全文获取类型
收费全文 | 9267篇 |
免费 | 602篇 |
国内免费 | 342篇 |
专业分类
电工技术 | 708篇 |
技术理论 | 1篇 |
综合类 | 617篇 |
化学工业 | 906篇 |
金属工艺 | 517篇 |
机械仪表 | 604篇 |
建筑科学 | 817篇 |
矿业工程 | 407篇 |
能源动力 | 209篇 |
轻工业 | 713篇 |
水利工程 | 238篇 |
石油天然气 | 342篇 |
武器工业 | 78篇 |
无线电 | 1610篇 |
一般工业技术 | 537篇 |
冶金工业 | 294篇 |
原子能技术 | 124篇 |
自动化技术 | 1489篇 |
出版年
2024年 | 89篇 |
2023年 | 357篇 |
2022年 | 434篇 |
2021年 | 426篇 |
2020年 | 337篇 |
2019年 | 404篇 |
2018年 | 383篇 |
2017年 | 186篇 |
2016年 | 213篇 |
2015年 | 281篇 |
2014年 | 610篇 |
2013年 | 441篇 |
2012年 | 435篇 |
2011年 | 487篇 |
2010年 | 483篇 |
2009年 | 499篇 |
2008年 | 510篇 |
2007年 | 512篇 |
2006年 | 470篇 |
2005年 | 448篇 |
2004年 | 341篇 |
2003年 | 270篇 |
2002年 | 236篇 |
2001年 | 201篇 |
2000年 | 148篇 |
1999年 | 164篇 |
1998年 | 81篇 |
1997年 | 92篇 |
1996年 | 96篇 |
1995年 | 74篇 |
1994年 | 72篇 |
1993年 | 65篇 |
1992年 | 43篇 |
1991年 | 49篇 |
1990年 | 46篇 |
1989年 | 45篇 |
1988年 | 38篇 |
1987年 | 22篇 |
1986年 | 20篇 |
1985年 | 24篇 |
1984年 | 12篇 |
1983年 | 15篇 |
1982年 | 10篇 |
1981年 | 11篇 |
1980年 | 9篇 |
1979年 | 8篇 |
1974年 | 2篇 |
1964年 | 2篇 |
1959年 | 3篇 |
1958年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 9 毫秒
81.
82.
83.
介绍了水力振荡器的工作原理及技术参数,水力振荡器在ZP21井中的应用结果表明:水力振荡器定向钻进机械钻速提高116.66%,复合钻进机械钻速提高52.17%,可有效降低长水平段水平井的施工摩阻,取得了很好的应用效果及经济效益。 相似文献
84.
蜜罐技术是网络防御中的陷阱技术,它通过吸引诱骗攻击者并记录其攻击行为,从而研究学习敌手的攻击目的和攻击手段,保护真实服务资源。然而,传统蜜罐技术存在着静态配置、固定部署等先天不足,极易被攻击者识别绕过而失去诱骗价值。因此,如何提高蜜罐的动态性与诱骗性成为蜜罐领域的关键问题。该文对近年来国内外蜜罐领域研究成果进行了梳理,首先总结了蜜罐发展历史,随后以蜜罐关键技术为核心,对执行过程、部署方式、反识别思想、博弈理论基础进行了分析;最后,对近年来不同蜜罐防御成果分类叙述,并对蜜罐技术发展趋势进行了分析陈述,针对潜在安全威胁,展望新兴领域防御应用。
相似文献85.
86.
下图所示的虚地求和放大器电路代表了一种极好的不平衡求和虚地放大器。该设计使用SSM-2134运算放大器,PMI公司的流行NE5534双极运放优良版本。此低噪声放大器现在能由大多数制造厂家用FET输入运放加以实现。 相似文献
87.
高密度封装技术的飞速发展也给测试技术提出了新挑战。为了应对挑战,新的测试技术不断涌现。本文主要介绍了几种新型测试技术的特点,并对未来测试技术的发展趋势及方向进行了初步分析。 相似文献
88.
简要介绍了可靠性评估(REM)测试结构设计,并介绍了REM试验中与时问有关的栅氧化层击穿(TDDB)、热载流子注入(HCI)效应和电迁移(EM)效应的评价试验方法及实例。REM技术与工艺过程控制(PCM)、统计工艺控制(SPC)技术结合起来就可以实现对工艺的可靠性评价与控制,某集成电路生产公司将它应用于金属化工艺中.确定了工艺输入变量与电迁移可靠性的相关性,优化了金属化工艺试验条件,提高了金属化系统的抗电迁移能力。 相似文献
89.
上两期我们一直在怀旧,从没有手机的时代一路走到成熟的手机网络,这一期我们来看些时髦一眯的东西,免得让怀旧成了守旧。 相似文献
90.
南京电子器件研究所最近研制出一种低中频的S波段单片PHEMT混频器,具有电路结构简单、三阶交调优越、噪声性能良好等优点,另外混频器要求的本振功率极低,并且基本无直流功耗。GaAs三端器件作为混频元件,其混频方式一般分为有源混频模式与阻性混频模式两种。本研究采用阻性混频方式,其特点是器件的源漏电压为零,电路仅需要提供一个接近夹断的负栅压,本振信号从概极注入,射频信号从漏极注入,中频信号从漏极经滤波电路输出。这种结构最大优点是:(1)低的1/f噪声,对于低中频的混频器,这种结构噪声性能较好;(2)优越的交调特性,当信号功率… 相似文献