计算机学科本科生科研创新能力培养模式探究

通过总结目前本科生科研创新能力培养的定位、组织管理以及相关机制等存在的不足,探讨课程学习、科研训练与学科竞赛以及本科生、研究生与指导老师两个"三者关系"的协调和互动机制,结合计算机学科的特点,探讨大学生科研创新能力培养的可行模式。     

柬埔寨电力市场现状及其营销的理念和对策

结合柬埔寨电力市场现状,介绍了未来柬埔寨电力市场发展规划,分析了外部投资的机遇与挑战,探讨了电力公司的营销理念与对策。作为一个柬埔寨企业,应该积极主动地适应当地的社会与经济,以自身的专业和尽责,为当地电力行业带来一股新风,协助推动当地经济快速发展。     

沸石及水泥基材料二次负载TiO2的光催化性能

以天然沸石为原料,通过6h碱处理及400℃热处理对沸石进行改性,以改性沸石为载体来分散负载光催化剂纳米TiO_2,制备出了改性沸石负载光催化剂.通过内掺法、喷涂法和露骨料法将改性沸石负载光催化剂二次负载于水泥基材料,研究负载纳米TiO_2水泥基材料的光催化性能.结果表明:碱热处理增加了改性沸石对纳米TiO_2的负载量,光催化剂的吸附水平与降解水平均明显提升;改性沸石与纳米TiO_2形成了新的Ti—O—Si化学键,结合牢固;喷涂法二次负载制备的光催化水泥基材料具有较高的降解率.     

基于宏块编码信息自适应置换的H.264/AVC视频加密方法

云存储的发展使人们愿意将个人视频数据传输至云端,但伴随而来的数据安全问题日益突出,选择加密是对视频进行隐私保护的有效手段之一.针对目前H.264/AVC视频选择加密方法普遍存在安全性不足的问题,文中提出了一种基于宏块编码信息自适应置换的H.264/AVC视频加密方法.该方法根据宏块的编码类型逐帧自适应生成伪随机序列,利...     

ITO:Mo透明导电薄膜的制备

利用通过固相烧结法得到的自制靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同的衬底温度下沉积得到薄膜。通过XRD对它们的晶体结构进行分析,对薄膜断面进行扫描,测量其薄膜厚度。利用四探针法和霍尔效率测试仪,分别对薄膜的电阻率和载流子浓度及迁移率进行测量和分析。最后,用分光光度计对薄膜的透光率进行测量和分析,并计算了薄膜的禁带宽度。结果表明,在500℃下沉积的薄膜综合性能最好,电阻率可达2.611×10-4Ω.cm,透光率在90%以上,禁带宽度为4.29eV。     

基于DSP的SVPWM波实时生成方法

通过对SVPWM算法的分析，在TMS320F241上分别以软件和硬件的形式实现了SVPWM波的输出，并对两种实现方法的输出效果进行了比较。     

一种低比特率变化的高容量HEVC视频数据隐藏方法

适用于高效视频编码（High Efficiency Video Coding,HEVC）视频的数据隐藏方案相对较少,现有方案大多无法充分利用所有类型视频帧,并且存在嵌入容量不高或载密视频流比特率增加较大等问题．文中提出了一种HEVC视频数据隐藏方法,利用HEVC视频新的编码元素实现在不同类型视频帧中的数据嵌入．该方法主要包括三种嵌入模式：修改编码树单元的样值自适应补偿值（Sample Adaptive Offset,SAO）、交换16×16、8×8和4×4编码单元中的残差系数以及改变4×4变换跳过块的符号位．实验结果表明,所提出的方法具有较好的嵌入不可感知性和较高的嵌入容量,并对视频流比特率影响很小．与最近提出的方案相比,载密视频具有更高的视觉质量和更小的比特率增加．     

衬底温度对PLD法制备的ZnO:Ga薄膜结构和性能的影响

利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄膜的结构、表面形貌和光电性能的影响.研究表明:制备的ZnO:Ga薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜.随着衬底温度的增加,衍射峰明显增强,晶粒尺寸增大.当衬底温度为450℃时,薄膜的最低电阻率为8.5×10<'-4>Ω·cm,...     

氧压对PLD法硅上生长c轴取向LiNbO3晶体薄膜的影响

本文采用脉冲激光沉积 (PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3 (LN)晶体薄膜 ,研究氧气压强对薄膜质量的影响。结果表明 ,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数。X射线衍射和透射电子显微镜分析表明 ,氧压为 30Pa时生长得到了完全c轴取向的LN薄膜 ,LN(0 0 6 )衍射峰的半高宽为 0 2 1°。这是首次报道不施加缓冲层和诱导电场采用PLD技术在硅衬底上生长出了结晶质量良好的完全c轴取向的LN薄膜     

用软件实现DS1820的CRC校验

DS1820是采用单总线协议的数字温度传感器,其内部自带有循环冗余码CRC（Cyclic Redundancy Code）硬件发生电路,但实际使用时,许多人为了避免整个程序的复杂性,往往忽略了此功能。本文详细介绍了用两种不同的软件方法编程实现其只读存储器（ROM）和读写存储器（RAM）的CRC校验。