离子注入形成SOI材料的XTEM分析

近几年来,SOI(silicon on Insulator)材料因用于制备抗辐照、高速CMOS电路及三维集成电路等受到人们越来越多的关注。在各种SOI技术中,离子注入形成SOI材料有其独到的优点,制备工艺简单方便,可获得高质量的表层单晶硅。本文以XTEM研究大束流,高剂量的氮离子或氧离子注入单晶硅形成的SOI材料,用于确定表面层硅的辐照损伤和氮化硅或氧化硅埋层剖面的显微结构。注N~+SOI试样的制备,采用Φ50毫米的硅晶片(n型、3～6Ωcm,<110>)注入能量为190kev,剂量为1.8×10_1~(18)N~+/厘米~2,N~+束流密度为50微安/厘米~2.注入后试样表面利用CVD方法淀积350纳米     

基于图像-点云映射的铆钉平齐度高效检测

铆钉平齐度是铆接质量参数中的一项重要指标,但在实际检测中缺少高效、稳定的检测方法.针对铆钉平齐度的检测,本文提出了一种基于图像-点云映射分割策略的平齐度检测方法.首先,为了快速、稳定地提取图像中的铆钉轮廓,本文提出了一种图像噪声轮廓的分割方法,并基于铆钉轮廓像素的邻域特征,总结出轮廓拐点处的三种邻域特征,据此判断轮廓点...     

基于透射光谱确定微晶硅锗薄膜的光学常数

结合多层结构模型以及柯西色散公式,给出一种由透射谱提取微晶硅锗(μc-Si1-x Gex:H)薄膜光学常数的Matlab方法。与Swanepeol方法、PUMA(pointwise unconstrained minimization approach)方法相比,Matlab法通过透射率极值的位置而非幅值计算折射率,能够避免幅值大小偏差所造成的影响,得到更准确的光学常数,拟合精度能提高1个数量级。计算所得不同Ge含量的光学常数表明,μc-Si1-x Gex:H在整个波长范围内有更高的吸收系数和折射率,并且二者随Ge含量增加而增加。由ASA(advanced semiconductor analysis)进一步计算表明,相对于μc-Si:H电池,当本征吸收层较薄时相同厚度的μc-Si1-x Gex:H电池从400nm开始即能表现出更高的量子效率(QE)响应,当本征吸收层较厚时相同厚度的μc-Si1-x Gex:H电池在近红外区域的QE响应依然优势明显。并且,在获得相同电流密度的情况下,μc-Si1-x Gex:H电池能够明显降低本征吸收层厚度,因而能够有效降低Si基薄膜太阳电池的制造成本。     

一种基于层次路由推送的CCN移动性支持方案

随着互联网的快速发展,用户对内容信息的需求日趋明显,当前网络架构的设计已经不能满足时下服务的要求,因此,以信息为中心的未来网络的研究得以迅速发展.内容中心网络（CCN）是未来网络的研究热点之一,然而现阶段CCN的设计未深入考虑用户移动性问题.本文针对CCN网络中的移动性管理问题,提出一种基于层次路由推送的解决方案.仿真结果表明,本文所提出的方法能有效降低用户获取内容的时间及网络中消息重传数目.     

反射式低通EMI滤波器工程制造

介绍了各种电源的反射式低通EMI滤波器源阻抗和各种负载阻抗的技术构成和性能特点,对共模滤波器元件和差模滤波器元件工程制造分别提出了要求,并给出了实例。     

数字图像操作取证综述

如今,数字图像编辑技术和软件已经被广泛应用于各行各业,但是图像编辑技术被滥用的案例也层出不穷,造成严重的后果与不良的社会影响.为了证明和维护数字图像的真实性,防止图像编辑技术被滥用,数字图像取证技术已成为与社会生活息息相关的重要技术和多媒体信息安全领域的重要研究方向.本文针对数字图像取证中图像操作检测任务,归纳图像操作...     

镀膜对2.0μm锑化物激光器性能的提升

基于InGaSb/AlGaAsSb材料体系,制备出了一款高性能的镀膜激光器。为了性能对比,同时制备了未镀膜激光器。未镀膜的器件在注入电流为3.0A时,室温连续模式下的输出功率达到300mW,最大插头效率为8.3%。镀膜器件在注入电流为2.6A时,室温连续模式下的输出功率达到380mW,最大插头效率为15.6%;另外,在0.3~2.4A的注入电流范围内,镀膜器件的插头效率均大于10.0%,激射波长均在2.0μm附近。     

梳棉机加装前,后固定盖板的探讨

本文对梳棉机加装引进Ｇｒａｆ前，后固定盖板的效果进行试验和探讨，并对使用国产ＡＦ系列前，后固定盖板和Ｇｒａｆ固定盖板进行了系统的对比试验，可供选用参考。     

低温再热器频繁爆管原因及防磨措施分析

低温再热器频繁爆管原因及防磨措施分析江西省南昌发电厂倪培林１前言南昌发电厂二期工程两台１２５ＭＷ机组（２１０和２１１号）,配套的锅炉为上海锅炉厂生产的ＳＧ－４２０／１３．７３－５４０／５４０－Ｍ４１６超高压一次中间再热锅炉,分别于１９８８年１０月、１...     

银川城区配电网自动化系统

论述了配电网自动化的功能和所面临的困难,并以银川城区配电网自动化系统为例,提出配电网自动化系统 的体系结构和解决上述困难的途径。在系统主干线通道上采用无线扩频通信方式,对于分支通道采用屏蔽双 绞线以RS485方式通信,并分别以UPS和双电源形式对相应系统供电。对柱上开关控制器以及故障区段判断等 关键技术问题也作了具体的描述。