧制界面热交换系数、轧件初始温度和压下率对热轧3003铝合金板带温度场的影响。结果表明:随着轧制速度增加,轧件温度升高,轧件的表面温差加大。因此,增加轧制速度需要加大乳化液喷射量。随着界面换热系数的变大,轧件的温度逐渐降低,轧件的表面温差减小。同时,大的界面换热系数可以减小乳化液喷射量。随着轧件初始温度的增加,轧件的表面温差减小。为了使得轧件温度分布更均匀,如果条件允许,可适度提高轧件的初始温度。随着压下率的增加,轧件在轧制区的平均温度随之升高,轧件的表面温度变化幅度加剧。因此,随着压下率的加大,需要增加乳化液的喷射量。     

Study on Preparation Technology of Nickel Powder with Liquid Phase Reduction Method

采用液相还原法,以水合肼为还原剂,硫酸镍为原料,氢氧化钠为pH值调节剂,在不添加分散剂的情况下制备超细镍粉,并探究了体系反应温度、pH值、Ni2+离子浓度、N2H4·H2O/Ni2+摩尔比工艺参数对制备镍粉的平均粒径、形貌及分散性的影响。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XED)、能谱分析、激光粒度分析等测试手段表征粉体的性质。得出了实验的较佳工艺参数:反应温度80℃、pH值为11、Ni2+离子浓度为0.5 mol/L,[N2H4·H2O]:[Ni2+]适宜范围为2~4,制得镍粉的平均粒径为400 nm。     

La~(3+)掺杂TiO_2粉体的化学沉淀法制备条件优化

采用化学沉淀法制备La~(3+)掺杂TiO_2粉体,并用正交实验方法对制备工艺进行优化,通过SEM、XRD、XPS和UV-Vis对TiO_2粉体的形貌、结构、光吸收性能进行了表征。结果表明:煅烧温度和La~(3+)掺杂量对TiO_2粉体光吸收性能具有显著影响;不同煅烧温度得到的La~(3+)掺杂TiO_2均以锐钛矿结构为主;升高煅烧温度可以增强La~(3+)掺杂TiO_2在紫外光波段的吸光强度;La~(3+)掺杂可以改善TiO_2粉体的团聚,减小TiO_2的禁带宽度,同时导致TiO_2表面吸附一定数量的羟基。最优的制备条件为:煅烧温度800℃,La~(3+)掺杂量0.6%(摩尔分数),反应温度为90℃,反应液pH值为8,此条件下获得的TiO_2粉体可见光性能最优。     

串联2—2复合材料的介电击穿研究

研究了串联2－2型复合材料的介电击穿特性。串联2－2型压电复合材料结构较为简单，它是研究具有复杂连通性压电复合材料的基础。根据能量守恒定律，推导出串联2－2复合材料中压电陶瓷PZT层上和聚合物PVDF层上的电场强度Ec、Ep。由于压电陶瓷的介电常数εc(≈1600ε0)远远大于聚合物的介电常数εp(≈12εo)，因此Ep远远大于Ec。尽管PVDF的介电强度高于PZT的介电强度，但由于Ep远远大于Ec，所以串联2－2型压电复合材料的介电击穿往往是从聚合物层开始的，最后导致复合材料整体被击穿。对理论计算进行了实验验证，结果表明：在PZT含量较低时，计算值与试验值比较接近，但随着复合材料中PZT含量的提高，二者的偏差越来越大。文章最后定性讨论了在高PZT含量时复合材料的计算值与试验值偏差较大的原因。     

Direct Electrodeposition of Fe-Ni Alloy Films on Silicon Substrate

在n-型Si片(100)面上直接电沉积Fe-Ni合金薄膜,并对电沉积过程特征及薄膜的结构和性能进行了研究。当阴极电流密度高于1.0 A/dm2时,可获得连续致密的合金薄膜,且电沉积表现为异常共沉积过程。在1.0~4.0 A/dm2范围内改变电流密度可调控合金薄膜的Ni质量分数从45%到78%之间改变,对应的电流效率在60%到66%之间变动。从XRD和TEM结果来看,合金薄膜由尺寸为10~30nm的纳米晶粒组成,且表现为Fe-Ni面心立方固溶体结构。合金薄膜的磁滞回线表现出较高的饱和磁化强度和接近于零的矫顽力,表明该种纳米合金薄膜具有很好的软磁性能。     

高分子网络凝胶法制备Fe掺杂TiO2粉体的研究

以钛酸四丁酯和硝酸铁为原料,N-羟甲基丙烯酰胺为单体,N,N′-亚甲基双丙烯酰胺为网络剂,采用高分子网络凝胶法制备掺Fe的TiO2粉体,研究了Fe掺杂量和煅烧温度对TiO2粉体性能的影响。采用TG-DTA、X射线衍射(XRD)、紫外-可见光谱分析(UV-Vis)对粉体的热效应、晶体结构、吸收光谱进行了表征。结果表明,随着煅烧温度升高,TiO2晶粒尺寸增加;Fe的掺杂抑制晶粒的长大,促进了TiO2由锐钛矿相向金红石相的转变。Fe的掺杂量和煅烧温度对其光吸收带边影响较大,在实验条件下,Fe的掺杂量为1.5%,煅烧温度为650℃,光吸收带边红移最明显。     

高性能烧结永磁铁氧体生产工艺的探讨

介绍TN备高性能烧结永磁铁氧体的生产工艺技术，阐述了生产高性能烧结永磁铁氧体应具备的基本条件，对生产工艺上关键的工序：球磨、成型及烧结进行了分析、探讨，给出了制备高性能烧结永磁铁氧体的生产工艺条件。     

银粉形貌及粒径对银浆性能的影响

将银粉、有机载体和玻璃粉按一定比例混合制成导电银浆。银浆通过丝网印刷在硅基片上,保温烧结。采用SEM、四探针法研究银粉的不同粒径与形貌对银浆烧结厚膜层方阻的影响。结果表明,随着球形银粉粒径增大,银膜方阻先减小后增大,当球形银粉粒径在2μm时银膜方阻最小,为4.44?/□;当2μm片状银粉和2μm球形银粉混合加入时,银膜方阻最小,为3.95 m?/□;随着片银的含量增加,银膜方阻先减小后增大,当片状银粉为50%时银膜方阻最小,为3.92 m?/□。     

低压双功能TiO2压敏陶瓷的研究

采用一次烧成工艺制备了具有电容性和压敏性双功能TiO2陶瓷．考察了Nb2O5施主掺杂对TiO2压敏陶瓷的显微结构、介电性能和压敏性能的影响．结果表明：随Nb2O5掺杂量的增加，样品的晶粒粒径变大、晶界层变薄；压教电压V1mA减小、非线性系数。和介电常数ε增大．当Nb2O5掺杂量为2mol％时，TiO2压敏陶瓷有较好的压敏特性：ε＝22000、V1mA=2.8V和α=3.8。     

纳米粉体对TiO2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响

采用实验方法研究了纳米粉体对TiO2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响.采用扫描电镜测试了样品的显微结构.基于热电子发射理论和样品的电学性能计算了TiO2压敏陶瓷的势垒结构.在室温至320 ℃范围内,测试TiO2压敏陶瓷样品的电阻率ρ.通过样品的lnσ-1/T曲线计算了TiO2压敏陶瓷材料的晶界势垒结构.讨论了显微结构和势垒结构对TiO2压敏陶瓷电学性能的影响.结果表明,合适的纳米TiO2加入量为x=5 mol%.