X频段精密电介质测量系统

本文简要介绍在我们实验室建立的频率在8.2—12.4GHz的精密电介质测量系统,其中较详细论述了设计单模TE_(01n)螺旋腔的原理性问题及结构。该系统可用频率调谐法或长度调谐法来测量。按我们已发表的计算方法,对固体材料测量结果的部分数据和相应的理论误差分析数据,分别用图、表给出,从分析中得出一些对电介质测量有实用价值的结论。 此外,也给出了用频率调谐法测得的螺旋波导在某些典型频率下对TE_(01)模的衰减数据。     

用谐振腔—截止波导技术测量介质谐振器的复介电常数

在TE01n模谐振腔的一个端面中央,开一圆孔,连接一根等直径、适当长度的截止波导,当截止波导中置入介质谐振器时,使含介质段对TE01模呈传输态。介质谐振器的前向波导段用于调节耦合强弱,足够长度的背向波导段则形成匹配电抗终端或入金属场构成短路终端。这两种安排都能使置介质谐振前后的谐振腔产生相当大的谐振长度和Q甸子的变化,从而能获得准确的介质谐振器无载Q因子和介电常数。在X频段对陶瓷谐振器进行测量,获得满意的结果。     

退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜微观结构影响研究

采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜。研究了退火温度对Si基Bi4Ti3O12薄膜晶相结构、晶粒尺寸及薄膜表面形貌的影响。研究表明，退火温度低于450℃时Bi4Ti3O12薄膜为非晶状态，退火温度在550-850℃范围内均为多晶薄膜，而且随退火温度升高，Bi4Ti3O12薄膜更趋向于沿c轴取向的生长；而晶粒尺寸及薄膜粗糙度随退火温度升高而增大，但在较高温度下增长速度趋缓。     

截止波导介质腔介电常数测量理论与方法研究

本文提出了用截止波导介质谐振腔测量微波材料相对介电常数和微波损耗的方法.利用开波导法给出了腔中TE0ml谐振模的电磁场,导出了利用此模测量介电常数和微波损耗的公式;通过测量频率和谐振曲线,就能算出材料的复介电常数,并对谐振模TE0ml进行了讨论;比较了这种测量方法与原有的短路金属板介质谐振腔法的优劣,结果表明采用截止波导介质谐振腔测量材料的微波损耗时更有优越性.     

TE_(oln)模螺旋谐振腔

本文讨论TE_(01n)模螺旋谐振腔及其在电介质测量、螺旋波导的衰减测量、长度测量和高损耗材料电性能测量等方面的应用,此外还讨论大尺寸谐振腔在8mm波段的电介质测量。     

介质谐振器材料及其应用

本文简要介绍自1970年以来得到重大发展的微波介质谐振器陶瓷,指出某些基本规律、特性及研究发展动向,也讨论了材料特征电参数间的相互依存关系。最后举例说明介质谐振器在蜂巢式便携电话中的双工器及稳频振荡器方面的应用。     

对传输一反射法测量材料电磁参数的分析

本文就近年来广泛应用于测量雷达波吸收材料复介电系数和复磁导率的传输—反射组合法,从计算公式的分析、误差分析的数字计算和实验三方面着手,研究了样品电长度和S参数测量误差对所获结果的影响,得出能获得材料可靠基本电磁参数的样品电长度范围及各材料特征参数的最大测量误差。     

用谐振腔-截止波导技术测量介质谐振器的复介电常数

在TE01n模谐振腔的一个端面中央,开一圆孔,连接一根等直径、适当长度的截止波导,当截止波导中置入介质谐振器时,使含介质段对TE01模呈传输态。介质谐振器的前向波导段用于调节耦合强弱,足够长度的背向波导段则形成匹配电抗终端或置入金属场构成短路终端。这两种安排都能使置入介质谐振器前后的谐振腔产生相当大的谐振长度和Q因子的变化,从而能获得准确的介质谐振器无载Q因子和介电常数。在X频段对陶瓷谐振器进行测量,获得满意的结果。     

用凹形谐振腔测量固体电介质的复介电系数

本文扼要叙述了运行在0.1～25GHz频段的各种凹形腔的电磁场结构、等值电路和用它们来测量电介质时的基本原理及计算公式,并给出150～300MHz腔体的实际尺寸和技术参数。