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71.
空气钻井条件下录井工艺方法与技术配套探讨 总被引:4,自引:0,他引:4
针对玉门青西油田深部高陡易斜地层存在可钻性差、自然造斜能力强,致使钻井周期长、成本高等特点,中油集团公司在吐哈油田设立钻探“工程探索井(L14井)”重大科研项目,试验研究空气钻井技术。根据L14井录井的实际情况,首先分析了空气钻井条件对录井带来的影响和常规的录井工艺方法和技术设备存在的不足;从5个方面介绍了录井工艺、技术方法的改进,探讨了空气钻井下的岩屑上返理论;介绍了配置装备的改进,分析了该井录井配套技术的应用效果。从该试验井的录井效果看,经改进的录井工艺、方法及装备基本上能满足空气钻井的需要,取全取准了地质及工程资料,为地质解释和评价提供了可靠依据;在工程监测、保障施工安全方面,工程录井也发挥了作用。但综合录井仪软件及后台评价程序还不适应空气钻井的需要,相关的理论研究及工艺完善还有许多课题尚需深入。 相似文献
72.
73.
北部湾盆地迈陈凹陷徐闻X1井油气地球化学特征 总被引:9,自引:3,他引:9
通过对北部湾盆地迈陈凹陷徐闻X 1井所产天然气和原油样品的系统分析,指出该井天然气甲烷含量低、重烃气体含量高、干燥系数低,属于原油伴生气,而乙烷和丙烷的碳同位素值小于-30‰,是典型的油型气;该井原油的三环萜烷系列呈C19>C20>C21>C23>C24>C25>C26的阶梯状分布,呈煤成油的特征,但丰富的C27甾烷的存在表明该原油属于典型的湖相原油,而非煤成油,其生物标志物组成的重要特征是富含各种重排构型化合物,表明该原油的烃源岩形成于浅水、弱还原的淡水沉积环境。 相似文献
74.
75.
76.
电离层延迟和多径干扰分别是陆基增强系统(ground-based augmentation systems,GBAS)和仪表着陆系统(instrument landing systems,ILS)的主要干扰源。在实现GBAS与ILS时间对准和空间对准的基础上,分析了电离层风暴对GBAS以及多径干扰对ILS的影响;通过深入解析从模拟飞行软件X-Plane采集的多次进近着陆飞行数据,建立了飞机精密进近着陆阶段的运动模型;引入了一种基于改进的Sage-Husa自适应滤波和方差估计学习算法的GBAS与ILS数据融合方法;基于X-Plane及自行开发的数据采集模块构建了实验验证系统,并针对GBAS不受电离层风暴的影响、ILS受弱多径效应影响,GBAS受电离层风暴的影响、ILS受弱多径效应影响,以及GBAS不受电离层风暴的影响、ILS受多径效应影响三种情况展开仿真实验。实验结果表明,改进的Sage-Husa算法能有效抑制电离层风暴对GBAS的影响以及多径对ILS的干扰,使GBAS与ILS联合后的导航系统在相应干扰条件下,能为飞机提供满足I类精密进近精度要求的水平和垂直引导,有效提高精密进近运行的生... 相似文献
77.
基于声音信号的“信号与系统”教学方法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在“信号与系统”课程教学中,笔者研究并实践了一种基于声音信号的直观化教学方法.我们将多种实际声音信号引入课堂,对抽象原理用听觉和视觉两种感观形式直观展示,让学生直觉认识和理解信号与系统原理,大大改善了学生的学习效果;我们通过大量以声音信号为题材的工程实践,锻炼了学生运用理论知识解决实际问题的能力. 相似文献
78.
79.
The optimization of a SiO2/TiO2,SiO2/ZnS double layer antireflection coating(ARC)on Ga0.5In0.5P/In0.02Ga0.98As/Ge solar cells for terrestrial application is discussed.The Al0.5In0.5P window layer thickness is also taken into consideration.It is shown that the optimal parameters of double layer ARC vary with the thickness of the window layer. 相似文献
80.
The GaAs based InGaAs metamorphic structures and their growth by molecular beam epitaxy (MBE) are investigated. The controlling of the source temperature is improved to realize the linearly graded InGaAs metamorphic structure precisely. The threading dislocations are reduced. We also optimize the growth and annealing parameters of the InGaAs quantum well (QW). The 1.3-μm GaAs based metamorphic InGaAs QW is completed. A 1.3-μm GaAs based metamorphic laser is reported. 相似文献