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在SiO2/Si(P++)衬底上制备了多层MoS2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO2 栅氧, 得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度, 表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10-13 A)处的信号, 限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS2器件的表现, 基于薄层SiO2栅氧的MoS2器件表现出了良好的性能和潜力, 显示出丰富的应用前景. 相似文献
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设计了一种低温漂CMOS基准电压源,应用于LED驱动芯片中.采用基本的带隙基准电压源原理,并对结构进行了改进,减小了失调电压对输出的影响,同时可以提供多路输出,满足LED驱动芯片中多个基准电压的需求.基于CSMC 0.5μm CMOS工艺对所设计电路进行了模拟仿真.常温(25℃)下,电源电压为4V时电路具有稳定的三路输出:200mV、600mV和1V,温度在-45~85℃变化时,温度系数为16.9ppm/℃,PSRR大于-70dB@1kHz. 相似文献
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信息系统漏洞风险定量评估模型研究 总被引:10,自引:0,他引:10
为解决信息系统漏洞风险的科学定量问题,针对当前漏洞风险评估忽略漏洞之间关联性的现状,提出了一种信息系统漏洞风险评估的定量方法与实现步骤.首先,讨论了基于漏洞关联网络(VCN,vulnerability connection network)的漏洞风险评估模型,引入了路径风险与主体风险的概念;其次,提出了以层次分析法定量主体风险性中的主体重要性要素,结合主观分析与攻击重现定量转移风险中的关联后果值的具体方法;最后,对电力调度管理信息系统运用此漏洞风险定量方法进行评估,得出了客观的漏洞风险评估结果.评估示例表明,基于漏洞关联网络的漏洞风险定量评估模型实现了漏洞风险科学、客观的定量评估. 相似文献
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sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI quantum-well (QW) p-MOSFETs with HfO2/TiN gate stack were fabricated and characterized. According to the low temperature experimental results, carrier mobility of the strained Si0.5Ge0.5 QW p-MOSFET was mainly governed by phonon scattering from 300 to 150 K and Coulomb scattering below 150 K, respectively. Coulomb scattering was intensified by the accumulated inversion charges in the Si cap layer of this Si/SiGe heterostructure, which led to a degradation of carrier mobility in the SiGe channel, especially at low temperature. 相似文献
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Cu2ZnSn(S, Se)4 (CZTSSe) thin films were deposited on flexible substrates by three evaporation processes at high temperature. The chemical compositions, microstructures and crystal phases of the CZTSSe thin films were respectively characterized by inductively coupled plasma optical emission spectrometer (ICP-OES), scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD) and Raman scattering spectrum. The results show that the single-step evaporation method at high temperature yields CZTSSe thin films with nearly pure phase and high Sn-related phases. The elemental ratios of Cu/(Zn+Sn)=1.00 and Zn/Sn=1.03 are close to the characteristics of stoichiometric CZTSSe. There is the smooth and uniform crystalline at the surface and large grain size at the cross section for the films, and no other phases exist in the film by XRD and Raman shift measurement. The films are no more with the Sn-related phase deficiency. 相似文献
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充分借鉴SID的先进经验,广泛参考中国电信各省的现有规则,设计了中国电信支撑系统业务规则管理的对象模型、数据模型,并以此为基础定义规则目录框架,梳理了业务规则基本词汇,为实现业务规则的好配置、好维护、好理解、好排错、可复用、可管控、可扩展和可定制提供有效支持。 相似文献
68.
短波通信存在着多径衰落和干扰的问题,影响了通信的质量。通过使用智能天线,可以提高通信质量和可靠性。但是短波多径环境中会产生多个相干信号,造成智能天线的波达方向(DOA)识剥模糊。本文利用短波信号的循环平稳特性,结合均匀线性阵列,提出了在短波环境中识别DOA的前向空间平滑Cyclic Music方法。 相似文献
69.
3种低阶煤热解半焦CO2反应的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
分析了3种低阶煤热解半焦CO2反应性与热解温度、反应温度的变化关系,分析计算了半焦CO2反应动力学参数。 相似文献
70.