轴对称折叠组合CO2激光器的相位锁定及其输出特性的研究

基于注入锁定原理,对轴对称折叠组合CO2激光器的相位锁定机制作了分析。详尽研究了相位锁定后光束的特性。结果表明,相位锁定能够提高光强的最大值,并且使输出光束的能量更集中。这样的结果能应用于激光打孔、激光切割等。     

激光束畸变波前高频相位的恢复

利用相位均方根(RMS)梯度描述的随机相位屏表示低频波前畸变,用扰动幅度表征的随机相位屏描述高频波前畸变,建立了激光束的畸变波前模型.根据已知的近场低频相位以及近场和远场光强分布,采用逐次逼近迭代法对畸变波前的高频相位进行了恢复,并从波前残差、波前峰谷(PV)值、波前RMS,波前功率谱密度(PSD)等不同角度对高频相位...     

Si/C多层薄膜中硅纳米晶的微结构演化

通过磁控溅射技术和1100 ℃的高温后续退火处理,在Si/C多层薄膜中形成硅纳米晶。改变多层薄膜的调制波长比可以调控硅纳米晶的尺寸、形状和密度。其微观结构由小角X射线、拉曼频移、高分辨电镜进行表征。结合拉曼频移和高分辨电镜分析表明,由于受到C层界面约束,非晶硅层在高温下会发生固态重结晶,转变为纳米晶。通过调制波长比可调控纳米晶的尺寸和形状。当调制波长比从0.5到2改变时,硅纳米晶的形状逐渐从球形、椭圆形转变为条形或者砖型。夹层受限生长模式有利于适应新一代硅基光电子器件的结构设计。     

Correlations of Photoluminescence and Size Evolution of Si Quantum Dots in Amorphous Silicon Carbide

通过磁控溅射技术和1100 ℃的高温后续退火处理,在富硅碳化硅中形成高密度、小尺寸的硅量子点。其微结构和光学特性由高分辨电镜和光致发光技术进行表征。结合斯托克斯偏移和高分辨电镜分析表明,由非晶碳化硅包覆的硅量子点存在α-Si、c-Si两种结构,并呈现多带隙特征,子带隙分布范围从2.3到3.5 eV,出现紫外光到绿光的光致发光特征峰;发现此特征的硅量子点尺寸分布在~1.0~4.0 nm;通过改变薄膜中的Si和C原子比例,以及改变退火参数可进一步优化和控制硅量子点的微结构